Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Majewski, P" wg kryterium: Autor


Tytuł:
Między Hitlerem a Stalinem : wspomnienia dyplomaty i oficera niemieckiego 1931 - 1945
Autorzy:
Herwarth, Hans von.
Współwytwórcy:
Król, Eugeniusz C. Tłumaczenie
Mitek, Tadeusz ( -2012). Recenzja
Wieczorkiewicz, Paweł P. Recenzja
Majewski, Ryszard. Recenzja
Wiśniewska Maria. Recenzja
Zacharias, Michał J. Recenzja
Data publikacji:
1992
Wydawca:
Warszawa : "Bellona"
Tematy:
Hitler, Adolf (1889-1945)
Stalin, Józef (1878-1953)
Opis:
Wspomnienia I sekretarza Ambasady Rzeszy w Moskwie (1939).
Ludzka przyzwoitość w świecie totalitaryzmu.
Patriota czy zdrajca.
Arystokrata w służbie Trzeciej Rzeszy.
Wspomnienia dyplomaty.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Książka
Tytuł:
Ferromagnetism in Cr-Based Diluted Magnetic Semiconductors
Autorzy:
Blinowski, J.
Kacman, P.
Majewski, J. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933725.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.70.Gm
75.50.Pp
75.50.Dd
Opis:
It has been recently established that in zinc chalcogenides with Cr$\text{}^{2+}$ paramagnetic ions the p-d interactions are ferromagnetic. We clarify the origins of this property and make predictions concerning other Cr-based diluted magnetic semiconductors. The observation of the ferromagnetic p-d interaction resuscitated hopes for ferromagnetic d-d exchange interactions in diluted magnetic semiconductors. We have calculated the nearest-neighbor superexchange integrals in Cr-based diluted magnetic semiconductors. No simple correlation between the signs of p-d and d-d interactions has been found. Still, there are extended energy regions where the calculated superexchange is ferromagnetic and the act ual parameters of DMS with Cr$\text{}^{2+}$ seem to match these regions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 683-686
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stability and Band Offsets of Heterovalent SiC/GaN Interfaces
Autorzy:
Städele, M.
Majewski, J. A.
Vogl, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934004.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.Fx
73.20.Dx
Opis:
We present first-principles calculations of structural and electronic properties of heterovalent SiC/GaN [001] interfaces. We have investigated interfaces consisting of one and two mixed layers with lateral c(2 × 2), 2 × 1, 1 × 2, 2 × 2 arrangements. Abrupt polar [001] interfaces are energetically unstable with respect to reconstruction. The preferred bonding configurations are found to be Si-N and Ga-C, which correspond to cation-anion bonding. The valence band offsets of the energetically most favorable structures are 1.39 eV for the interface with a mixed Ga/Si layer and 0.45 eV with a mixed C/N layer, with the top of the valence band lying higher in SiC.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 917-920
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bands, Bonds, and Polarizations in Nitrides - from Electronic Orbitals to Electronic Devices
Autorzy:
Majewski, J. A.
Zandler, G.
Vogl, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2027476.pdf
Data publikacji:
2001-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Kp
77.65.Ly
Opis:
A key property of the nitrides is the fact that they possess large spontaneous and piezoelectric polarization fields that allow a significant tailoring of the carrier dynamics and optical properties of nitride devices. In this paper, based on first-principles calculations of structural and electronic properties of bulk nitrides and their heterostructure, we investigate the potential of this novel material class for modern device applications by performing self-consistent Monte Carlo simulations. Our studies reveal that the nitride based electronic devices have characteristics that predispose them for high power and high frequency applications. We demonstrate also that transistor characteristics are favorably influenced by the internal polarization induced electric fields.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 2; 249-260
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetoresistance and Magnetic Properties of the Double Perovskites
Autorzy:
Philipp, J. B.
Majewski, P.
Reisinger, D.
Geprägs, S.
Opel, M.
Erb, A.
Alff, L.
Gross, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2037043.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.-y
75.50.Cc
75.50.Ss
Opis:
The magnetic double perovskite materials of composition A$\text{}_{2}$BB'O$\text{}_{6}$ with A an alkaline earth ion and B and B' a magnetic and non-magnetic transition metal or lanthanide ion, respectively, have attracted considerable attention due to their interesting magnetic properties ranging from antiferromagnetism to geometrically frustrated spin systems and ferromagnetism. With respect to application in spin electronics, the ferromagnetic double perovskites with BB'= CrW, CrRe, FeMo, or FeRe and A = Ca, Ba, Sr are highly interesting due to their in most cases high Curie temperatures well above room temperature and their half-metallic behavior. Here, we summarize the structural, magnetotransport, magnetic, and optical properties of the ferromagnetic double perovskites and discuss the underlying physics. In particular, we discuss the impact of steric effects resulting in a distorted perovskite structure, doping effects obtained by a partial replacing of the divalent alkaline earth ions on the A site by a trivalent lanthanide as well as B/B' cationic disorder on the Curie temperature T$\text{}_{C}$, the saturation magnetization and the magnetotransport properties. Our results support the presence of a kinetic energy driven mechanism in the ferromagnetic double perovskites, where ferromagnetism is stabilized by a hybridization of states of the non-magnetic B'-site positioned in between the high spin B-sites.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 1-2; 7-26
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pressure Dependence of Elastic Constants in Zinc-Blende III-N and Their Influence on the Light Emission in Nitride Heterostructures
Autorzy:
Łepkowski, S. P.
Majewski, J. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038098.pdf
Data publikacji:
2004-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
62.20.Dc
62.50.+p
Opis:
We studied the nonlinear elasticity effects for the case of III-N compounds. Particularly, we determined the pressure dependences of elastic constants, in zinc-blende InN, GaN, and AlN by performing ab initio calculations in the framework of plane-wave pseudopotential implementation of the density-functional theory. We found significant and almost linear increase in C$\text{}_{11}$, C$\text{}_{12}$ with pressure for considered nitrides compounds. Much weaker dependence on pressure was observed for C$\text{}_{44}$. We also discussed pressure dependences of two-dimensional Poisson's ratio and elastic anisotropy coefficient. Finally, we showed that the pressure dependence of elastic constants results in significant reduction of the pressure coefficient of the energy emission in cubic InGaN/GaN quantum wells and essentially improves the agreement between experimental and theoretical values.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 559-566
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zasada działania i funkcje komputerowego systemu ewidencji i informacji o chemikaliach w szkołach wyższych - iChem
Rules of work and functions of the computer system accounting and information about chemicals in universities - iChem
Autorzy:
Grossman, A. M.
Kasprowski, P.
Majewski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1826203.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
laboratoria chemiczne
odczynniki chemiczne
ochrona środowiska naturalnego
komuterowy system ewidencji
Opis:
Odczynniki chemiczne są charakterystyczną grupą substancji, stwarzających znaczne zagrożenia w trakcie ich przechowywania, transportu, stosowania i eliminacji. W uczelnianych laboratoriach chemicznych i magazynach zostały zgromadzone duże ilości przeterminowanych, w wielu wypadkach zbędnych odczynników. Jednocześnie obserwowana jest tendencja przekazywania do szkół wyższych odczynników z innych jednostek badawczych, szkół i podmiotów gospodarczych, w celu ich wykorzystania, bądź eliminacji. Dla spełnienia wszelkich wymogów w zakresie ochrony środowiska naturalnego ważne jest opracowanie bezpiecznych procedur, przy prowadzeniu prac związanych z porządkowaniem i ścisłą ewidencją zmagazynowanych substancji chemicznych [1÷3]. Likwidacja nadmiernych zapasów odczynników związana jest z wysokimi kosztami, które można obniżyć poprzez wykorzystanie zbędnych odczynników w procesie dydaktycznym, w pracach badawczych lub przez przekazanie innym uczelniom w ramach wymiany. Na przeszkodzie tym działaniom stał brak sprawnego systemu ewidencji odczynników i wymiany informacji. System iChem został zainstalowany na 25 wydziałach chemicznych polskich uczelni, po przeprowadzeniu cyklu szkoleń dla uprzednio wytypowanych w poszczególnych jednostkach administratorów. System iChem umożliwił na wydziałach chemicznych szkół wyższych sporządzenie jednolitej, pełnej ewidencji substancji chemicznych, prowadzenie uproszczonej gospodarki magazynowej oraz udostępnienie w skali ogólnokrajowej informacji o zbędnych odczynnikach. Niezwykle cenne okazało się wprowadzenie do systemu iChem baz danych, zawierających informacje o właściwościach odczynników, w tym obszerne dane dotyczące bezpieczeństwa pracy z danymi chemikaliami, występujących zagrożeń, informacje toksykologiczne, ekologiczne i opis sposobu postępowania z odpadami. Dla większości substancji chemicznych umieszczonych w bazie dostępne są karty bezpieczeństwa odczynników, stanowiące cenne źródło informacji, obowiązujące prawem [6]. Dane te są szczególnie istotne w obecnym okresie przystosowywania laboratoriów badawczych i dydaktycznych do standardów obowiązujących w Unii Europejskiej. Informacje o właściwościach odczynników, w tym również dotyczące bezpieczeństwa pracy z odczynnikami i obszerne dane zawarte w kartach substancji niebezpiecznych, są użytecznym narzędziem dla zapewnienia bezpieczeństwa przy planowania badań naukowych i w prowadzeniu zajęć dydaktycznych oraz mogą stanowić pomoc w likwidacji danych substancji chemicznych w strumieniu odpadów. Część informacyjna bazy dotycząca zagrożeń w pracy z odczynnikami, udostępniona pracownikom oraz studentom, jest wykorzystywana przy opracowywaniu instrukcji bezpiecznej pracy w laboratoriach chemicznych oraz sposobów zagospodarowania odpadów. Z przedstawionej charakterystyki systemu iChem wynika, że może stanowić on przydatne narzędzie nie tylko dla wydziałów chemicznych szkół wyższych, lecz również dla innych wydziałów i instytutów badawczych, wyposażonych w laboratoria chemiczne oraz dla szkół średnich o profilu chemicznym.
System iChem gave for faculties of chemistry in Poland an opportunity to prepare one, full and consolidated registry of chemicals and to provide simplified magazine management. It made also simple and available an exchange of information about spare reagents. Very important property of the system is a possibility of creating the unified database of reagents', including physical and chemical properties and a lot of data about safety, threats and toxicological properties. The database is very easy to maintain and modify so it's still growing, because the users are continually updating it. All users can insert new data to the database on their own iChem server. The data is then gathered and analysed on a special server called "Centrala". When it gets a positive acknowledgement, it's then send to all other iChem servers as an update to the properties database. This technique automatically incorporates the work of a lot of people to maintain and update one unified properties database, what gives it the ability to be as big and precise as it's possible. The safety cards (which are now needed by the Polish law) are included for most reagents and are the valuable source of information. These cards are particularly important as Polish laboratories are trying to adapt research and education to the EU standards. Information about reagents, especially these concerned with safe handling with reagents, and wide information included in dangerous reagents cards are very useful tool for ensure safety in scientific research and students' laboratories, and can be helpful in developing process of destruction of chemical wastes. As for now iChem system was accustomed in 25 chemistry faculties in Poland and its database of reagents properties consists of over 8000 elements. The system is a kind of magazine management system but it's expanded with several important and unique properties: possibility of exchanging information about spare reagents among all iChem servers, predefined, very big and still growing database of reagents, a lot of additional information about safety. Moreover it works with a common Internet browser, so no special software is needed on the user side. This property made it accessible for students and therefore the system database may be easily used by them as a valuable source of information during their own work.
Źródło:
Rocznik Ochrona Środowiska; 2004, Tom 6; 207-222
1506-218X
Pojawia się w:
Rocznik Ochrona Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nonlinear Elasticity in Wurtzite GaN/AlN Planar Superlattices and Quantum Dots
Autorzy:
Łepkowski, S. P.
Majewski, J. A.
Jurczak, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044495.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.-n
62.20.Dc
62.50.+p
Opis:
The elastic stiffness tensors for wurtzite GaN and AlN show a significant hydrostatic pressure dependence, which is the evidence of nonlinear elasticity of these compounds. We have examined how pressure dependence of elastic constants for wurtzite nitrides influences elastic and piezoelectric properties of GaN/AlN planar superlattices and quantum dots. Particularly, we show that built-in hydrostatic pressure, present in both quantum wells of the GaN/AlN superlattices and GaN/AlN quantum dots, increases significantly by 0.3-0.7 GPa when nonlinear elasticity is used. Consequently, the compressive volumetric strain in quantum wells and quantum dots decreases in comparison to the case of the linear elastic theory. However, the z-component of the built-in electric field in the quantum wells and quantum dots increases considerably when nonlinear elasticity is taken into account. Both effects, i.e., a decrease in the compressive volumetric strain as well as an increase in the built-in electric field, decrease the band-to-band transition energies in the quantum wells and quantum dots.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 749-754
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optymalizacja procesów decyzyjnych przy zastosowaniu wybranych metod sztucznej inteligencji
Optimization of decision processes using chosen methods of artificial intelligence
Autorzy:
Nowakowski, K.
Boniecki, P.
Majewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/288891.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Rolniczej
Tematy:
sztuczne sieci neuronowe
system ekspercki
optymalizacja
proces decyzyjny
artificial neural network
expert system
optimization
decision cases
Opis:
Już od dawna ludzie poszukują narzędzi, które pomogłyby im w procesie podejmowania trafnych decyzji. Ze względu na nikłe jak do tej pory sukcesy rozsądnym wydaje się być wykorzystanie w tym celu wybranych metod sztucznej inteligencji. Użycie w/w technologii opartych na symulacji pracy ludzkiego umysłu daje nowe możliwości. Połączenie techniki sztucznych sieci neuronowych i systemów ekspertowych pozwoliło na stworzenie wirtualnych doradców - specjalistów w wybranej dziedzinie. Pozwalają oni skutecznie pomóc w podejmowaniu konkretnych decyzji. Nie zrobią tego za człowieka ale dzięki wykorzystanym technologią mogą pomóc w podjęciu optymalnej decyzji.
Since a long time humans seek tools which would help them take accurate decisions. Because of very little success so far, choosing methods of artificial intelligence seems to be reasonable. Using mentioned technologies based on simulation of work of human mind gives new possibilities. The connection of technique of artificial neural network and expert systems permitted to create virtual advisers' - experts in chosen field. They permit to help treat concrete decisions effectively. They will not make it instead of humans but thanks to used technology they can help undertake optimal decision.
Źródło:
Inżynieria Rolnicza; 2005, R. 9, nr 2, 2; 131-136
1429-7264
Pojawia się w:
Inżynieria Rolnicza
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effects of Nonlinear Elasticity and Electromechanical Coupling on Optical Properties of InGaN/GaN and AlGaN/AlN Quantum Wells
Autorzy:
Łepkowski, S. P.
Majewski, J. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046928.pdf
Data publikacji:
2006-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.De
62.20.Dc
77.65.-j
Opis:
We present theoretical studies of effects of the nonlinear elasticity and the electromechanical coupling on the optical properties of InGaN/GaN and AlGaN/AlN quantum wells. In these structures, due to the lattice misfit between constituents, the quantum wells are compressively strained and the intrinsic hydrostatic pressure is present. Therefore, the nonlinear elasticity is investigated by taking into account the pressure dependence of elastic stiffness tensor for the strained quantum wells. We show that this effect leads to (i) decrease in the volumetric strain and (ii) increase in the polarization-induced built-in electric field in the quantum wells. Consequently, the interband transition energies in the quantum wells decrease when the nonlinear elasticity of nitrides is considered. On the other hand, we show that the effect of electromechanical coupling, i.e., co-existence of ordinary and converse piezoelectric effects results in increase in the interband transition energies in the considered quantum wells. It turns out that the influence of the nonlinear elasticity on the optical properties is stronger than the influence of electromechanical coupling for InGaN/GaN quantum wells, while for AlGaN/GaN the opposite situation is observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 237-242
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modeling of Semiconductor Nanostructures with nextnano$\text{}^{3}$
Autorzy:
Birner, S.
Hackenbuchner, S.
Sabathil, M.
Zandler, G.
Majewski, J. A.
Andlauer, T.
Zibold, T.
Morschl, R.
Trellakis, A.
Vogl, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046896.pdf
Data publikacji:
2006-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.43.Cd
73.21.Fg
73.61.Ey
77.65.Ly
85.30.Tv
73.40.Mr
Opis:
nextnano$\text{}^{3}$ is a simulation tool that aims at providing global insight into the basic physical properties of realistic three-dimensional mesoscopic semiconductor structures. It focuses on quantum mechanical properties such as the global electronic structure, optical properties, and the effects of electric and magnetic fields for virtually any geometry and combination of semiconducting materials. For the calculation of the carrier dynamics a drift-diffusion model based on a quantum-mechanically calculated density is employed. In this paper we present an overview of the capabilities of nextnano$\text{}^{3}$ and discuss some of the main equations that are implemented into the code. As examples, we first discuss the strain tensor components and the piezoelectric effect associated with a compressively strained InAs layer for different growth directions, secondly, we calculate self-consistently the quantum mechanical electron density of a Double Gate MOSFET, then we compare the intersubband transitions in a multi-quantum well structure that have been obtained with a single-band effective mass approach and with an 8-band k·p model, and finally, we calculate the energy spectrum of a structure in a uniform magnetic field.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 111-124
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies