Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Matsuzaki, S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Modeling learning on dynamic behaviour of synapses
Autorzy:
Fernando, S.
Cho, Y. I.
Nakamura, Y.
Matsuzaki, S.
Marasinghe, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/333128.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Uniwersytet Śląski. Wydział Informatyki i Nauki o Materiałach. Instytut Informatyki. Zakład Systemów Komputerowych
Tematy:
nauczanie
krótkoterminowa plastyczność
długoterminowa plastyczność
plastyczność synaptyczna
learning
short-term plasticity
long-term plasticity
agent systems
Opis:
Learning is a process involved in multiple timescales. As per biology, changes which last from milliseconds to seconds and hours to days are the main mediators for the formation of short-term and long-term memory. It is obvious that, memory formation is neither static nor it is restricted into a one phase of life. Every step we keep in our life, even it succeed or fail or no matter what happen, we learn from them and acquire invaluable knowledge on that, which makes us easy manipulation on similar events in future. Thus continuous learning in a dynamic environment is a necessary qualification for the researches which are interested in studying phenomena, such as addiction, stress, noise, etc on such a dynamic learning environments. This research proposes a new approach of modelling our nervous system with the intention of implementing learning on dynamic environment.
Źródło:
Journal of Medical Informatics & Technologies; 2009, 13; 175-180
1642-6037
Pojawia się w:
Journal of Medical Informatics & Technologies
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Solute-Vacancy Clustering In Al-Mg-Si Alloys Studied By Muon Spin Relaxation Technique
Grupowanie wakancji substancji rozpuszczonej w stopach Al-Mg-Si analizowanych metodą relaksacji spinowej mionów
Autorzy:
Nishimura, K.
Matsuda, K.
Komaki, R.
Nunomra, N.
Wenner, S.
Holmestad, R.
Matsuzaki, T.
Watanabe, I.
Pratt, F. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/352369.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Al-Mg-Si alloys
muon spin relaxation
vacancy
stopy Al-Mg-Si
relaksacja spinowa mionów
wakancja
Opis:
Zero-field muon spin relaxation experiments were carried out with Al-1.6%Mg2Si, Al-0.5%Mg, and Al-0.5%Si alloys. Observed relaxation spectra were compared with the calculated relaxation functions based on the Monte Carlo simulation to extract the dipolar width (Δ), trapping (νt), and detrapping rates (νd), with the initially trapped muon fraction (P0). The fitting analysis has elucidated that the muon trapping rates depended on the heat treatment and solute concentrations. The dissolved Mg in Al dominated the νt at lower temperatures below 120 K, therefore the similar temperature variations of νt were observed with the samples mixed with Mg. The νt around 200 K remarkably reflected the heat treatment effect on the samples, and the largest νt value was found with the sample annealed at 100°C among Al-1.6%Mg2Si alloys. The as-quenched Al-0.5%Si sample showed significant νt values between 80 and 280 K relating with Si-vacancy clusters, but such clusters disappeared with the natural aged Al-0.5%Si sample.
Stopy Al-1,6%Mg2Si, Al-0,5%Mg i Al-0,5%S poddano badaniu relaksacji spinowej mionów w zerowym polu magnetycznym. Obserwowane widma relaksacyjne porównano z funkcjami relaksacji obliczonymi przy wykorzystaniu symulacji Monte Carlo w celu otrzymania informacji o szerokości dipolarnej Δ (ang. dipolar width) oraz szybkości uwięzienia νt (ang. trapping) i uwolnienia νd (ang. detrapping) z pierwotnie związaną frakcją mionów (P0). Z przeprowadzonej analizy wynika, że szybkość uwięzienia mionów zależy od zastosowanej uprzednio obróbki cieplnej oraz stężenia pierwiastków domieszki. W przypadku Mg rozpuszczonego w osnowie Al dominowała szybkość νt w temperaturach poniżej 120 K, dlatego też w próbkach domieszkowanych Mg obserwowano podobne odchylenia temperaturowe szybkości νt. Szybkość νt w temperaturze około 200 K doskonale ukazuje wpływ zastosowanej obróbki cieplnej na omawiane próbki, z których najwyższą wartość νt wykazały te wyżarzane w 100°C spośród stopów Al-1,6%Mg2Si. Próbka Al-0,5%Si wykazała znaczące wartości νt pomiędzy temperaturami 80 a 280 K wskazujące na aglomeracje wakancji Si, które jednak zanikają po naturalnym starzeniu stopu Al-0.5%Si.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2A; 925-929
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies