Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Mathieu, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Elementary operators still not elementary?
Autorzy:
Mathieu, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/254820.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
spectral isometries
elementary operators
Jordan isomorphisms
Opis:
Properties of elementary operators, that is, finite sums of two-sided multiplications on a Banach algebra, have been studied under a vast variety of aspects by numerous authors. In this paper we review recent advances in a new direction that seems not to have been explored before: the question when an elementary operator is spectrally bounded or spectrally isometric. As with other investigations, a number of subtleties occur which show that elementary operators are still not elementary to handle.
Źródło:
Opuscula Mathematica; 2016, 36, 6; 787-797
1232-9274
2300-6919
Pojawia się w:
Opuscula Mathematica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Light Scattering Investigations of Magnetic Anisotropies in Ultrathin Epitaxial Co Films
Autorzy:
Hillebrands, B.
Krams, P.
Fassbender, J.
Mathieu, C.
Güntherodt, G.
Jungblut, R.
Johnson, M. T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1861065.pdf
Data publikacji:
1994-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.30.Gw
75.30.Pd
75.30.Ds
78.35.+c
Opis:
Using Brillouin light scattering, the properties of magnetic anisotropies in ultrathin epitaxial Co films grown on single-crystal Cu substrates are investigated. All relevant magnetic anisotropy contributions are determined, in situ in an ultrahigh vacuum system for the (001)-oriented films, as well as ex situ for other film orientations, which are covered with a Cu cap layer. For (001)-oriented films we find a large in-plane anisotropy contribution of fourfold symmetry. For this contribution the volume and the surface part cancel to zero at the same thickness as found for the onset of ferromagnetic order. This finding is indicative for a stabilization of ferromagnetic order in Co/Cu(001) by in-plane anisotropy contributions. In (1 1 13)-oriented films, which are composed of (001)-terraces aligned along the [11̅0]-direction and spaced by 6.5 atomic distances, an additional uniaxial in-plane anisotropy contribution is found which is identified as being of magneto-elastic origin. For (110)-oriented films three ranges of thickness dependence of the in-plane and out-of-plane anisotropy contributions are found which correlate in the thin-film regime with the growth properties. (111)-oriented films show a linear dependence of the perpendicular anisotropy on the reciprocal film thickness over the full investigated thickness range of 2 to 20 Å.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 85, 1; 179-193
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic Properties of Short Period InGaMnAs/InGaAs Superlattices
Autorzy:
Sadowski, J.
Mathieu, R.
Svedlindh, P.
Kanski, J.
Karlsteen, M.
Świątek, K.
Domagała, J. Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035614.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.75.+a
75.50.Pp
75.25.+z
Opis:
We have observed a paramagnetic-to-ferromagnetic phase transition in short period InGaMnAs/InGaAs superlattices. The thicknesses of magnetic InGaMnAs layers in the structures studied was chosen to be 4 or 8 molecular layers (12Å or 24Å). The non-magnetic InGaAs spacer layers are 12Å thick. The composition (In content) in InGaMnAs and InGaAs was chosen in such a way that magnetic layers were: deep potential wells, high potential barriers, or shallow potential wells. For superlattices with 8 monolayer thick InGaMnAs magnetic layers and 4 monolayer thick InGaAs non-magnetic spacers the temperatures of paramagnetic-to-ferromagnetic phase transition do not depend on the band offsets between InGaMnAs and InGaAs adjusted by the In content.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 687-694
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies