Autor: Ornoch, J. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Visible Light Emission from Porous Silicon
Autorzy:: Bugajski, M.
Wesołowski, M.
Lewandowski, W.
Ornoch, J.
Kątcki, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1924257.pdf
Data publikacji:: 1992-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.65.-s
Opis:: The aim of this paper is the study of porous Si prepared by preferential anodic dissolution in concentrated HF acid solutions. Porous silicon layers exhibited extremely efficient luminescence in the 700-900 nm range at room temperature. Basic characteristics of this luminescence strongly suggest the intrinsic origin of the process, directly related to quantum confinement. The additional transmission-electron-microscopy and electron-diffraction studies - were performed to support hypothesis that luminescence originates from silicon nanostructures.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 914-918
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Ludzie, którzy mają "chody" : st.bosm.sztab. Eugeniusza Ornocha [b.zawodnika WKS Flota] pożegnanie ze służbą
Autorzy:: J.W.
Ornoch, Eugeniusz.
(J.W.).
Powiązania:: Polska Zbrojna 1996, nr 43, s. 12
Data publikacji:: 1996
Tematy:: Wojskowy Klub Sportowy Flota (Gdynia)
Chód sportowy
Kluby sportowe wojska
Opis:: Fot.
Dostawca treści:: Bibliografia CBW

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Surfaces of Нigh-Tс Superconductors Studied by Means of the Scanning Tunneling Microscope
Autorzy:: Witek, A
Ornoch, L
Dąbkowski, A
Raułuszkiewicz, J
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/896303.pdf
Data publikacji:: 1990
Wydawca:: Uniwersytet Łódzki. Wydawnictwo Uniwersytetu Łódzkiego
Opis:: Observations of the natural surface of BiSrCaCu₂Oₓ sintered ceramics applying the scanning tunneling microscope are reported. Measurements were performed in air at room temperature. It can be deduced from the surface images, on which the growth steps are visible with heights corresponding to the dimension of the unit cell along the c-axis or its multiples, that the bulk orthorhombic structure extends to the surface. The surface investigated is rather clean, inert and metallic in nature. It can be identified as the Bi-O layer.
Źródło:: Acta Physicae Superficierum; 1990, 2
0867-2997
Pojawia się w:: Acta Physicae Superficierum
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Identification of Residual Impurities in Si-Doped MBE Grown GaAs
Autorzy:: Kaniewska, M.
Regiński, K.
Kaniewski, J.
Muszalski, J.
Ornoch, L.
Adamczewska, J.
Marczewski, J.
Bugajski, M.
Mizera, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933820.pdf
Data publikacji:: 1995-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
73.40.Νs
73.20.Hb
Opis:: The changes of dopant vaporization enthalpy in GaAs:Si grown by molecular beam epitaxy revealed the presence of residual donors related to group VI elements. This has been confirmed by deep level transient spectroscopy studies of AlGaAs:Si layers grown in the same MBE system. It is argued that a commonly observed deep trap labelled E2 is probably related to Te, Se or S. The measurements have been performed on near-ideal Al Schottky barriers grown in situ by MBE.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 775-778
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja