Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Pakuła, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 46
Tytuł:
Clinical evaluation of albendazole in the therapy of human trichinellosis
Ocena kliniczna albendazolu w leczeniu włośnicy człowieka
Autorzy:
Kocięcka, W.
Stefaniak, J.
Kacprzak, E.
Pakuła, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2152494.pdf
Data publikacji:
1989
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Opis:
Albendazol (Smith Kline, French) zastosowano u 25 chorych na włośnicę. Lek podawano w tabletkach à 200 mg 2 razy po 2 tabletki (800 mg w ciągu doby) przez 6 dni. U 15 chorych (grupa A) z lekkim, poronnym lub bezobjawowym przebiegiem włośnicy stosowano wyłącznie albendazol, natomiast u 10 chorych (grupa B) przeważnie ze średnio ciężkim przebiegiem włośnicy albendazol stosowano łącznie z prednisolonem (w ogólnej dawce od 105 do 240 mg na kurację). U 2 chorych zastosowanie albendazolu w 6 i 7 dniu od zarażenia zapobiegło wystąpieniu objawów chorobowych. U wszystkich chorych (z wyjątkiem 2 osób z grupy A) stwierdzono ustępowanie objawów chorobowych w podobnym czasie, tj. między 3-9 dniem od rozpoczęcia leczenia. Obserwowano wzrost liczby leukocytów i granulocytów kwasochłonnych we krwi obwodowej u 19 chorych w trakcie leczenia albendazolem i u 22 chorych po zakończeniu kuracji. Objawów niepożądanych w przebiegu leczenia nie zanotowano. Skuteczność albendazolu wykazano ogółem u 92% chorych z różnym przebiegiem klinicznym włośnicy. Wstępne badania kliniczne wskazują, że albendazol (Smith Kline, French) jest wartościowym anthelmintykiem i może być zalecany w leczeniu włośnicy.
Źródło:
Wiadomości Parazytologiczne; 1989, 35, 5 Spec.Number; 457-466
0043-5163
Pojawia się w:
Wiadomości Parazytologiczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Kryteria kliniczne i ocena obrazu oraz przebiegu toksoplazmozy węzłowej
Clinical criteria and evaluation of lymphonodular toxoplasmosis
Autorzy:
Kocięcka, W.
Mrozewicz, B.
Simon, E.
Pakuła, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2152410.pdf
Data publikacji:
1990
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Tematy:
parazytologia
choroby pasozytnicze
toksoplazmoza
toksoplazmoza wezlowa
przebieg choroby
objawy chorobowe
obraz kliniczny
postac kliniczna
ocena kliniczna
kryteria diagnostyczne
diagnostyka serologiczna
diagnostyka immunologiczna
wezly chlonne
biopsja wezlow chlonnych
zmiany patomorfologiczne
nawroty choroby
Opis:
We aimed at analysis of the clinical pattern and the course of lymphonodular toxoplasmosis taking into account the intensity and duration of the illness. Ninety seven patients (69 adults and 28 children) with lymphonodular toxoplasmosis were examined. Toxoplasmosis was diagnosed by indirect immunofluorescence; the titres of antibodies of IgG and IgM classes were also estimated. Depending on the duration of the illness, three periods: early, regression of symptoms and protraction of symptoms were defined; depending on the intensity of signs and symptoms of toxoplasmosis three courses of the disease: acute, subacute and chronic were defined. The analysis showed that clinical picture of lymphonodular toxoplasmosis was characterized by swelling of various peripheral lymph nodes as well as by general clinical symptoms (88 ,7% of cases) the intensity and duration of which, to a large extent, determined course of the illness. No correlation between clinical course and duration (early and regression period) of lymphonodular toxoplasmosis and titres IFA-IgG and IFA-IgM (before therapy) was found. Pathomorphology of lymph nodes in patients with toxoplasmic lymphadenopathy is a valuable complementary examination which renders it possible to determine the period of the disease.
Źródło:
Wiadomości Parazytologiczne; 1990, 36, 4; 99-119
0043-5163
Pojawia się w:
Wiadomości Parazytologiczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Kryteria kliniczne i ocena obrazu oraz przebiegu toksoplazmozy węzłowej
Clinical criteria and evaluation of lymphonodular toxoplasmosis
Autorzy:
Kociecka, W.
Mrozewicz, B.
Simon, E.
Pakula, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/839954.pdf
Data publikacji:
1990
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Tematy:
parazytologia
choroby pasozytnicze
toksoplazmoza
toksoplazmoza wezlowa
przebieg choroby
objawy chorobowe
obraz kliniczny
postac kliniczna
ocena kliniczna
kryteria diagnostyczne
diagnostyka serologiczna
diagnostyka immunologiczna
wezly chlonne
biopsja wezlow chlonnych
zmiany patomorfologiczne
nawroty choroby
Opis:
We aimed at analysis of the clinical pattern and the course of lymphonodular toxoplasmosis taking into account the intensity and duration of the illness. Ninety seven patients (69 adults and 28 children) with lymphonodular toxoplasmosis were examined. Toxoplasmosis was diagnosed by indirect immunofluorescence; the titres of antibodies of IgG and IgM classes were also estimated. Depending on the duration of the illness, three periods: early, regression of symptoms and protraction of symptoms were defined; depending on the intensity of signs and symptoms of toxoplasmosis three courses of the disease: acute, subacute and chronic were defined. The analysis showed that clinical picture of lymphonodular toxoplasmosis was characterized by swelling of various peripheral lymph nodes as well as by general clinical symptoms (88 ,7% of cases) the intensity and duration of which, to a large extent, determined course of the illness. No correlation between clinical course and duration (early and regression period) of lymphonodular toxoplasmosis and titres IFA-IgG and IFA-IgM (before therapy) was found. Pathomorphology of lymph nodes in patients with toxoplasmic lymphadenopathy is a valuable complementary examination which renders it possible to determine the period of the disease.
Źródło:
Annals of Parasitology; 1990, 36, 4
0043-5163
Pojawia się w:
Annals of Parasitology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
s,p-d Exchange Constants of CdFeSe Semimagnetic Semiconductor
Autorzy:
Arciszewska, M.
Pakuła, K.
Perez, I.
Twardowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1886791.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
71.70.Gm
71.35.+z
Opis:
We report determination of s, p-d exchange constants for hexagonal CdFeSe combining exciton splitting and magnetization measurements performed on the same samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 345-348
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Growth of GaN Metalorganic Chemical Vapour Deposition Layers on GaN Single Crystals
Autorzy:
Pakula, K.
Baranowski, J. M.
Stępniewski, R.
Wysmołek, A.
Grzegory, I.
Jun, J.
Porowski, S.
Sawicki, M.
Starowieyski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933937.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.55.Cr
Opis:
The homoepitaxial growth of GaN layers has been achieved for the first time. Bulk GaN single crystals which have been used as a substrate have been grown from diluted solution of atomic nitrogen in the liquid gallium at 1600°C and at nitrogen pressure of about 15-20 kbar. It is shown that a terrace growth of GaN epitaxial layer has been realized. The high quality of the GaN film has been confirmed by luminescence measurements. The analysis of donor-acceptor and exciton luminescence is presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 861-864
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Coupling of LO Phonons to Excitons in GaN
Autorzy:
Wysmołek, A.
Łomiak, P.
Baranowski, J. M.
Pakuła, K.
Stępniewski, R.
Korona, K. P.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952430.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
63.20.Mt
71.55.Eq
Opis:
The photoluminescence of homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers is reported. It is shown that the coupling between LO phonons and neutral acceptor bound excitons is much stronger than the coupling between LO phonons and neutral donor bound excitons. In undoped homoepitaxial layer, in spite of that the no-phonon emission due to donor bound excitons is one order of magnitude stronger than the acceptor bound excitons emission, the predominant structure in the LO phonon replica of the excitonic spectrum is related to optical transitions involving acceptor bound excitons. Temperature studies showed that at higher temperature the LO phonon replica is related to free excitons.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 981-984
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deep Level Transient Spectroscopic Studies of MOCVD GaN Layers Grown on Sapphire
Autorzy:
Śliwiński, A. A.
Korona, K. P.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952204.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
73.61.Ey
Opis:
The deep level transient spectroscopy of GaN heteroepitaxial layers grown on sapphire was studied. The samples were Mg doped during the growth. The as-grown material is n-type. It becomes p-type after annealing. The samples were measured in the temperature range from 77 K to 420 K. In n-type GaN, one peak (EG1) with activation energy 0.75 eV was detected. In p-type, at least three peaks were observed: AS1 at temperature about 300 K and AS2, AS3 at about 400 K. The dominating one is AS3. It has an activation energy about 1.1 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 955-958
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Expansion of GaN Bulk Crystals and Homoepitaxial Layers
Autorzy:
Leszczyński, M.
Teisseyre, H.
Suski, T.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Jun, J.
Pałosz, B.
Porowski, S.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Barski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952040.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ji
61.72.Vv
Opis:
Thermal expansion of gallium nitride was measured using high resolution X-ray diffraction. The following samples were examined: (i) single monocrystals grown at pressure of about 15 kbar, (ii) homoepitaxial layers. The main factor influencing both, the lattice parameters and the thermal expansion coefficient, are free electrons related to the nitrogen vacancies. The origin of an increase in the lattice constants by free electrons is discussed in terms of the deformation potential of the conduction-band minimum. An increase of the thermal expansion by free electrons is explained by a decrease of elastic constants.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 887-890
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical and ESR Studies of GaN Layers Grown by Metal Organic Chemical Vapour Deposition
Autorzy:
Suchanek, B.
Palczewska, M.
Pakuła, K.
Baranowski, J.
Kamińska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968425.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.Ey
73.61.Ey
Opis:
Electrical transport and ESR studies were performed on the state-of-theart GaN layers grown on sapphire substrate using metal organic chemical vapour deposition technique. For undoped samples electron concentration below 2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-1}$ and mobility up to 500 cm$\text{}^{2}$/(V s) were achieved whereas hole concentration up to 7×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$ and mobility about 16 cm$\text{}^{2}$/(V s) were obtained for intentionally Mg doped samples and subsequently annealed. Temperature dependence of mobility was discussed. ESR revealed the presence of two resonance absorption lines. One of them with g$\text{}_{⊥}$=1.9487 and g$\text{}_{∥}$=1.9515, commonly observed in n-type GaN was due to shallow donor. The second ESR line was an isotropic one of g=2.0032 and it is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1001-1004
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Resistivity GaN Single Crystalline Substrates
Autorzy:
Porowski, S.
Boćkowski, M.
Łucznik, B.
Grzegory, I.
Wróblewski, M.
Teisseyre, H.
Leszczyński, M.
Litwin-Staszewska, E.
Suski, T.
Trautman, P.
Pakuła, K.
Baranowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968415.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:
High resistivity 10$\text{}^{4}$-10$\text{}^{6}$ Ω cm (300 K) GaN single crystals were obtained by solution growth under high N$\text{}_{2}$ pressure from melted Ga with 0.1-0.5at.% of Mg. Properties of these crystals are compared with properties of conductive crystals grown by a similar method from pure Ga melt. In particular, it is shown that Mg-doped GaN crystals have better structural quality in terms of FWHM of X-ray rocking curve and low angle boundaries. Temperature dependence of electrical resistivity suggests hopping mechanism of conductivity. It is also shown that strain free GaN homoepitaxial layers can be grown on the Mg-doped GaN substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 958-962
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Luminescence Dynamics of Exciton Replicas in Homoepitaxial GaN Layers
Autorzy:
Korona, K. P.
Baranowski, J. M.
Pakuła, K.
Monemar, B.
Bergman, J. P.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968240.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.-y
78.47.+p
78.55.Cr
Opis:
Photoluminescence of excitons and their phonon replicas in homoepitaxial MOCVD-grown gallium nitride (GaN) layers have been studied by picosecond (ps) time-resolved photoluminescence spectroscopy. The time-resolved photoluminescence spectroscopy has shown that the free excitons and their replicas have the fastest dynamics (decay time of about 100 ps). Then, the excitons-bound-to-donors emission rises (with the rise time similar to the free excitons decay time) and decays with t=300 ps. The excitons-bound-to-acceptors has the slowest decay (about 500 ps). It has been found that the ratio of excitons-bound-to-acceptors and excitons-bound-to-donors amplitudes and their decay times are different for 1-LO replicas and then for zero-phonon lines, whereas the ratio of amplitudes and the decay time of the 2-LO replicas are similar to the ones of the zero-phonon lines.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 841-844
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and Electrical Properties of High Temperature Annealed Heteroepitaxial GaN:Mg Layers
Autorzy:
Wojdak, M.
Baranowski, J. M.
Suchanek, B.
Pakuła, K.
Jun, J.
Suski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968449.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
73.61.Ey
78.55.Cr
Opis:
In this paper we present for the first time luminescence and electrical measurements of GaN:Mg heteroepitaxial layers annealed at very high temperatures up to 1500°C and at high pressures of nitrogen up to 16 kbar. The presence of high nitrogen pressure prevents GaN from thermal decomposition. It was found that annealing in the presence of additional Mg atmosphere leads to a high quality p-type epitaxial layer of the hole concentration equal to 2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$ and mobility 16 cm$\text{}^{2}$/(V s). However, annealing at high temperatures without additional magnesium causes conversion to n-type. It is also shown that in the high temperature annealed GaN:Mg epilayers the donor-acceptor luminescence is the dominant recombination channel.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1059-1062
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Two-Electron Transition in Homoepitaxial GaN Layers
Autorzy:
Fiorek, A.
Baranowski, J. M.
Wysmołek, A.
Pakuła, K.
Wojdak, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968067.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.55.Cr
Opis:
It is shown that the luminescence mapping is a powerful method to help identify optical transitions. Two-electron transition was identified in the homoepitaxial GaN layer by this technique. It was found that the donor and acceptor bound exciton emissions are spatially displaced and show intensity maxima at different places of the epitaxial layer. It was also found that the 3.45 eV line, suspected as "two-electron transition", follows exactly the donor bound exciton spatial distribution. Donor bound exciton recombines leaving the neutral donor in the excited 2s state. Thus, 1s-2s excitation being equal to 22 meV corresponds to 29 meV hydrogenic donor binding energy. This is the first identification of the two-electron transition in GaN.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 742-744
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The wide band ultrasonic spectroscopy in studying bones and porous implants
Autorzy:
Kubik, J.
Kaczmarek, M.
Pakuła, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/280297.pdf
Data publikacji:
1999
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Mechaniki Teoretycznej i Stosowanej
Tematy:
saturated porous bones
implants
ultrasonic waves
phase velocity
attenuation
Opis:
In the paper the method of wide band ultrasonic spectroscopy is applied to determination of the wave velocity and attenuation in a trabecular bovine bone and materials of bone implants. The theory of wave propagation in two-phase fluid saturated porous dissipative media, given by Biot (1956), is used in analysis of wave parameters in bone, instead of the usually applied theory of single-phase media. The analysis of attenuation coefficients and phase velocities of dilatational waves propagating in bovine bones and implants within the frequency range from 0.2 to 1.2 MHz has indicated remarkable influence of the internal structure of the materials on waves parameters. Potential directions of further exploatations of the results are considered.
W pracy przedstawiono zastosowanie metody szerokopasmwej spektroskopii ultradźwiękowej do określenia prędkości i tłumienia fal w wołowej kości gąbczastej i ceramicznych materiałach biozastępczych. Do analizy parametrów propagacji fal, wykorzystano model Biota (1956) dwufazowego ośrodka porowatego nasyconego płynem z uwzględnieniem efektów dysypatywnych w odróżnieniu od zwykle stosowanych dla takich materiałów modeli ośrodków jednofazowych. Otrzymane wyniki dla współczynników tłumienia i prędkości fazowych fal podłużnych w badanych kościach i implantach, w zakresie częstotliwości od 0.2 do 1.2 MHz, wskazują na znaczący wpływ struktury wewnętrznej materiałów na parametry propagacji fal. Rozważono możliwość wykorzystania otrzymanych wyników do oceny mikrostruktury porowatego materiału.
Źródło:
Journal of Theoretical and Applied Mechanics; 1999, 3; 579-591
1429-2955
Pojawia się w:
Journal of Theoretical and Applied Mechanics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Localization Effects in GaN/AlGaN Quantum Well - Photoluminescence Studies
Autorzy:
Chwalisz, B.
Wysmołek, A.
Bożek, R.
Korona, K. P.
Stępniewski, R.
Knap, W.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Grandjean, N.
Massies, J.
Prystawko, P.
Grzegory, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036024.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.20.-r
73.21.-b
74.40.+k
Opis:
Exciton localization in GaN/AlGaN quantum well structures is studied by photoluminescence. An anomalous temperature behavior of the photoluminescence from the quantum well is observed. With increasing temperature the energy position of the excitonic emission line first decreases up to 20 K, then increases, reaching a maximum around 90 K, and then decreases again in the higher temperature range. The observed behavior is discussed in terms of localization at the interface potential fluctuations. It is argued that the temperature activated migration and subsequent release of the excitons from traps that occurs between 20 K and 90 K are responsible for the observed S-like shape of the energy dependence. The obtained results allow a direct characterization of the energy fluctuations present in GaN/AlGaN quantum wells grown by different techniques.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 573-578
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 46

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies