Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Pakula, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-19 z 19
    Tytuł:
    Choroby grzbietu u koni - diagnostyka i najważniejsze jednostki chorobowe
    Back disorders in horses - diagnostics and most important disease entities
    Autorzy:
    Pakula, P.
    Szklarz, M.
    Skalec, A.
    Janeczek, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/861159.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Krajowa Izba Lekarsko-Weterynaryjna
    Tematy:
    konie
    objawy chorobowe
    bole grzbietu
    diagnostyka
    badanie kliniczne
    badania radiologiczne
    badania ortopedyczne
    ultrasonografia
    termografia
    choroba Baastrupa
    zlamanie wyrostkow kolczystych klebu
    uszkodzenie wiezadla nadkolcowego
    spondyloza
    zwyrodnienie stawow miedzykregowych
    miopatie powysilkowe
    miopatie na tle spichrzania weglowodanow
    miesniochwat porazenny
    leczenie
    Źródło:
    Życie Weterynaryjne; 2018, 93, 09
    0137-6810
    Pojawia się w:
    Życie Weterynaryjne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Owrzodzenie rogówki u koni - aktualne spojrzenie na leczenie
    Current treatment methods of equine ulcerative keratitis
    Autorzy:
    Pakula, P.
    Szklarz, M.
    Slowikowska, M.
    Janeczek, M.
    Niedzwiedz, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/862083.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Krajowa Izba Lekarsko-Weterynaryjna
    Tematy:
    okulistyka weterynaryjna
    konie
    owrzodzenia rogowki
    etiopatogeneza
    objawy chorobowe
    diagnostyka
    leczenie
    leczenie chirurgiczne
    Źródło:
    Życie Weterynaryjne; 2017, 92, 12
    0137-6810
    Pojawia się w:
    Życie Weterynaryjne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ochrona prawna nowej metody badawczej wynalezionej przez pracownika
    Autorzy:
    Pakuła-Gawarecka, P
    Stolarski, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/273627.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Roble
    Tematy:
    metoda badawcza
    ochrona patentowa
    własność intelektualna
    prawo autorskie
    tajemnica przedsiębiorstwa
    research method
    patent protection
    intellectual property
    copyright law
    trade secret
    Źródło:
    LAB Laboratoria, Aparatura, Badania; 2014, 19, 5; 36-40
    1427-5619
    Pojawia się w:
    LAB Laboratoria, Aparatura, Badania
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Odpowiedzialność pracownika laboratorium
    Autorzy:
    Pakuła-Gawarecka, P
    Stolarski, K
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/273793.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Roble
    Tematy:
    odpowiedzialność zawodowa
    odpowiedzialność materialna
    błąd pracownika
    professional liability
    material liability
    professional mistake
    Źródło:
    LAB Laboratoria, Aparatura, Badania; 2014, 19, 4; 39-42
    1427-5619
    Pojawia się w:
    LAB Laboratoria, Aparatura, Badania
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Klasyfikacja środków bojowych
    Ammunition condition codes
    Autorzy:
    Figurski, J.
    Fonrobert, P.
    Ignaciuk, A
    Pakuła, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/235265.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Wojskowy Instytut Techniczny Uzbrojenia
    Tematy:
    środki bojowe
    klasyfikacja
    zasoby
    jakość
    ammunition
    classification
    stocks
    quality
    Opis:
    Autorzy artykułu przedstawiają oraz analizują systemy kategoryzacji środków bojowych na przykładzie zasad obowiązujących SZ Polski i US. Celem kategoryzacji środków bojowych jest przede wszystkim umożliwienie organom odpowiedzialnym za bezpieczeństwo gospodarowania środkami bojowymi rozróżniania w maksymalnym stopniu podzbiorów jakościowych środków bojowych. Artykuł jest także głosem w dyskusji nad projektowanymi zmianami przepisów obowiązujących w przedmiotowym obszarze w Siłach Zbrojnych RP.
    In this paper the authors present and compare systems of ammunition classification, specific for American Army and Polish Armed Forces. The aim of such systems is to enable the distinction between qualitative subsets of ammunition. This paper is also an input to the ongoing discussion on prospective changes of binding regulations concerning the aforementioned area.
    Źródło:
    Problemy Techniki Uzbrojenia; 2013, 42, 127; 17-27
    1230-3801
    Pojawia się w:
    Problemy Techniki Uzbrojenia
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Accuracy analysis of a wireless indoor positioning system using geodetic methods
    Autorzy:
    Wagner, P.
    Woźniak, M.
    Odziemczyk, W.
    Pakuła, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/106721.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Warszawska. Wydział Geodezji i Kartografii
    Tematy:
    Ubisense
    Real Time Location System
    RTLS
    indoor positioning
    system lokalizacji czasu rzeczywistego
    lokalizacja obiektu
    pozycjonowanie obiektu
    Opis:
    Ubisense RTLS is one of the Indoor positioning systems using an Ultra Wide Band. AOA and TDOA methods are used as a principle of positioning. The accuracy of positioning depends primarily on the accuracy of determined angles and distance differences. The paper presents the results of accuracy research which includes a theoretical accuracy prediction and a practical test. Theoretical accuracy was calculated for two variants of system components geometry, assuming the parameters declared by the system manufacturer. Total station measurements were taken as a reference during the practical test. The results of the analysis are presented in a graphical form. A sample implementation (MagMaster) developed by Globema is presented in the final part of the paper.
    Źródło:
    Reports on Geodesy and Geoinformatics; 2017, 104; 1-19
    2391-8365
    2391-8152
    Pojawia się w:
    Reports on Geodesy and Geoinformatics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    An Estimate of the Energy Gap of InN from Measurements of the Fundamental Absorption Edge
    Autorzy:
    Trautman, P.
    Pakuła, K.
    Witowski, A. M.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2044548.pdf
    Data publikacji:
    2005-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ey
    78.40.Fy
    78.30.Fs
    78.66.Fd
    81.05.Ea
    Opis:
    Optical absorption between 0.4 and 4.5 eV of an InN layer grown by metalorganic vapour phase epitaxy on sapphire was measured at 296 and 12 K. The layer was also characterized by measurements of the Hall effect and of infrared reflectivity in the region of the plasma edge, which determined the concentration, mobility, and effective mass of electrons in the conduction band. The energy gap of InN was estimated to be equal to 0.9±0.2 eV. It was obtained from the spectral position of the fundamental absorption edge. Corrections to the energy gap resulting from the broadening of the fundamental absorption edge, from the Burstein-Moss shift, and from a band-gap shrinkage due to the impurity potential were included.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 903-908
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Multiband GaN/AlGaN UV Photodetector
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Drabińska, A.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2046918.pdf
    Data publikacji:
    2006-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.40.+w
    73.61.Ey
    73.40.Kp
    Opis:
    We present optical and electrical measurements made on GaN/AlGaN photodetector structure capable to detect three UV ranges, tuned by external voltage. The highest band at energy of about 3.85 eV is nearly independent of bias applied to the Schottky contact. Photosensitivity of the second band at about 3.65 eV changes strongly with the bias. Signal in this range increases about 20 times when the bias changes from 0 V to -4 V. Photosensitivity of the third band (3.4 eV) appears for strong reverse bias (-3 V). Characteristics of the detector are in qualitative agreement with numerical model, however deep centers present in the AlGaN layers cause quantitative discrepancies. The concentration of defects of the order of 10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-3}$ was estimated from current transients.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 211-217
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep Level Transient Spectroscopic Studies of MOCVD GaN Layers Grown on Sapphire
    Autorzy:
    Śliwiński, A. A.
    Korona, K. P.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952204.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    73.61.Ey
    Opis:
    The deep level transient spectroscopy of GaN heteroepitaxial layers grown on sapphire was studied. The samples were Mg doped during the growth. The as-grown material is n-type. It becomes p-type after annealing. The samples were measured in the temperature range from 77 K to 420 K. In n-type GaN, one peak (EG1) with activation energy 0.75 eV was detected. In p-type, at least three peaks were observed: AS1 at temperature about 300 K and AS2, AS3 at about 400 K. The dominating one is AS3. It has an activation energy about 1.1 eV.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 955-958
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Luminescence Dynamics of Exciton Replicas in Homoepitaxial GaN Layers
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Baranowski, J. M.
    Pakuła, K.
    Monemar, B.
    Bergman, J. P.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968240.pdf
    Data publikacji:
    1997-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.35.-y
    78.47.+p
    78.55.Cr
    Opis:
    Photoluminescence of excitons and their phonon replicas in homoepitaxial MOCVD-grown gallium nitride (GaN) layers have been studied by picosecond (ps) time-resolved photoluminescence spectroscopy. The time-resolved photoluminescence spectroscopy has shown that the free excitons and their replicas have the fastest dynamics (decay time of about 100 ps). Then, the excitons-bound-to-donors emission rises (with the rise time similar to the free excitons decay time) and decays with t=300 ps. The excitons-bound-to-acceptors has the slowest decay (about 500 ps). It has been found that the ratio of excitons-bound-to-acceptors and excitons-bound-to-donors amplitudes and their decay times are different for 1-LO replicas and then for zero-phonon lines, whereas the ratio of amplitudes and the decay time of the 2-LO replicas are similar to the ones of the zero-phonon lines.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 841-844
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Light Induced Modification of Graphene Oxide Layers on GaN Basis
    Autorzy:
    Łopion, A.
    Stobiński, L.
    Pakuła, K.
    Bożek, R.
    Kaźmierczak, P.
    Wysmołek, A.
    Stępniewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1185429.pdf
    Data publikacji:
    2016-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.22.-f
    78.55.-m
    78.30.-j
    07.05.Kf
    Opis:
    Graphene oxide suspension in various solvents was spin coated on metal organic vapor phase epitaxy grown GaN/saphire layers. Samples were characterised using the Raman spectroscopy and atomic force microscopy, before and after high temperature treatment. We found that graphene oxide was modifed by high temperature treatment, however a considerable modification was also observed as a result of impinged laser light incident due to the measurements. The Raman spectra were decomposed into two contributions showing different behaviour during the Raman scattering measurements.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1169-1171
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Tuning of Spectral Sensitivity of AlGaN/GaN UV Detector
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Drabińska, A.
    Trajnerowicz, A.
    Bożek, R.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036867.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Kp
    73.50.Pz
    78.40.Fy
    Opis:
    GaN/AlGaN photodetector that exhibits new interesting property is presented. Its spectral sensitivity depends upon bias voltage. Under positive or low negative bias the detector is sensitive mainly to the ultrafiolet radiation absorbed by AlGaN layer 3.7-3.8 eV. Under negative bias U$\text{}_{B}$ below -4 V, the detector is sensitive mainly to the radiation absorbed by GaN (3.4-3.6 eV). The effect can be explained based on numerical calculations of the electric field and potential profiles of this structure. The damping of GaN signal is attributed to activity of 2D electron gas formed on the GaN/AlGaN interface by spontaneous polarization. The reappearing of the signal is attributed to tunneling of holes through AlGaN, stimulated by a high electric field.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 675-681
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Coupling of LO Phonons to Excitons in GaN
    Autorzy:
    Wysmołek, A.
    Łomiak, P.
    Baranowski, J. M.
    Pakuła, K.
    Stępniewski, R.
    Korona, K. P.
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952430.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    63.20.Mt
    71.55.Eq
    Opis:
    The photoluminescence of homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers is reported. It is shown that the coupling between LO phonons and neutral acceptor bound excitons is much stronger than the coupling between LO phonons and neutral donor bound excitons. In undoped homoepitaxial layer, in spite of that the no-phonon emission due to donor bound excitons is one order of magnitude stronger than the acceptor bound excitons emission, the predominant structure in the LO phonon replica of the excitonic spectrum is related to optical transitions involving acceptor bound excitons. Temperature studies showed that at higher temperature the LO phonon replica is related to free excitons.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 981-984
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spatially Resolved Micro-Luminescence from GaN/AlGaN Quantum Dots
    Autorzy:
    Chwalisz, B.
    Wysmołek, A.
    Bożek, R.
    Stępniewski, R.
    Pakuła, K.
    Kossacki, P.
    Golnik, A.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2038084.pdf
    Data publikacji:
    2004-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.66.Fd
    78.67.Hc
    75.75.+a
    68.65.Hb
    Opis:
    We report on the optical experiments performed on low density GaN/AlGaN quantum dots grown on sapphire substrate using SiN during the growth process. The existence of quantum dots in the investigated structures was confirmed by atomic force microscopy. Although macro-luminescence of the investigated structures consist of broad emission lines the micro-photoluminescence experiments performed with the spatial resolution of 0.25 μm revealed sharp emission lines from the individual quantum dot in the energy range of 3.20-3.55 eV. It is shown that the magnetic fields up to 7 T do not influence significantly the electronic states of the dots.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 517-521
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Potential and Carrier Distribution in AlGaN Superlattice
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Pakuła, K.
    Bożek, R.
    Drabińska, A.
    Surowiecka, K.
    Stępniewski, R.
    Zielińska-Rohozińska, E.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2043725.pdf
    Data publikacji:
    2005-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.40.+w
    73.61.Ey
    73.21.Cd
    Opis:
    Photocurrent spectroscopy and Kelvin force microscopy have been used in order to determine charge, field, and potential distributions in spontaneously grown superlattice. The spectra show that light can generate currents and potentials in both directions depending on photon energy. A numerical model made for superlattice of periodλ$\text{}_{SL}$ = 33 nm shows that electric field in superlattice oscillates coherently with Al content. The oscillations of electric field explain the different directions of photocurrent. The electric field can also separate electrons and holes, making carrier lifetimes longer and lowering excitation intensity threshold for occupation inversion.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 723-729
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Localization Effects in GaN/AlGaN Quantum Well - Photoluminescence Studies
    Autorzy:
    Chwalisz, B.
    Wysmołek, A.
    Bożek, R.
    Korona, K. P.
    Stępniewski, R.
    Knap, W.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J. M.
    Grandjean, N.
    Massies, J.
    Prystawko, P.
    Grzegory, I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036024.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    73.20.-r
    73.21.-b
    74.40.+k
    Opis:
    Exciton localization in GaN/AlGaN quantum well structures is studied by photoluminescence. An anomalous temperature behavior of the photoluminescence from the quantum well is observed. With increasing temperature the energy position of the excitonic emission line first decreases up to 20 K, then increases, reaching a maximum around 90 K, and then decreases again in the higher temperature range. The observed behavior is discussed in terms of localization at the interface potential fluctuations. It is argued that the temperature activated migration and subsequent release of the excitons from traps that occurs between 20 K and 90 K are responsible for the observed S-like shape of the energy dependence. The obtained results allow a direct characterization of the energy fluctuations present in GaN/AlGaN quantum wells grown by different techniques.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 573-578
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical and Electrical Studies of Graphene Deposited on GaN Nanowires
    Autorzy:
    Kierdaszuk, J.
    Kaźmierczak, P.
    Drabińska, A.
    Wysmołek, A.
    Korona, K.
    Kamińska, M.
    Pakuła, K.
    Pasternak, I.
    Krajewska, A.
    Żytkiewicz, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1195433.pdf
    Data publikacji:
    2014-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.ue
    72.10.Fk
    78.67.Wj
    72.80.Vp
    Opis:
    In this paper using scanning electron microscope, contactless microwave electronic transport and the Raman spectroscopy we studied the properties of graphene deposited on GaN nanowires and compared it with the graphene deposited on GaN epilayer. The Raman micro-mapping showed that nanowires locally change the strain and the concentration of carriers in graphene. Additionally we observed that nanowires increase the intensity of the Raman spectra by more than one order of magnitude.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1087-1089
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High Resistivity GaN Single Crystalline Substrates
    Autorzy:
    Porowski, S.
    Boćkowski, M.
    Łucznik, B.
    Grzegory, I.
    Wróblewski, M.
    Teisseyre, H.
    Leszczyński, M.
    Litwin-Staszewska, E.
    Suski, T.
    Trautman, P.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968415.pdf
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    72.80.Ey
    Opis:
    High resistivity 10$\text{}^{4}$-10$\text{}^{6}$ Ω cm (300 K) GaN single crystals were obtained by solution growth under high N$\text{}_{2}$ pressure from melted Ga with 0.1-0.5at.% of Mg. Properties of these crystals are compared with properties of conductive crystals grown by a similar method from pure Ga melt. In particular, it is shown that Mg-doped GaN crystals have better structural quality in terms of FWHM of X-ray rocking curve and low angle boundaries. Temperature dependence of electrical resistivity suggests hopping mechanism of conductivity. It is also shown that strain free GaN homoepitaxial layers can be grown on the Mg-doped GaN substrates.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 958-962
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Próba oceny liczebności lerki Lullula arborea w ostoi Natura 2000 Puszcza Notecka w roku 2010
    An attempt was made to assess the number of Woodlark Lullula arborea in the Puszcza Notecka Special Protection Area (SPA) in 2010
    Autorzy:
    Mizera, T.
    Kujawa, D.
    Cierplikowska, K.
    Krajewska, A.
    Kraskiewicz, A.
    Takacs, W.
    Bielewicz, M.
    Chudzicki, M.
    Cierplikowski, D.
    Cykowiak, Z.
    Dabrowski, G.
    Gielda-Pinas, K.
    Grzegorzek, M.
    Pakula, M.
    Pikula, A.
    Sznajder, T.
    Wasik, A.
    Wieckowski, J.
    Skorka, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/881447.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Leśny Zakład Doświadczalny. Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej w Rogowie
    Tematy:
    ptaki
    lerka
    Lullula arborea
    liczebnosc
    obszary specjalnej ochrony ptakow
    Puszcza Notecka
    Źródło:
    Studia i Materiały Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej; 2011, 13, 2[27]
    1509-1414
    Pojawia się w:
    Studia i Materiały Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-19 z 19

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies