Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Parker, E. H. C." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    SiGe field effect transistors - performance and applications
    Autorzy:
    Whall, T.E.
    Parker, E.H.C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/307664.pdf
    Data publikacji:
    2001
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    SiGe
    FETs
    epitaxy
    circuits
    Opis:
    Recent and encouraging developments in Schotky and MOS gated Si/SiGe field effect transistors are surveyed. Circuit applications are now beginning to be investigated. The authors discuss some of this work and consider future prospects for the role of SiGe field effect devices in mobile communications.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 3-11
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Study of MBE Grown Undoped Si-Si$\text{}_{1-x}$Ge$\text{}_{x}$/Si Superlattices
    Autorzy:
    Gnezdilov, V. P.
    Mironov, M.
    Yshakov, V.
    Mironov, O. A.
    Phillips, P. J.
    Parker, E. H. C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952678.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.-j
    78.66.-w
    78.66.Db
    Opis:
    Raman spectroscopy and spectroscopic ellipsometry have been used to characterize Si/Si$\text{}_{0.78}$Ge$\text{}_{0.22}$ superlattices grown by molecular beam epitaxy on (001)Si at different substrate temperatures. The results are interpreted to give information on material and interface quality, layer thicknesses, and state of strain. The observed frequencies of zone-folded longitudinal acoustic phonons in a high quality sample agree well with those calculated using Rytov's theory of acoustic vibrations in layered media.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1045-1049
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Piezoelectric Effect in Coherently Strained B-Doped (001)SiGe/Si Heterostructures
    Autorzy:
    Knizhny, V. I.
    Mironov, O. A.
    Makarovskii, O. A.
    Braithwaite, G.
    Mattey, N. L.
    Parker, E. H. C.
    Phillips, P. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933806.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.50.Rb
    73.61.Cw
    73.50.Μx
    Opis:
    We report on two methods which illustrate piezoelectric effects in the strained Si (100)Si $\text{}_{1-x}$/Ge$\text{}_{x}$ system. The non-contact sound excitation technique has been used to reveal the conversion of a high-frequency electric field E into acoustic waves at 77 K which can also be modulated by a dc applied bias voltage (±30 V). The sample was an MBE grown modulation doped Si $\text{}_{0.88}$Ge$\text{}_{0.12}$/(001)Si structure with a carrier sheet density 2.0 × 10 $\text{}^{11}$ cm$\text{}^{-2}$ and a 4.2 K mobility 10500 cm$\text{}^{2}$ V$\text{}^{-1}$ s$\text{}^{-1}$. We deduce that the observed high-frequency electric field acoustic wave conversion is associated with a piezoelectric-like effect possibly due to ordering in the strained SiGe alloy or symmetry breaking effect near Si/SiGe interface. Further evidence is provided by the existence of a piezoelectric phonon interaction in the hot hole energy relaxation mechanism determined from high electric field Shubnikov de Haas He$\text{}^{3}$ low temperature measurements.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 779-782
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Study of Two-Dimensional Hole Gas at Si/SiGe/Si Inverted Interface
    Autorzy:
    Sadeghzadeh, M. A.
    Mironov, O. A.
    Emeleus, C. J.
    Parry, C. P.
    Phillips, P. J.
    Parker, E. H. C.
    Whall, T. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1992074.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.20.Fz
    Opis:
    We have studied the transport properties of a two-dimensional hole gas (2DHG) at the inverted interface of a strained Si$\text{}_{0.8}$Ge$\text{}_{0.2}$ quantum well. By application of a bias voltage to a Schottky gate on top of this inverted heterostructure the 2DHG density n$\text{}_{s}$ can be controlled, in the range of (1.5-5.2)×10$\text{}^{11}$ cm$\text{}^{-2}$. At a temperature T=0.33 K, the Hall mobility is 4650 cm$\text{}^{2}$ V$\text{}^{-1}$ s$\text{}^{-1}$ at the maximum carrier density. For lower sheet densities (n$\text{}_{s}$<2×10$\text{}^{11}$ cm$\text{}^{-2}$) the system undergoes a transition from a weak to strongly localised phase of significantly reduced mobility. From low temperature Shubnikov-de Haas oscillation measurements we have extracted the hole effective masses m*=(0.25 → 0.28)m$\text{}_{0}$ and the ratio of transport to quantum lifetimes α=(0.92 → 0.85) for the corresponding carrier density change of n$\text{}_{s}$=(5.2 → 2.5)×10$\text{}^{11}$ cm$\text{}^{-2}$. These results can be explained in terms of the abnormal movement of the hole wave function towards the interface with decreasing n$\text{}_{s}$, short range interface charge and interface roughness scattering.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 503-508
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    DC and low-frequency noise analysis for buried SiGe channel metamorphic PMOSFETs with high Ge content
    Autorzy:
    Durov, S.
    Mironov, O. A.
    Myronov, M.
    Whall, T. E.
    Parker, E. H. C.
    Hackbarth, T.
    Hoeck, G.
    Herzog, H. J.
    König, U.
    Känel von, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/958103.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    SiGe
    metamorphic MOSFET
    LF-noise
    I-V
    C-V
    effective hole mobility
    Opis:
    Measurements of current drive in p-Si1-xGex MOSFETs, with x = 0.7, 0.8 reveal an enhancement ratio of over 2 times as compared to a Si device at an effective channel length of 0.55 žm. They also show a lower knee voltage in the output I-V characteristics while retaining similar values of drain induced barrier lowering, subthreshold swing, and off current for devices with a Sb punch-through stopper. For the first time, we have quantitatively explained the low-frequency noise reduction in metamorphic, high Ge content, SiGe PMOSFETs compared to Si PMOSFETs.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 101-111
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Low frequency noise in Si and Si/SiGe/Si PMOSFETs
    Autorzy:
    Thomas, S. M.
    Prest, M. J.
    Fulgoni, D. J. F.
    Bacon, A. R.
    Grasby, T. J.
    Leadley, D. R.
    Parker, E. H. C.
    Whall, T. E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308779.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    electronic noise
    silicon-germanium heterostructures
    MOSFET
    dynamic threshold mode
    Opis:
    Measurements of 1/f noise in Si and Si0.64Ge0.36 PMOSFETs have been compared with theoretical models of carrier tunnelling into the oxide. Reduced noise is observed in the heterostructure device as compared to the Si control. We suggest that this is primarily associated with an energy dependent density of oxide trap states and a displacement of the Fermi level at the SiO2 interface in the heterostructure relative to Si. The present study also emphasizes the important role of transconductance enhancement in the dynamic threshold mode in lowering the input referred voltage noise.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 64-68
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies