Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Papagiannopoulos, I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Influence of geometrical effects on the wall corner temperature in buildings
Wpływ efektów geometrycznych na rozkład temperatury w narożnikach ścian budynków
Autorzy:
De Mey, G.
Więcek, B.
Papagiannopoulos, I.
Chatziathanasiou, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/154474.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
pomiary termowizyjne
modelowanie termiczne
przenikanie ciepła przez przegrody budowlane
thermographic measurements
thermal modeling
heat transfer in buildings
Opis:
Thermographic measurements on a wall of a building show clearly a decrease of temperature in the neighborhood of a corner. The same problem has been numerically modelled by taking thermal conduction inside the wall and convection on both sides into account. The modelling confirms the experimental measurements. A simple physical explanation is that a corner provides more "material" for thermal conduction than a flat wall so that the temperature at the inside is lower. The cooling surface outside is larger then inside the corner, which results in higher heat transfer. The opposite phenomenon is observed at the outside of a building. The paper is mainly devoted to camera operators making thermal insulation inspections frequently. In many practical cases the reports contain the wrong interpretation of the effect presented in this paper.
Pomiary termowizyjne wewnątrz pomieszczeń budynków zazwyczaj pokazują spadek wartości temperatury w okolicy narożników. Ten problem termiczny został zbadany na drodze modelowania transferu energii przy uwzględnieniu konwekcyjnego przejmowania ciepła po obu stronach przegrody. Wyniki modelowania potwierdziły wyniki eksperymentów. Spadek wartości temperatury w narożach budynków jest zawsze obecny i wynika z większej masy przegrody i innej powierzchni przejmowania ciepła po obu jej stronach, a co za tym idzie zwiększonej wymiany ciepła na zewnątrz przegrody. Jak wykazały symulacje i pomiary wartość temperatury w narożniku może obniżyć się nawet o 20% w porównaniu w temperaturą na ścianie. Należy podkreślić, że przy przepływie ciepła do wewnątrz budynku efekt ten skutkuje wzrostem wartości temperatury w narożniku. Praca została przedstawiona głównie dla praktyków, którzy stosują termowizję do badań stanu izolacji w budownictwie. Często zdarza się, że niektórzy operatorzy kamer termowizyjnych niewłaściwie interpretują spadek wartości temperatury w narożnikach. Ich wnioski sugerują brak izolacji w narożniku, co nie zawsze jest prawdą.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2011, R. 57, nr 10, 10; 1180-1182
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Termowizyjne badania spiralnych cewek scalonych w technologiach krzemowych
Thermal measurements of silicon integrated spiral inductors
Autorzy:
Kałuża, M.
Więcek, B.
Hatzopoulos, A.
Chatziathanasiou, V.
Papagiannopoulos, I.
De May, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/157639.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
spiralne cewki scalone
modelowanie
badania termowizyjne
thermographic measurements
spiral inductors
modeling
Opis:
Spiralne cewki scalone stanowią szczególny przypadek połączenia wewnątrzukładowego w układach scalonych. Pozwalają na bezpośrednią integrację indukcyjności w strukturach półprzewodnikowych, w standardowych technologiach CMOS/BiCMOS, bez konieczności wykonywania dodatkowych procesów technologicznych, dodatkowych fotomasek, a tym samym, bez zwiększania kosztów produkcji. W niniejszym artykule przedstawiono wyniki badań termowizyjnych spiralnych pojedynczej spiralnej cewki scalonej w technologii krzemowej i ich porównanie z wynikami symulacji.
Spiral inductors are a special case of on-chip interconnects used in integrated circuits. They enable direct integration of inductances in semiconductor structures, in standard CMOS/BiCMOS technologies, without the need of additional technological processes, additional photomasks, thus without increase in ICs production costs. Because of their relatively large sizes compared to other elements integrated on a semiconductor wafer, spiral inductors can became a source of nonnegligible interferences for neighboring circuits located on the same semiconductor structure. According to the Joule-Lenz law, a current flowing through a metal produces heat. A spiral inductor is a metal interconnect conveying current, thus one can expect that the current flowing through the spiral will heat it, changing its series resistance and changing one of the inductor key design parameters - its quality factor Q. The neighboring circuits can also be affected. So far there have hardly been any publications dealing with that subject. The goal of the research was to investigate the thermal behavior of silicon integrated spiral inductors under current stress. In the introduction, an overview of spiral inductors is presented, including their typical geometries, dimensions and applications. The second section of the paper discusses the problems of silicon integrated spiral inductor model-ing. Next, in the third section there are given the results of temperature measurements of one of the spiral inductors integrated in test circuits. A MWIR camera with a cooled InSb 640x512 pixel detector matrix was used. The measurements are compared with simulation results. The fourth section presents the conclusions drawn from the measurement results. The measurement setup used allowed the imaging of a single spiral inductor, while only a general view of the test circuit was obtained form the previous results, without the possibility to discern a single, individual spiral inductor. It is shown that there is a good agreement between the simulations and measurements. Further investigations will be required to overcome the problems encountered during the measurements, such as influence of the on-wafer probes, the order of magnitude emissivity difference between the silicon substrate and aluminum interconnects. More complicated spiral geometries will have to be investigated, especially micromachined spiral inductors, in which the inductor is suspended, and typically connected to the rest of the integrated circuit only with 4 narrow SiO2 made bridges.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2009, R. 55, nr 11, 11; 954-957
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies