Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Płuska, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Ocena wpływu zewnętrznych pól magnetycznych i elektromagnetycznych na działanie skaningowego mikroskopu elektronowego
    Estimation of external magnetic and electromagnetic fields influence on Scanning Electron Microscope operation
    Autorzy:
    Płuska, M.
    Oskwarek, Ł.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/151432.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    mikroskopia elektronowa
    skaningowy mikroskop elektronowy
    zakłócenia elektromagnetyczne
    indukcja magnetyczna
    scanning electron microscopy (SEM)
    electromagnetic distortions
    magnetic induction
    Opis:
    Tematyka artykułu odnosi się do aktualnych zagadnień z zakresu skanin-gowej mikroskopii elektronowej. Odkształcenia obrazu struktury badanego obiektu spowodowane wpływem zewnętrznych pól magnetycznych lub elektromagnetycznych są jednym z najczęstszej spotykanych niepożądanych efektów w mikroskopii. Prowadzone w tym zakresie analizy i badania mają na celu przede wszystkim uzyskanie oceny ilościowej dotyczącej indukcji pola magnetycznego przenikającego przez komorę mikroskopu oraz jej wpływu na wartość odchylenia wiązki padającej na obiekt badany (np. element półprzewodnikowy).
    In the paper some tasks deal with Scanning Electron Microscope (SEM) are presented. Image deformation caused by electromagnetic interference (EMI) is one of the most frequent undesirable effects in practical scanning electron microscopy. They usually appear as a constant or periodic deformation of vertical edges of an observed specimen. Available, but still very expensive methods for decreasing their influence are shielding and electromagnetic field compensation. The other approach is digital image processing for its correction. However, elimination of the distortions (with hardware or software methods) would be more effective when their influence on microscope system are known or predictable. The main goal of current investigations is work out a method for quantitative measurement of magnetic field in the microscope chamber and estimation of its influence on electon beam deflaction. The results obtained by the use of scanning electron microscope were verified by comparing its with the ones obtained using alternative magnetic field meter.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9, 9; 61-64
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dependence of Tin Whisker Growth on Copper and Oxygen Content on the Surface of Tin-Rich Lead Free Alloys
    Autorzy:
    Skwarek, A.
    Witek, K.
    Pluska, M.
    Czerwinski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399972.pdf
    Data publikacji:
    2013-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.66.Dk
    68.70.+w
    68.37.Hk
    Opis:
    The introduction of lead-free technology into electronics has intensified concern over tin whiskers phenomenon. Tin whiskers are crystals growing from the alloy surface as the result of compressive stress relaxation. This paper presents the dependence of tin whisker growth on copper and oxygen surface content. The observations and measurements were done using scanning electron microscopy with energy-dispersive X-ray spectroscopy. The results show that whisker growth is strongly related to increased copper and oxygen surface content in whisker neighborhood.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 2; 430-431
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of Secondary Electroluminescence on Cathodoluminescence and Other Luminescence Measurements
    Autorzy:
    Pluska, M.
    Czerwinski, A.
    Szerling, A.
    Ratajczak, J.
    Kątcki, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1198425.pdf
    Data publikacji:
    2014-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.60.Hk
    85.30.De
    61.72.-y
    68.37.Hk
    Opis:
    Cathodoluminescence and photoluminescence measurements are commonly accepted as revealing local properties of a specimen region excited by a beam of electrons or photons. However, in the presence of a strong electric field (e.g. a junction) an electron (or light/laser) beam-induced current is generated, which spreads over the structure. A secondary non-local electroluminescence, generated by this current and detected together with the expected luminescence signal, may strongly distort measurement results. This was confirmed by cathodoluminescence measurements on test structures prepared by focused ion beam on AlGaAs/GaAs/InGaAs laser heterostructures. Methods for minimizing the distortion of measured luminescence signals are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 4; 1027-1032
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dependence of Nanoelectronic-Structure Defect Detection by Cathodoluminescence on Electron Beam Current
    Autorzy:
    Pluska, M.
    Czerwinski, A.
    Ratajczak, J.
    Szerling, A.
    Kątcki, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807514.pdf
    Data publikacji:
    2009-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.60.Hk
    85.30.De
    61.72.-y
    Opis:
    The dependence of defect detection by cathodoluminescence in a scanning electron microscope on the electron beam current is considered. The examined specimens are AlGaAs/GaAs laser heterostructures with InGaAs quantum well. It is shown that for low electron beam currents, which are typically used, the uniform cathodoluminescence is observed, while for the increasing high electron beam current the oval defects become more and more visible. The influence of electrical properties of the structure on the luminescence detection is explained.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-86-S-88
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Whisker growth in Tin alloys on glass-epoxy laminate studied by scanning ion microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy
    Badanie wzrostu wiskerów w stopach cyny na laminacie szklano-epoksydowym z użyciem skaningowej mikroskopii jonowej i dyspersyjnej spektroskopii rentgenowskiej
    Autorzy:
    Czerwiński, A.
    Skwarek, A.
    Płuska, M.
    Ratajczak, J.
    Witek, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/354392.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    tin whiskers
    tin-rich lead-free solders
    intermetallic compounds (IMCs)
    wiskery cynowe
    bezołowiowy stop lutowniczy o wysokiej zawartości cyny
    związki międzymetaliczne (IMC)
    Opis:
    Tin-rich solders are widely applied in the electronic industry in the majority of modern printed circuit boards (PCBs). Because the use of lead-tin solders has been banned in the European Union since 2006, the problem of the bridging of adjacent conductors due to tin whisker growth (limited before by the addition of Pb) has been reborn. In this study tin alloys soldered on glass-epoxy laminate (typically used for PCBs) are considered. Scanning ion microscopy with Focused Ion Beam (FIB) system and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDXS) were used to determine correlations between spatial non-uniformities of the glass-epoxy laminate, the distribution of intermetallic compounds and whisker growth.
    Bezołowiowe stopy lutownicze o wysokiej zawartości cyny są szeroko stosowane w przemyśle elektronicznym we współczesnych obwodach drukowanych (PCB). Stosowanie ołowiu w tych stopach jest od 2006 roku zakazane w Unii Europejskiej, co odnowiło problem wzrostu wiskerów cynowych poprzednio ograniczonego dodatkiem Pb. Wiskery zagrażają niezawodności układów elektronicznych, m.in. z powodu wprowadzanych zwarć. Praca dotyczy wzrostu wiskerów na powierzchni lutów naniesionych na najczęściej stosowany laminat szklano-epoksydowy. W oparciu o wyniki skaningowej mikroskopii jonowej (wykorzystujacej zogniskowana wiązkę jonów) i spektroskopii dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego określono związek pomiędzy przestrzennymi niejednorodnościami laminatu szklano-epoksydowego, rozkładu wytrąceń międzymetalicznych i wzrostu wiskerów.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 2; 413-417
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Oval defects in crystals grown by MBE technique: study and methods of elimination abstract
    Autorzy:
    Szerling, A.
    Kosiel, K.
    Płuska, M.
    Ochalski, T. J.
    Ratajczak, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378453.pdf
    Data publikacji:
    2004
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
    Opis:
    The paper is devoted to a group of macroscopic defects which may be found in epitaxial A3 B5 materials grown by MBE technique. Morphology, geometry and optical properties of defects were studied by means of several experimental methods. The experimental data have been compared with the information taken from literature concerning sources of the defects and causes of their appearance.
    Źródło:
    Electron Technology : Internet Journal; 2004, 36, 6; 1-5
    1897-2381
    Pojawia się w:
    Electron Technology : Internet Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mid-Infrared GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers Technology
    Autorzy:
    Szerling, A.
    Karbownik, P.
    Kosiel, K.
    Kubacka-Traczyk, J.
    Pruszyńska-Karbownik, E.
    Płuska, M.
    Bugajski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807678.pdf
    Data publikacji:
    2009-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    85.60.-q
    85.35.Be
    72.80.Ey
    73.61.Ey
    78.66.Fd
    Opis:
    The fabrication technology of AlGaAs/GaAs based quantum cascade lasers is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W for the GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ laser without anti-reflection/high-reflection coatings.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-45-S-47
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies