Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Malevich, V." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Monte Carlo Simulation of Dember Effect in n-InAs under Subpicosecond Laser Pulse Excitation
Autorzy:
Malevich, V. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041676.pdf
Data publikacji:
2005-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.40.+w
78.47.+p
78.20.Bh
Opis:
Monte Carlo method is used to simulate photo-Dember effect and generation of electromagnetic terahertz pulses in n-InAs excited by femtosecond laser radiation. Dynamics of electric field and transport of carriers were considered self-consistently. It is shown that, under excitation of semiconductor by laser pulses with photon energies<1.1 eV, the Dember photovoltage reaches a peak value (it can be in tens times larger than the typical Dember photo-electromotive force at stationary illumination) through 50-100 fs after excitation and then fades while oscillating with plasma frequency. Excitation of semiconductor by radiation with a greater photon energy (>1.1 eV) results in inter-valley transfer of photoelectrons and the photovoltage to decrease.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 169-173
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Terahertz Emission from the Surfaces of InAs and Other Narrow-Gap Semiconductors
Autorzy:
Adomavičius, R.
Krotkus, A.
Molis, G.
Urbanowicz, A.
Malevich, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813200.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.65.Re
07.57.Hm
78.47.-p
72.30.+q
Opis:
THz pulses were used to investigate carrier dynamics in narrow-gap semiconductors. The measurement of the optically induced THz pulse absorption transients provided important insights into electron energy relaxation in the conduction band. In the second set of experiments, THz generation from the surfaces of various semiconductors was studied and compared. It was found that the most efficient THz emitters are semiconductors with a narrow band gap, large intervalley separation in the conduction band, and low nonparabolicity of the main valley.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 859-862
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Terahertz Generation from Femtosecond-Laser-Excited GaAs Surface Due to Electric-Field-Induced, Optical Rectification
Autorzy:
Malevich, V.
Ziaziulia, P.
Manak, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813211.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.65.Re
42.65.Ky
73.30.+y
Opis:
The dynamics of the depletion field screening induced by photoexcited carriers and THz generation caused by the electric-field-induced optical rectification are simulated for GaAs surface excited by femtosecond laser radiation on the basis of an ensemble Monte Carlo method. The results show that the photocarrier-induced screening occurs on a subpicosecond time scale and THz pulse essentially changes its wave form depending on excitation pulse duration and fluence. The possibility to use the depletion electric field induced THz generation for study of subpicosecond electric field screening dynamics is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 887-890
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies