Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Miyamura, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Motor Control: Neural Models and Systems Theory
Autorzy:
Doya, K.
Kimura, H.
Miyamura, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/908323.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Uniwersytet Zielonogórski. Oficyna Wydawnicza
Tematy:
adaptacyjny układ sterowania
model wielokrotny
inverse model
adaptive control
cerebellum
reinforcement learning
basal ganglia
multiple models
Opis:
In this paper, we introduce several system theoretic problems brought forward by recent studies on neural models of motor control. We focus our attention on three topics: (i) the cerebellum and adaptive control, (ii) reinforcement learning and the basal ganglia, and (iii) modular control with multiple models. We discuss these subjects from both neuroscience and systems theory viewpoints with the aim of promoting interplay between the two research communities.
Źródło:
International Journal of Applied Mathematics and Computer Science; 2001, 11, 1; 77-104
1641-876X
2083-8492
Pojawia się w:
International Journal of Applied Mathematics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Focused Ion Beam Imaging of Defects in Multicrystalline Si for Photovoltaic Application
Autorzy:
Miyamura, Y.
Sekiguchi, T.
Chen, J.
Li, J.
Watanabe, K.
Kumagai, K.
Ogura, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1198415.pdf
Data publikacji:
2014-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.-a
61.85.+p
61.72.Ff
Opis:
We demonstrate the imaging of the extended defects in Si materials using a focused ion beam instrument. Since Ga-ion beam has small penetration depth and high channeling character compared with electron beam, the secondary electron signal of focused ion beam is more sensitive to the surface morphology and crystallinity. We have tried to use this secondary electron imaging of focused ion beam for observation of various extended defects in Si materials for photovoltaic and semiconductor devices. As for the texture of multicrystalline Si, some grains are imaged darker than the others. It suggests that the crystal orientation gives different channeling effect on the primary Ga-ion beam, resulting in the different secondary electron yield. The grain boundaries and lineage in multicrystalline Si are shown as bright lines and patterns in the image. Although it may reflect the surface morphologies, these contrasts may be attributed to the channeling contrast due to lattice displacement or distortion. The contrast mechanism of FIB imaging is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 4; 991-993
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies