Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Major, Łukasz" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
An Analysis of Mechanical and Tribological Properties of Zr/Zr2N Multilayer Coatings
Analiza właściwości mechanicznych i tribologicznych powłok wielowarstwowych Zr/Zr2N
Autorzy:
Kot, Marcin
Lackner, Jurgen
Major, Łukasz
Szczęch, Marcin
Wiązania, Grzegorz
Zimowski, Sławomir
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/190502.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
multilayer coatings
PVD
nanohardness
friction
wear
powłoki wielowarstwowe
nanotwardość
tarcie
zużycie
Opis:
The paper presents the analysis of effect of the Zr to Zr2N layer thickness ratios of 1:1, 1:2, and 1:4 on the mechanical properties of Zr /Zr2N multilayer coatings. With the increase in the amount of the ceramic phase in the multilayer coating, an increase in hardness from 11 to 14.5 GPa and Young's modulus from 158 to 211 GPa was observed. This was accompanied by improved scratch resistance as critical load LC2 raises from 17 to over 30 N. A ratio increase from 1:1 to 1:2 caused a 3-fold improvement in the coating wear resistance, which was also accompanied by a change in the wear mechanism. However, there was no further improvement of this parameter with a ratio increase to 1:4. Microscopic analysis of wear tracks, using the TEM technique revealed that the Zr metal layers change the direction of crack propagation. This phenomenon results in the improved fracture resistance of multilayer coatings compared to single coatings. Such a mechanism was even observed for the 1:4 coating with the thinnest 58 nm Zr layers.
W pracy przedstawiono analizę wpływu stosunku grubości warstw Zr i Zr2N 1:1, 1:2 i 1:4 na właściwości mechaniczne powłok wielowarstwowych Zr/Zr2N. Wraz ze wzrostem udziału fazy ceramicznej w powłoce wielowarstwowej obserwowano wzrost jej twardości z 11 do 14,5 GPa i modułu Younga ze 158 do 211 GPa. Towarzyszyła temu także poprawa odporności na zarysowanie, o czym świadczy wzrost wartości obciążenia krytycznego LC2 z 17 do ponad 30 N. Wzrost stosunku z 1:1 do 1:2 powodował 3-krotną poprawę odporności na zużycie powłoki, czemu towarzyszyła także zmiana mechanizmu zużywania. Natomiast nie następowała dalsza poprawa tej cechy przy wzroście stosunku do 1:4. Analizy mikroskopowe torów tarcia przy użyciu techniki TEM wykazały, że warstwy metali Zr powodują zmianę kierunku propagacji pęknięć, co przekłada się na poprawę odporności na pękanie powłok wielowarstwowych w stosunku do powłok pojedynczych. Mechanizm taki obserwowano nawet dla powłoki 1:4, dla której grubość warstwy Zr była najmniejsza i wynosiła 58 nm.
Źródło:
Tribologia; 2019, 286, 4; 15-22
0208-7774
Pojawia się w:
Tribologia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Morphology of an ITO recombination layer deposited on a silicon wire texture for potential silicon/perovskite tandem solar cell applications
Autorzy:
Kulesza-Matlak, Grazyna
Szindler, Marek
Szindler, Magdalena M.
Sypien, Anna
Major, Lukasz
Drabczyk, Kazimierz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/27315696.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
tandem solar cell
silicon nanowires
MAE etching
ITO
recombination layer
Opis:
This paper presents research on the deposition of an indium tin oxide (ITO) layer which may act as a recombination layer in a silicon/perovskite tandem solar cell. ITO was deposited by magnetron sputtering on a highly porous surface of silicon etched by the metal-assisted etching method (MAE) for texturing as nano and microwires. The homogeneity of the ITO layer and the degree of coverage of the silicon wires were assessed using electron microscopy imaging techniques. The quality of the deposited layer was specified, and problems related to both the presence of a porous substrate and the deposition method were determined. The presence of a characteristic structure of the deposited ITO layer resembling a "match" in shape was demonstrated. Due to the specificity of the porous layer of silicon wires, the ITO layer should not exceed 80 nm. Additionally, to avoid differences in ITO thickness at the top and base of the silicon wire, the layer should be no thicker than 40 nm for the given deposition parameters.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, 4; art. no. e148222
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies