Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Marczewski, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-9 z 9
Tytuł:
A versatile tool for extraction of MOSFETs parameters
Autorzy:
Tomaszewski, D.
Kociubiński, A.
Marczewski, J.
Kucharski, K.
Domański, K.
Grabiec, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308856.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
MOSFETs parameters
SPICE
least squares method
Opis:
Extraction of MOSFET parameters is a very important task for the purposes of MOS integrated circuits characterization and design. A versatile tool for the MOSFET parameter extraction has been developed in the Institute of Electron Technology (IET). It is used to monitor the technologies applied for fabrication of several groups of devices, e.g., CMOS ASICs, SOI pixel detectors. At present two SPICE MOSFET models (LEVEL = 1, 2) have been implemented in the extraction tool. The LEVEL = 3 model is currently being implemented. The tool combines different methods of parameter extraction based on local as well as global fitting of models to experimental data.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 129-134
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An Influence of Silicon Substrate Parameters on a Responsivity of MOSFET-Based Terahertz Detectors
Autorzy:
Kucharski, K.
Zagrajek, P.
Tomaszewski, D.
Panas, A.
Głuszko, G.
Marczewski, J.
Kopyt, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1186027.pdf
Data publikacji:
2016-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.Tv
85.60.Gz
42.79.Pw
Opis:
Silicon n-channel MOS transistors are a promising solution for sub-terahertz radiation detection. Their sensitivity is strongly related to the device construction. A type and thickness of the device substrate are key parameters affecting the responsivity, because the silicon substrate is a medium for the radiation propagation and the radiation energy loss, which degrades the detection efficiency. This work is aimed at analysis of the silicon substrate characteristics effect on operation of the MOSFETs as the terahertz radiation sensors. A manufacturing of the MOSFETs on three different substrate types including changing the substrate thickness is described in the paper. Next, the fabricated devices were exposed to THz radiation and their photoresponses were measured. It may be concluded that MOSFETs on silicon-on-insulator wafers with locally thinned substrates demonstrate the highest photoresponse. However, the experiments with the MOSFETs on high resisivity wafers give also promising results.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1193-1195
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
CMOS Readout Circuit Integrated with Ionizing Radiation Detectors
Autorzy:
Szymański, A.
Obrębski, D.
Marczewski, J.
Tomaszewski, D.
Grodner, M.
Pieczyński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226502.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
readout electronics
ASIC
SOI
ionizing radiation detectors
Opis:
This paper describes the work performed in ITE on integration in one CMOS chip the ionizing radiation detectors with dedicated readout electronics. At the beginning, some realizations of silicon detectors of ionizing radiation are presented together with most important issues related to these devices. Next, two developed test structures for readout electronics are discussed in detail together with main features of non-typical silicon proces deployed.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 1; 117-124
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Larix x marschlinsii Coaz 'Arrowhead', the new name for the cultivar previously described as 'Grot'
Autorzy:
Marczewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/888628.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Dendrologiczne
Tematy:
Larix x marschlinsii
synonym
Larix x eurolepis
plant cultivar
tree
new cultivar
Arrowhead cultivar
new name
Grot cultivar
larch
nomenclature
ornamental tree
seedling
selection
Źródło:
Rocznik Polskiego Towarzystwa Dendrologicznego; 2015, 63
2080-4164
2300-8326
Pojawia się w:
Rocznik Polskiego Towarzystwa Dendrologicznego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New woody cultivars from the Botanical Garden of the Polish Academy of Sciences
Nowe odmiany drzew z Ogrodu Botanicznego PAN w Powsinie
Autorzy:
Marczewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/888586.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Dendrologiczne
Tematy:
Botanical Garden of the Polish Academy of Sciences
new cultivar
wood cultivar
Carpinus betulus
Ginkgo biloba
Liriodendron tulipifera
Picea abies
Thuja occidentalis
Opis:
The paper describes 11 new woody cultivars selected in Botanical Garden PAS in the years 1977-2009. The new cultivars include: seedlings of Picea pungens found in Podzamcze Nurseries with shoots and needles similar to Picea abies ‘Virgata’; plants selected from seedlings of Carpinus betulus ‘Pendula’ of very variable shapes, from depressed shrubby forms to tall trees with shapely pendant shoots; new yellow-leaved Thuja occidentalis with intensive colours and shape similar to Thuja occidentalis ‘Malonyana’ (it was selected from its seedling); a new form of delicately yellow-leaved Ginkgo biloba; and one cultivar of Liriodendron tulipifera with slightly conical, regular shape and strong growth habit.
Źródło:
Rocznik Polskiego Towarzystwa Dendrologicznego; 2009, 57
2080-4164
2300-8326
Pojawia się w:
Rocznik Polskiego Towarzystwa Dendrologicznego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On Trap Generation in SiO$\text{}_{2}$ Films of Si MOSFETS by Hot Electrons
Autorzy:
Strzałkowski, I.
Marczewski, M.
Kowalski, M.
Jastrzębski, C.
Bąkowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921597.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Jv
73.40.Qv
73.60.Hy
Opis:
Trap generation in amorphous SiO$\text{}_{2}$ films with thickness about 500 Å was studied by nonavalanche injection of hot electrons. The trap density, the electron capture cross-section of native and generated traps and the effective trap generation constant for the oxide fields of 1-4 MV/cm, injected charge density up to 3 × 10$\text{}^{19}$ e/cm$\text{}^{-2}$ and injected current density in the range 2-300 μA/cm$\text{}^{2}$ were determined and discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 685-688
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Sepsis caused by Chromobacterium violaceum – probably the first case in Europe, or Macbeth read anew
Autorzy:
Jędruszczak, A.
Węgrzyn-Bąk, M.
Budzyńska-Nosal, R.
Maciejewski, M.
Marczewski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2085058.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Instytut Medycyny Wsi
Tematy:
infection
sepsis
bacteria
medicine
climate change
Chromobacterium violaceum
Opis:
Rare diseases, almost by definition, present us with diagnostic as well as therapeutic difficulties as. They also include infectious diseases outside endemic areas. Without expecting them, we are not preparing to fight them. Like Macbeth, we feel safe, convinced that tropical diseases do not reach us, like Birnam forest towards his castle. Nevertheless, the forest moved according to the prophecy of the three witches, and in a similar way tropical flora is moving towards us according to the predictions of environmentalists. This is illustrated by the history of the presented patient, who was admitted to hospital because of sepsis caused by Chromobacterium violaceum (CV), a Gram-negative facultatively anaerobic, oxidase- positive bacterium producing a dark violet antioxidant pigment called violacein. This is probably the first documented case report of sepsis in this part of the world. To the best of the authors’ knowledge, the patient is the first to require dialysis after Chromobacterium violaceum infection.
Źródło:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2019, 26, 3; 508-510
1232-1966
Pojawia się w:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Silencing expression of the CBP80 gene for engineering drought-tolerant Solanum tuberosum plants
Autorzy:
Wyrzykowska, A.
Pieczynski, M.
Marczewski, W.
Hennig, J.
Dolata, J.
Bielewicz, D.
Piontek, P.
Krusiewicz, D.
Strzelczyk-Zyta, D.
Konopka-Postupolska, D.
Krzeslowska, M.
Jarmolowski, A.
Szweykowska-Kulinska, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/79805.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
conference
climate change
CBP80 gene
Solanum tuberosum
plant
drought tolerance
transgenic plant
water shortage
Źródło:
BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology; 2013, 94, 3
0860-7796
Pojawia się w:
BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
TSSOI as an efficient tool for diagnostics of SOI technology in Institute of Electron Technology
Autorzy:
Barański, M.
Domański, K.
Grabiec, P.
Grodner, M.
Jaroszewicz, B.
Kociubiński, A.
Kucewicz, W.
Kucharski, K.
Marczewski, J.
Niemiec, H.
Sapor, M.
Tomaszewski, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308825.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
SOI CMOS technology
pixel detector
test structure
Opis:
This paper reports a test structure for characterization of a new technology combining a standard CMOS process with pixel detector manufacturing technique. These processes are combined on a single thick-_lm SOI wafer. Preliminary results of the measurements performed on both MOS SOI transistors and dedicated SOI test structures are described in detail.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 85-93
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-9 z 9

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies