Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Orlowski, B. A." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Production and Properties of Apple Pomace Pellets and their Suitability for Energy Generation
Wytwarzanie, właściwości i możliwości zagospodarowania na cele energetyczne odpadowych wytłoków z przetwórstwa jabłek
Autorzy:
Wojdalski, J.
Grochowicz, J.
Ekielski, A.
Radecka, K.
Stępniak, S.
Orłowski, A.
Florczak, I.
Drożdż, B.
Żelaziński, T.
Kosmala, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1815490.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
pellets
pressure agglomeration
apple pomace
biomass energy
heat of combustion
pellety
aglomeracja ciśnieniowa
wytłoki jabłkowe
energia biomasy
ciepło spalania
Opis:
The food processing industry, including fruit and vegetable processing sectors, produce significant quantities of waste and environmental pollutants. Food processing is a complex and demanding process because raw materials are supplied on a seasonal basis, they spoil easily and may be a source of microbiological contamination during production. Apple pomace is a by-product of fruit and vegetable processing, and it constitutes biodegradable waste. Small quantities of pomace are not harmful to the environment, but large amounts of waste could pose a problem for processing plants. Pressed pomace can be used in industrial processing and power generation. This is one of the easiest pomace management methods, in particular in regions where large amounts of waste cannot be quickly processed into animal feed or where transport is not an option due to considerable distance. This paper presents the methodology and the results of analyses investigating the properties of apple pomace and its management scenarios. A review of published sources discussing the achievements in pomace management precedes the experimental part of this study. Samples of ground and unground apple pomace were analyzed to determine: granulometric composition – the size distribution of apple pomace fractions, pressure agglomeration, compaction energy and expansion of samples immediately after pressing and after 24 hours, the heat of combustion of the analyzed apple pomace, which was compared with the heat of combustion of other fruit and vegetable processing waste. The compaction energy of samples was determined with the use of a BLUEHILL-2 application for controlling the INSTRON 8802 machine. Material was subjected to compressive strength tests, and the expansion of samples was determined after 24 hours of storage. The total compaction energy of unground pomace ranged from 66.60 to 150.00 J·g-1, and of ground pomace from 34.79 to 149.95 J·g-1 at a temperature of 20°C and relative air humidity of 31.7%. The density of the resulting apple pomace pellets was determined in the range of 1114.0-1166.3 and 1114.0-1168.1 g·dm-3. The heat of combustion of pressed pomace samples, measured in a calorimeter, was 19 MJ·kg-1. The results of the study indicate that if apple pomace has net calorific value of 17.3 MJ·kg-1 and the effectiveness of a steam boiler reaches 70%, the amount of energy generated by the combustion of apple pellets is 80 to 340 times higher than the amount of energy consumed during processing under the load of 50 kN and 10 kN, respectively. The management of apple pomace in the production plant can serve as an example of a "waste-free" technology. The use of processed apple pomace for energy generation purposes may contribute to improving energy efficiency in production processes in fruit and vegetable processing plants.
Przemysł spożywczy, a w tym branża owocowo-warzywna, dostarczają znacznych ilości odpadów i zanieczyszczeń środowiska. Utrudnione jest także prowadzenie produkcji, gdyż surowce do przerobu są dostarczane sezonowo, łatwo ulegają zepsuciu i mogą być źródłem zakażenia mikrobiologicznego. Wytłoki jabłkowe są jednym z odpadów przemysłu owocowo-warzywnego i należą do odpadów biodegradowalnych. Małe ich ilości nie są szkodliwe dla środowiska, lecz duża koncentracja może stanowić problem dla zakładu produkcyjnego. Prasowane wytłoki mogą mieć zastosowanie do wytwarzania produktów użytkowych lub w energetyce. Jest to jedna z metod zagospodarowania wytłoków jabłkowych, szczególnie w rejonach, w których występuje ich nadmiar i nie ma możliwości szybkiego przerobu w celach paszowych lub transport na duże odległości nie jest opłacalny. Przedstawiono problematykę, metodykę badań oraz analizę wyników badań dotyczących właściwości i zagospodarowania wytłoków jabłkowych. Część badawczą poprzedzono przeglądem literatury, w której zawarto dostępne osiągnięcia w tej dziedzinie. Badaniom poddano wytłoki przed i po rozdrobnieniu. Zakres pracy obejmował:- analizę składu granulometrycznego w celu określenia wielkości poszczególnych frakcji zawartych w próbkach wytłoków,- aglomerację ciśnieniową i określenie energii zagęszczania oraz rozprężenie otrzymanych próbek bezpośrednio po prasowaniu i po upływie 24 godzin,- ustalenie ciepła spalania badanych wytłoków jabłkowych i porównanie z ciepłem spalania innych odpadów z przemysłu owocowo-warzywnego. Energię zagęszczania badanych próbek ustalano na podstawie odczytów uzyskanych w wyniku stosowania oprogramowania BLUEHILL-2 stosowanego do obsługi maszyny INSTRON 8802. Poddano analizie wytrzymałościowej próbki wytłoków i określano ich rozprężenie po upływie 24-godzinnego przechowywania. Całkowita energia zagęszczania dla pelletów z wytłoków nierozdrobnionych zawierała się w granicach od 66,60 do 150,00 J/g, zaś dla pelletów z wytłoków rozdrobnionych wskaźniki te wynosiły od 34,79 J/g do 149,95 J/g w temperaturze 20°C i wilgotności względnej powietrza 31,7%. Gęstość otrzymanych pelletów wynosiła odpowiednio w granicach 1114,0-1166,3 i 1114,0-1168,1 g/d3. Sprasowane próbki badawcze poddano badaniom ciepła spalania w bombie kalorymetrycznej. Ciepło spalania wytłoków jabłkowych wynosiło 19 MJ/kg. Z punktu widzenia opłacalności procesu można stwierdzić, że np. przyjmując wartość opałową wynoszącą 17.3 MJ/kg i sprawność przemian energii w kotle parowym wynoszącą 70%, energia uzyskana ze spalania pelletów jabłkowych może być od 80 do 340 razy większa w porównaniu z zapotrzebowaniem energii na ich produkcję stosując naciski odpowiednio 50 kN i 10 kN. Zagospodarowanie wytłoków jabłkowych bezpośrednio w zakładzie produkcyjnym może być przykładem zastosowania „technologii bezodpadowej”. Ponadto zagospodarowanie wytłoków na cele energetyczne może częściowo wpłynąć na wzrost efektywności energetycznej produkcji zakładu owocowo-warzywnego.
Źródło:
Rocznik Ochrona Środowiska; 2016, Tom 18, cz. 1; 89-111
1506-218X
Pojawia się w:
Rocznik Ochrona Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of 4f Level in Samarium-Rich MBE Grown CdSmTe Sample
Autorzy:
Szamota-Sadowska, K.
Gołacki, Z.
Orłowski, B. A.
Boyn, R.
Johnson, R. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991645.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.At
79.60.-i
79.60.Bm
Opis:
Electronic states of 4f samarium ions were investigated by photoemission spectroscopy in samarium-rich CdSmTe sample obtained by MBE. The photon energy of synchrotron radiation allowed to investigate Fano-type resonance and antiresonance. The energy distribution curve spectra were attributed to the Sm 4d-4f transition. The shape of the constant initial states spectra was compared with this one obtained for atomic samarium.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 560-564
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Yb on Valence Band Density of States of CdYbTe and PbYbTe - a Resonant Photoemission Study
Autorzy:
Szamota-Sadowska, K.
Kowalski, B. J.
Guziewicz, E.
Orłowski, B. A.
Sadowski, J.
Gołacki, Z.
Ghijsen, J.
Johnson, R. L.
Belkhou, R.
Radosavkič, D.
Martinotti, D.
Barrett, N.
Guillot, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952185.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Vv
Opis:
Photoemission measurements using synchrotron radiation were performed on PbYbTe (bulk crystal) and CdYbTe (MBE thin film). The resonant enhancement of the photoemission was applied for investigation of the contribution of Yb 4f electrons to the valence band. The set of the energy distribution curves was collected for energies in the region close to the 4d-4f Fano transition. The Yb 4f$\text{}^{14}$ were observed at the binding energies close to the edge of the valence band while the 4f$\text{}^{13}$ states were revealed deep in the valence band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 943-946
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
GaAs, InP i GaP single crystals for optical applications in the infrared range
Autorzy:
Strzelecka, S.
Hruban, A.
Wegner, R.
Piersa, N.
Surma, B.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Materna, A.
Gładki, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192006.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
optyka w podczerwieni
monokryształ
transmitancja monokryształów
zastosowanie materiałów półprzewodnikowych
Opis:
Przedstawiono kryteria oceny przydatności monokryształów GaAs, InP i GaP do wytwarzania elementów optyki podczerwieni (okienka, soczewki). Zbadano wpływ parametrów fizycznych i rodzaju domieszki na wartość transmitancji monokryształów GaAs, InP, GaP w obszarze podczerwieni. Określono zakres koncentracji nośników dla wymienionych materiałów, w którym zmiany transmitancji związane z absorpcją na swobodnych nośnikach są w granicach błędu. Oceniono przydatność wytwarzanych w ITME monokryształów GaAs, InP, GaP dla potrzeb optyki podczerwieni.
In this work the influence of physical parameters and dopants concentration on infrared transmission level in GaAs, InP, GaP crystals was investigated. The carrier concentration range in which transmitance value is constant was evaluated. For the higher concentration, transmitance decreases due to absorption on free carriers. An assessment of GaAs, InP, GaP crystals for optical applications was done.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 1-2, 1-2; 78-103
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni
Determination of carbon concentration single crystals from absorption spectra in in range
Autorzy:
Strzelecka, S.
Surma, B.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192178.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
widmo absorpcyjne w podczerwieni
krzywa kalibracji
niedomieszkowany monokryształ GaP
określanie koncentracji węgla
Opis:
W oparciu o pomiar absorpcji na lokalnych modach drgających (LVM) opracowano warunki pomiaru i krzywą kalibracji pozwalającą na określenie koncentracji węgla w niedomieszkowanych monokryształach GaP. Granice detekcji w temperaturach 12 K i 300 K wynoszą odpowiednio 1 x 10[indeks górny]15 cm-³ i 1 x 10[indeks górny]16 cm-³. Badania metodą Glow Discherge Mess Spectroscopy (GDMS) wskazują, że granicą detekcji dla tej metody jest Nc ≥ l x 10[indeks górny]17 cm-³. Pomiary hallowskie w funkcji temperatury wskazują, że węgiel jest głównym akceptorem w niedomieszkowanych monokryształach GaP.
Method of carbon concentration assessment in GaP crystals was v It is based on absorption measurement on local vibration modes (LVM) method calibration curve and measurement conditions were found. Detection limit at 12 K and 300 K are 1 x 10[sup]15 cm³ i 1 x 10[sup]l6cm-³ respectively. GDMS dons indicate that limit detection is Nc ≥ 1 x 10[sup]17cm-³ for this method, surements versus reciprocal temperature confirm that carbon is a main undoped GaP monocrystals.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 2, 2; 24-35
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP
Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals
Autorzy:
Strzelecka, S.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192036.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaP
obróbka termiczna
materiał półizolujący
własności elektryczne
annealing
SI crystal
electrical properties
Opis:
Zbadano wpływ procesów wygrzewania na własności niedomieszkowanych monokryształów fosforku galu (GaP) otrzymanych z wsadów o różnym składzie chemicznym: bliskim stechiometrii, z nadmiarem galu lub z nadmiarem fosforu, a także o różnej koncentracji węgla. Procesom wygrzewania poddano bloki monokryształów o grubości 10-20 mm oraz płytki o grubości ∼ 700 μm. Określono warunki obróbki termicznej takie jak temperatura i czas wygrzewania oraz ciśnienie par fosforu w ampule pozwalające na otrzymanie materiału półizolujacego. Stwierdzono, że w przypadku monokryształów GaP typu n o koncentracji nośników ładunku n = (2 - 5) × 10^16 cm-³ i koncentracji węgla Nc ≤ 1 × 10^16 cm-³ w wyniku wygrzewania można otrzymać materiał półizolujący typu n. Przy koncentracji węgla Nc ∼ 5 × 10^16 cm-³ otrzymywany jest materiał półizolujący typu p.
Influence of annealing conditions on the properties of undoped gallium phosphide crystals obtained from the melt: near stoichiometric, with gallium excess or phosphorus excess, as well as with different carbon concentration was investigated. Monocrystalline blocks with a thickness of 10 - 20 mm and wafers with a thickness of ∼ 700 urn were annealed. Annealing conditions such as the temperature, time and phosphorus vapor pressure in the ampoule allowing for obtaining semi-insulating material, were determined. It was confirmed that as result of annealing undoped GaP crystals with the carrier concentration n = (2 - 5) × 10^16 cm-³ and carbon concentration Nc ≤ 1 × 10^16 cm-³ we can obtain SI n - type material. At the carbon concentration Nc ∼ 5 × 10^16 cm-³ the SI material of p - type can be obtained.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 27-38
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Light Propagation in a Magnetic Field: Random Green Matrix Approach
Autorzy:
Pinheiro, F. A.
Rusek, M.
Orłowski, A.
van Tiggelen, B. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2037256.pdf
Data publikacji:
2004-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.25.Dd
78.20.Ls
Opis:
We studied the spectral properties of the matrices describing multiple scattering of electromagnetic waves from randomly distributed point-like magneto-optically active scatterers under an external magnetic field B. We showed that the complex eigenvalues of these matrices exhibit some universal properties such as the self-averaging behavior of their real parts, as in the case of scatterers without magneto-optical activity. However, the presence of magneto-optically active scatterers is responsible for a striking particularity in the spectra of these matrices: the splitting of the values of the imaginary part of their eigenvalues. This splitting is proportional to the strength of the magnetic field and can be interpreted as a consequence of the Zeeman splitting of the energy levels of a single scatterer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 4; 339-347
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoemission Study of Mn 3d Electrons in the Valence Band of Mn/GeMnTe
Autorzy:
Pietrzyk, M. A.
Kowalski, B. J.
Orłowski, B. A.
Knoff, W.
Osinniy, V.
Kowalik, I. A.
Story, T.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047678.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Mq
Opis:
We present the results of the electronic band structure study of Ge$\text{}_{0.9}$Mn$\text{}_{0.1}$Te epilayers, clean and modified in situ by deposition of manganese atoms. The sets of resonant photoemission spectra were measured for the photon energy range covering the energy of Mn 3p→3d transition (45
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 275-281
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Photoemission Study of Sn$\text{}_{0.96}$Gd$\text{}_{0.04}$Te
Autorzy:
Orlowski, N.
Janowitz, C.
Müller, A.
Manzke, R.
Kowalski, B. J.
Orłowski, B. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1963395.pdf
Data publikacji:
1997-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
79.60.-i
Opis:
Sn$\text{}_{0.96}$Gd$\text{}_{0.04}$Te has been studied by means of the resonant photoemission spectroscopy in the constant final states, constant initial states and energy distribution curves modes. In the constant final states spectrum of the well-known giant resonance at the 4d-4f threshold around 150 eV we were able to resolve a peak of the multiplet structure that has not previously been found. Spectra were also taken at the 4p-5d threshold around 280 eV revealing a double structure with antiresonating behaviour.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 847-850
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bulk Band Structure of CdTe along the Γ-L Direction
Autorzy:
Orłowski, B. A.
Janik, E.
Janowitz, C.
Manzke, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1886620.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.Eq
71.20.Fi
Opis:
The valence band structure E(k) for CdTe (111) Cd side surface 2 x 2 reconstructed was investigated along the Γ-L direction of the bulk Brillouin zone by high-resolution angle-resolved photoemission spectroscopy method in the energy range between 9.5 eV and 30.0 eV. The E(k) dependence was determined as well for bulk as for some of the surface states in the whole width of the valence band. Obtained results are compared with available calculated bulk band structure along Γ-L direction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 303-306
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fano Resonance of Eu$\text{}^{2+}$ and Eu$\text{}^{3+}$ in (Eu,Gd)Te MBE Layers
Autorzy:
Orlowski, B. A.
Kowalski, B. J.
Dziawa, P.
Pietrzyk, M.
Mickievicius, S.
Osinniy, V.
Taliashvili, B.
Kowalik, I. A.
Story, T.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044511.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Mq
Opis:
Resonant photoemission spectroscopy, with application of synchrotron radiation, was used to study the valence band electronic structure of clean surface of (EuGd)Te layers. Fano-type resonant photoemission spectra corresponding to the Eu 4d-4f transition were measured to determine the contribution of 4f electrons of Eu$\text{}^{2+}$ and Eu$\text{}^{3+}$ ions to the valence band. The resonant and antiresonant photon energies of Eu$\text{}^{2+}$ ions were found as equal to 141 V and 132 eV, respectively and for Eu$\text{}^{3+}$ ions were found as equal to 146 eV and 132 eV, respectively. Contribution of Eu$\text{}^{2+}$4f electrons was found at the valence band edge while for Eu$\text{}^{3+}$ it was located in the region between 3.5 eV and 8.5 eV below the valence band edge.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 803-807
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fe 3d Contribution to Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Se Valence Band by Means of Angle-Resolved Photoemission
Autorzy:
Orłowski, B. A.
Bonnet, J.
Hricovini, C.
Pinchaux, R.
Górecka, J.
Kowalski, B. J.
Mycielski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890985.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Fi
79.60.Eq
Opis:
The Angle-Resolved Photoemission Electron Spectroscopy (AR PES) was applied to investigate the electronic structure of HgSe and Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Se crystals for (110) surface. The measured set of Angle-Resolved Energy Distribution Curves (AR EDCs) permits to determine some of the elements of the electronic band structure E(k) (energy-momentum dependence for ҐKX and ҐX directions in the Brillouin zone) for measured crystals. The Fe 3d contribution gives the states lying over the edge of the valence band of HgSe crystal (0.25 eV), and into the valence band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 389-392
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Gd 4f and 5d Electrons in Sn$\text{}_{0.96}$Gd$\text{}_{0.04}$Te Valence Band
Autorzy:
Orłowski, B. A.
Kowalski, B. J.
Gołacki, Z.
Story, T.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933933.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Fi
Opis:
The synchrotron radiation was applied to measure resonant photoemission spectra (Fano-type Gd 4d-4f resonance), constant initial states and constant final states to study the valence band electronic structure of Sn$\text{}_{0.96}$Gd$\text{}_{0.04}$Te crystal. The resonant energy was found equal to 150.3 eV. The electrons 4f were found to contribute to the valence band of the crystal with the maximum located at 9.5 eV below the valence band edge whereas 5d electrons contribute at the crystal valence band edge.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 857-860
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Photoemission Study of Mn 3d Electrons Contribution to the Pb$\text{}_{0.92}$Mn$\text{}_{0.08}$Se Valence Band
Autorzy:
Orłowski, B. A.
Kowalski, B. J.
Le Van, Khoi
Gałązka, R. R.
Ghijsen, J.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1872563.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Fi
79.60.-i
Opis:
The resonant photoemission spectroscopy was applied to investigate the valence band electronic structure of semimagnetic semiconductor Pb$\text{}_{0.92}$Mn$\text{}_{0.08}$Se crystal and to determine the contribution of Mn 3d electrons to the valence band. The set of energy distribution curves and constant initial states spectra were taken for by energies in the region (40-60 eV) close to the Mn 3p-3d transition. The electrons Mn 3d hybridize and contribute to the valence band electrons of the crystal and main density of states contribution appears in the energy 3.5 ± 0.2 eV below the valence band edge.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 329-332
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoemission Electronic Spectra οf CdTe/$Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$/CdTe
Autorzy:
Orlowski, B.
Dziawa, P.
Gas, K.
Reszka, A.
Mickievicius, S.
Thiess, S.
Drube, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492971.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.Jv
71.20.Mq
73.40.-c
Opis:
The synchrotron radiation was used to apply tunable high energy X-ray photoemission spectroscopy for investigation of electronic structure of semiconductor nanostructure CdTe/$Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$/CdTe/GaAs(001) top part. The $Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$ (6 nm thick) was buried under thin (22 nm) top layer of CdTe transparent for part of electrons photoemitted from $Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$ buried layer. The top layer of CdTe was sputtered by Ar ion bombardment for surface cleaning and for leaving the thickness of CdTe more transparent for photoelectrons emitted from buried layer. For these thickness of the top layer the photoemission energy distribution curves corresponding to the valence band and core levels electrons of the buried layer atoms were measured with application of synchrotron radiation of energy hν = 3510 eV. The measured spectra corresponding to the buried layer atoms were observed in the valence band region and in the high binding energy region for core levels of Pb 4f, Pb 3d. The valence band contribution and core levels Cd 4d and Cd 3d were obtained mainly from top cover layer. Measured Te 4d, Te 3d and Te 4d spectra possess contribution as well from top cover layer as from the buried layer. The amount of Eu atoms was to small to be reasonable detected and presented in the paper.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 960-963
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies