Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Morishita, Y." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Studies On An Aerobic Oxidation Of Dibenzothiophene And Related Compounds Using Ruthenium Catalyst
Badania utleniania aerobowego dibenzotiofenu oraz związków pokrewnych z zastosowaniem rutenu jako katalizatora
Autorzy:
Morishita, Y.
Murata, S.
Sunada, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/354983.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
oxidative desulfurization
ruthenium catalyst
molecular oxygen
dibenzothiophene
odsiarczanie utleniające
katalizator rutenowy
tlen cząsteczkowy
dibenzotiofen
Opis:
An aerobic oxidation of dibenzothiophene and related compounds using a catalytic amount of ruthenium chloride in hydrocarbon solvents at 80°C for 20 h gave the corresponding sulfones in almost quantitative yields. The reaction might proceed via autoxidation of solvents to hydroperoxides and the reaction of sulfur compounds with the resulting hydroperoxides.
Sulfony otrzymano metodą aerobowego utleniania dibenzotiofenu oraz związków pokrewnych w temperaturze 80°C przez 20 godz. Materiały te otrzymano przy użyciu katalitycznej ilości chlorku rutenu w rozpuszczalnikach wodorowęglowych. Można przypuszczać, że reakcja przebiega następująco: rozpuszczalniki samorzutnie się utleniają do wodoronadtlenków, które potem reagują ze związkami siarki.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2A; 1015-1016
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Homoepitaxial Growth of YBa$\text{}_{2}$Cu$\text{}_{3}$O$\text{}_{7}$ on Single Crystal YBa$\text{}_{2}$Cu$\text{}_{3}$O$\text{}_{x}$ Substrates
Autorzy:
Morishita, T.
Zama, H.
Shiohara, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964238.pdf
Data publikacji:
1997-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Fq
74.72.-h
81.15.Gh
Opis:
a- and c-axis oriented YBa$\text{}_{2}$Cu$\text{}_{3}$O$\text{}_{x}$ (YBCO) films were epitaxially grown on (100) and (001) YBCO single-crystal substrates, respectively, by metalorganic chemical vapor deposition under the same preparation conditions including substrate temperature. As a Ba precursor Ba(DPM)$\text{}_{2}$-2tetraen was adopted. This precursor increased a deposition rate for YBCO films to 50 nm/h at 140°C. The substrates were formed from a 14.5x14.5x13 mm YBCO single crystal grown by a modified top-seeded crystal pulling method. Only a few surface atomic layers remained damaged after polishing and cleaning, which however did not affect the epitaxy of film growth. The crystallinity of the interface between an epilayer and substrate was much improved compared to that on usual perovskite substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 1; 97-103
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies