Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Makino, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Preferentially Oriented Growth of L1₀ FePt on Si Substrate
Autorzy:
Kaushik, N.
Sharma, P.
Tanaka, S.
Makino, A.
Esashi, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1387798.pdf
Data publikacji:
2015-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.20.En
75.50.Ss
75.50.Vv
75.70.Ak
Opis:
Tilting the magnetic easy axis of L1₀ FePt and/or introducing a magnetic buffer layer is most effective in realizing the L1₀ based magnetic recording media. Here we report on preferentially oriented growth of L1₀ FePt with tilted magnetic easy axis. FePt films of thickness up to 170 nm were deposited on Si substrate with a soft magnetic underlayer of glassy FeSiB, FeSiBP and CoFeTaB. Effects of processing conditions on the structural and magnetic properties were studied. A polycrystalline growth of FePt (i.e. mixed orientation) was observed with the underlayer of FeSiB and FeSiBP, but CoFeTaB promotes preferentially oriented growth along (111) crystallographic direction. Compared to FePt films grown on Si substrate, coercivity $(H_{c})$ reduces significantly with the introduction of soft magnetic underlayer. The magnetic easy axis of (111) L1₀ FePt is tilted 36 out of plane and it is very promising for tilted magnetic recording media.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 2; 611-613
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bond-Selective Excitation and Following Displacement of Ge Atoms in $GeTe//Sb_{2}Te_{3}$ Superlattice
Autorzy:
Makino, K.
Tominaga, J.
Kolobov, A.
Fons, P.
Hase, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1489973.pdf
Data publikacji:
2012-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.47.J-
63.22.Np
63.20.kd
63.20.kk
Opis:
Phase change random access memory devices made from chalcogenides compounds, such as $Ge_{2}Sb_{2}Te_{5}$, have attracted much attention because of their high-speed read-write and low power consumption capabilities. The phase change in $Ge_{2}Sb_{2}Te_{5}$ is thought to be characterized by the displacement of Ge atoms, accompanying relaxation of surrounding Sb and Te atoms. Here we examine a new approach, that is the manipulation of Ge-Te bonds using linearly-polarized femtosecond near-infrared optical pulses. As a result, p-polarized pump pulses are found to be more effective in inducing the precursor of phase change, probably due to the atomic arrangements along the unique axis of the superlattice structure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 2; 336-339
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
NADPH-dependent alkenal-one oxidoreductase (AOR) supported the growth and the acclimation to the high light in Arabidopsis thaliana
Autorzy:
Saito, R.
Ifuku, K.
Sato, F.
Sakamoto, K.
Ikeda, K.
Tamoi, M.
Yamamoto, H.
Sugimoto, T.
Yamauchi, Y.
Amako, K.
Shimakawa, G.
Makino, A.
Miyake, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/80923.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
conference
Arabidopsis thaliana
detoxification
reactive carbonyl
sugar metabolism
photosynthesis
acrolein
methylglyoxal
alkenal oxidoreductase
Źródło:
BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology; 2013, 94, 2
0860-7796
Pojawia się w:
BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies