Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Misiewicz, D." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    Ocena spożycia warzyw i owoców w grupie 50-letnich mieszkańców Wrocławia
    Assessment of fruit and vegetable intake among the 50-year-old population of Wroclaw
    Autorzy:
    Ilow, R.
    Regulska-Ilow, B.
    Misiewicz, D.
    Rozanska, D.
    Kowalisko, A.
    Biernat, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/875005.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Narodowy Instytut Zdrowia Publicznego. Państwowy Zakład Higieny
    Tematy:
    mieszkancy miast
    Wroclaw
    wiek sredni
    zywienie czlowieka
    spozycie zywnosci
    ocena spozycia
    owoce
    warzywa
    dieta
    wywiad zywieniowy
    Opis:
    Oceniono spożycie warzyw i owoców w grupie 50-letnich mieszkańców Wrocławia oraz wpływ wykształcenia na spożycie tych produktów. Badaną grupę stanowiło 1520 mieszkańców Wrocławia (879 kobiet i 641 mężczyzn) w wieku 50 lat, którzy w 2008 r. wzięli udział w Programie Profilaktyki Chorób Sercowo-Naczyniowych, zorganizowanym przez Wydział Zdrowia Urzędu Miejskiego we Wrocławiu. Do oceny spożycia warzyw i owoców posłużył wywiad żywieniowy częstotliwościowo- -ilościowy. Średnie dzienne spożycie warzyw i owoców przez kobiety wynosiło 289,4 g, a przez mężczyzn 209,1 g. Kobiety spożywały istotnie statystycznie więcej warzyw, owoców oraz sumy warzyw i owoców w porównaniu z mężczyznami. Odnotowano wpływ poziomu wykształcenia na spożycie warzyw i owoców w badanej grupie wrocławian.
    Intake of fruit and vegetable among 50-year-old population of Wroclaw and the impact of education level on the consumption of fruits and vegetables was assessed. The study group was 50-year-old, 1520 inhabitants of Wroclaw (879 women and 641 men), who participated in 2008 in the Cardiovascular Diseases Prevention Program organized by the Health Division of the Municipal Office in Wroclaw. To assess fruit and vegetable intake Food Frequency Questionnaire (FFQ) was used. The mean daily intake of vegetables and fruit was 289,4 g for women and 209,1 g for men. Women consumed significantly more vegetables, fruits, and the amounts of fruits and vegetables compared with men. The impact of educational level on fruit and vegetable consumption in the study group was found.
    Źródło:
    Roczniki Państwowego Zakładu Higieny; 2011, 62, 3
    0035-7715
    Pojawia się w:
    Roczniki Państwowego Zakładu Higieny
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Transitions between Confined and Unconfined States in p-Type Asymmetric GaAs/InGaAs/AlGaAs QW Structures
    Autorzy:
    Sitarek, P.
    Ryczko, K.
    Misiewicz, J.
    Reuter, D.
    Wieck, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492827.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.50.Pz
    78.66.Fd
    78.67.De
    Opis:
    We present contactless surface photovoltage spectroscopy and photoreflectance studies of 10 nm wide, p-type doped asymmetric GaAs/InGaAs/AlGaAs quantum well structures. The MBE grown structures differ in spacer thickness between the quantum well and the reservoir of holes. The doping causes that quantum well is placed in electric field. The surface photovoltage spectroscopy measurements gave us detailed information about the optical transitions between confined states and between confined and unconfined states. The comparison of experimental and numerical analysis allows us to identify all features present in the surface photovoltage spectroscopy and photoreflectance spectra. It has been found that spacer layer thickness has significant influence on surface photovoltage spectroscopy spectra.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 849-851
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Carrier Dynamics and Dynamic Band-Bending in Type-II ZnTe/ZnSe Quantum Dots
    Autorzy:
    Syperek, M.
    Misiewicz, J.
    Chan, C.
    Dumcenco, D.
    Huang, Y.
    Chou, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399095.pdf
    Data publikacji:
    2013-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.67.Hc
    78.55.Et
    78.47.J-
    Opis:
    Carrier dynamics and dynamic band-bending in self-assembled ZnTe/ZnSe quantum dots have been studied by means of time-resolved photoluminescence experiment at low temperatures. The experiment reveals clearly type-II character of the confinement potential in the dot manifested in: (i) long photoluminescence decay time constant of 28-35 ns, and (ii) temporal shift of the quantum dot peak emission towards low energy following the laser pulse excitation. The magnitude of the spectral shift Δ E depends on the dot size and the power density of excitation pulse. For the dots under study and given experimental conditions Δ E ≈ 28 ÷ 42 meV.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 821-823
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Shake-Up Processes in Photoluminescence of Two-Dimensional Holes in a High Magnetic Field
    Autorzy:
    Wójs, A.
    Bryja, L.
    Misiewicz, J.
    Potemski, M.
    Reuter, D.
    Wieck, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047047.pdf
    Data publikacji:
    2006-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.35.Cc
    71.35.Ji
    73.21.Fg
    Opis:
    Recombination of excitons and positive trions is studied by two-beam photoluminescence of a two-dimensional hole gas in a high magnetic field. The singlet, dark-triplet and bright-triplet states of a free trion are resolved, and their binding energies are determined. Recombination of acceptor-bound trions is also detected, including a low-energy cyclotron replica, corresponding to a hole shake-up process. Identification of all these different transitions was possible by analysis of optical selection rules and the comparison of experimental spectra with realistic numerical calculations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 429-435
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Combined Exciton-Cyclotron Resonance in Photoluminescence of a Two-Dimensional Hole Gas
    Autorzy:
    Jadczak, J.
    Bryja, L.
    Płochocka, P.
    Wójs, A.
    Misiewicz, J.
    Maude, D.
    Potemski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791299.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.20.Mf
    71.35.Ji
    71.35.Pq
    78.20.Ls
    Opis:
    A two-dimensional hole gas in an asymmetric GaAs/$Ga_{1-x}Al_{x}As$ quantum well is studied by polarization-resolved photoluminescence in high magnetic fields (up to B = 20 T) and at low temperatures (down to T = 50 mK). In addition to the previously reported dominant emission channels of various free and acceptor-bound trions, the high-energy hole cyclotron replicas of the bound states are now also observed, corresponding to the combined exciton-cyclotron resonance. Identification of different transitions in the rich, multi-peak spectra was possible by the analysis of optical selection rules and comparison of the experimental spectra with realistic numerical calculations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 852-853
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Evidence of Singlet-Triplet Crossing in Photoluminescence of Positively Charged Excitons in GaAs Quantum Wells
    Autorzy:
    Bryja, L.
    Wójs, A.
    Jadczak, J.
    Misiewicz, J.
    Płochocka, P.
    Potemski, M.
    Reuter, D.
    Wieck, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811918.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.20.Mf
    71.35.Ji
    71.35.Pq
    78.20.Ls
    Opis:
    Positively charged excitons in a two-dimensional hole gas in symmetric and asymmetric GaAs/$Ga_{1-x}Al_{x}As$ quantum wells are studied in polarization-resolved photoluminescence experiments in high magnetic fields B (up to 23 T) and low temperatures (down to 300 mK). The experiments are accompanied by numerical calculations of a real structure. The whole family of trions (the singlet and a pair of triplets) are observed. The Coulomb energies crossing of singlet and triplet is found: hidden in symmetric and visible in asymmetric structures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1073-1077
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation of the Non-Square InGaAsP/InP Quantum Wells in the Electric Field by Photoreflectance
    Autorzy:
    Kudrawiec, R.
    Sęk, G.
    Rudno-Rudziński, W.
    Misiewicz, J.
    Wojcik, J.
    Robinson, B. J.
    Thompson, D. A.
    Mascher, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035600.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.63.Hs
    78.67.-n
    66.10.Cb
    Opis:
    Non-square quantum wells in electric field have been investigated by photoreflectance and photoluminescence spectroscopies. The structures have been obtained by a post-growth modification (rapid thermal annealing) of standard 1.55μm InGaAsP-based laser structures that were grown by gas source molecular beam epitaxy. During rapid thermal annealing a migration of semiconductor atoms across quantum well interfaces changes the quantum well profile from a square well to a rounded well. The modification of the profile changes energy levels in the quantum well and in consequence a blue shift of the quantum well emission peak is observed in photoluminescence. In this paper the blue shift of the ground state transition of post-growth modified quantum well structures has been investigated by both photoluminescence and photoreflectance techniques. Also a blue shift of excited state transitions has been observed in photoreflectance spectra. Generally, a stronger blue shift for the ground state transition than for excited state transitions has been observed. Additionally, oscillator strengths for all quantum well transitions have been determined from photoreflectance spectra. It has been found that the oscillator strength is constant for all quantum well transitions despite of modification of the quantum well profile.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 649-657
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optimizing the InGaAs/GaAs quantum dots for 1.3 μm emission
    Autorzy:
    Maryński, A.
    Mrowiński, P.
    Ryczko, K.
    Podemski, P.
    Gawarecki, K.
    Musiał, A.
    Misiewicz, J.
    Quandt, D.
    Strittmatter, A.
    Rodt, S.
    Reitzenstein, S.
    Sęk, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1055140.pdf
    Data publikacji:
    2017-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Fs
    78.67.-n
    78.67.Hc
    73.22.-f
    Opis:
    Hereby we present comprehensive experimental and theoretical study on fundamental optical properties and electronic structure of GaAs-based quantum dots grown using metalorganic chemical vapor deposition technique. The substantial redshift of emission, to the second telecommunication window of 1.3 μm, in comparison to standard InGaAs/GaAs quantum dots is obtained via strain engineering utilizing additional capping layer of In_{0.2}Ga_{0.8}As in this context referred to as strain reducing layer. It ensures lowering of the energy of the ground state transition to more application relevant spectral range. Optical properties of the quantum dot structure has been experimentally characterized by means of photoreflectance spectroscopy and power-dependent photoluminescence revealing 3 transitions originating from hybrid states confined in an asymmetric double quantum well formed of the wetting layer and strain reducing layer, as well as higher states of the quantum dots themselves with the first excited state transition separated by 67 meV from the ground state transition. Origin of the observed transitions was confirmed in theoretical modelling using 1-band single-particle approach for the quantum well part, and excitonic quantum dot spectrum obtained within 8 band k·p formalism followed by configuration interaction calculations, respectively. Additionally, photoluminescence excitation spectroscopy measurements allowed to identify a spectral range for efficient quasi-resonant excitation of the investigated quantum dots into the 2D density of states to be in the range of 835-905 nm.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 386-390
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies