Autor: Mroczyński, R. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Sezonowość oraz wybiórczość siedliskowa żuków (Coleoptera: Geotrupidae) wabionych odchodami łosia Alces alces L. w Kampinoskim Parku Narodowym
Seasonality and habitat preferences of dung beetles (Coleoptera: Geotrupidae) attracted to moose Alces alces L. dung in the Kampinos National Park
Autorzy:: Marczak, D.
Mroczynski, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/46255.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Instytut Badawczy Leśnictwa
Tematy:: lesnictwo
ekologia lasu
owady
chrzaszcze
Coleoptera
Geotrupidae
koprofagi
Anoplotrupes stercorosus
Geotrupes stercorarius
Trypocopris vernalis
wystepowanie
zgrupowania zwierzat
sezonowosc
wybiorczosc siedliskowa
odchody zwierzece
los
Alces alces
Kampinoski Park Narodowy
Źródło:: Leśne Prace Badawcze; 2018, 79, 4
1732-9442
2082-8926
Pojawia się w:: Leśne Prace Badawcze
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation
Autorzy:: Mroczyński, R.
Bieniek, T.
Beck, R. B.
Ćwil, M.
Konarski, P.
Hoffman, P.
Schmeißer, D.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308687.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: ultra-thin dielectrics
oxynitride
SIMS
XPS
PECVD
Opis:: In this paper differences in chemical composition of ultra-thin silicon oxynitride layers fabricated in planar rf plasma reactor are studied. The ultra-thin dielectric layers were obtained in the same reactor by two different methods: ultrashallow nitrogen implantation followed by plasma oxidation and plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). Chemical composition of silicon oxynitride layers was investigated by means of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and secondary ion mass spectrometry (SIMS). The spectroscopic ellipsometry was used to determine both the thickness and refractive index of the obtained layers. The XPS measurements show considerable differences between the composition of the fabricated layers using each of the above mentioned methods. The SIMS analysis confirms XPS results and indicates differences in nitrogen distribution.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 20-24
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: The influence of annealing (900?C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers
Autorzy:: Mroczyński, R.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Ćwil, M.
Konarski, P.
Hoffman, P.
Schmeißer, D.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308691.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: ultra-thin dielectrics
silicon oxynitride
PECVD
CMOS
Opis:: This work reports on changes in the properties of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers after high- temperature treatment. Possible changes in the structure, composition and electrophysical properties were investigated by means of spectroscopic ellipsometry, XPS, SIMS and electrical characterization methods (C-V, I-V and charge- pumping). The XPS measurements show that SiOxNy is the dominant phase in the ultra-thin layer and high-temperature annealing results in further increase of the oxynitride phase up to 70% of the whole layer. Despite comparable thickness, SIMS measurement indicates a densification of the annealed layer, because sputtering time is increased. It suggests complex changes of physical and chemical properties of the investigated layers taking place during high-temperature annealing. The C-V curves of annealed layers exhibit less frequency dispersion, their leakage and charge-pumping currents are lower when compared to those of as-deposited layers, proving improvement in the gate structure trapping properties due to the annealing process.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 16-19
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Mroczyński, R." wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język