Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Madejczyk, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Osadzanie warstw CdTe na podłożach GaAs metodą rozpylania katodowego
    CdTe sputtered films on GaAs substrates
    Autorzy:
    Madejczyk, P.
    Gawron, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/209837.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
    Tematy:
    CdTe
    rozpylanie katodowe
    podłoża GaAs
    rf sputtering
    GaAs substrates
    Opis:
    W pracy przedstawiono wyniki eksperymentów zmierzających do otrzymania warstw buforowych CdTe na podłożach GaAs. Chropowatość próbek z udanych eksperymentów zawiera się w przedziale 30-40 nm, co wstępnie kwalifikuje te warstwy do dalszych eksperymentów w systemie MOC VD. Uzyskano również dostateczną jednorodność grubości osadzonej warstwy CdTe na całej powierzchni podłoża GaAs. Badania struktury krystalograficznej otrzymanych warstw wykazały istnienie dwóch orientacji (100) i (111), co sugeruje, że otrzymane warstwy nie są monokrystaliczne.
    In this report, the results of CdTe buffer layers deposition on GaAs substrates by RF sputtering are presented. Surface roughness of CdTe layers was in the range from 30 nm to 40 nm. These CdTe layers are promising material as buffer layers for HgCdTe deposition in MOC VD technology. Sufficient thickness uniformity has been achieved on the whole surface of GaAs substrate. X-ray measurements show that deposited CdTe layers have two crystallographic orientations: (100) and (111) what suggest that those layers are not monocrystallic ones.
    Źródło:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2011, 60, 2; 313-320
    1234-5865
    Pojawia się w:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modeling of HgCdTeLWIR detector for high operation temperature conditions
    Autorzy:
    Martyniuk, P.
    Gawron, W.
    Madejczyk, P.
    Rogalski, A.
    Piotrowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/220771.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    HgCdTe
    IR detector
    Auger suppression
    HOT detectors
    Opis:
    The paper reports on the photoelectrical performance of the long wavelength infrared (LWIR) HgCdTe high operating temperature (HOT) detector. The detector structure was simulated with commercially available software APSYS by Crosslight Inc. taking into account SRH, Auger and tunnelling currents. A detailed analysis of the detector performance such as dark current, detectivity, time response as a function of device architecture and applied bias is performed, pointing out optimal working conditions.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2013, 20, 2; 159-170
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of TDMAAs Acceptor Precursor on Performance Improvement of HgCdTe Photodiodes
    Autorzy:
    Madejczyk, P.
    Gawron, W.
    Piotrowski, A.
    Kłos, K.
    Rutkowski, J.
    Rogalski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1506804.pdf
    Data publikacji:
    2010-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.79.Pw
    07.57.Kp
    73.21.Cd
    78.67.Pt
    79.60.Jv
    Opis:
    One of the key factor which determine HgCdTe photodiode quality is acceptor doping efficiency. This paper presents significant progress made over the past three years in development of acceptor doping technology in metalorganic chemical vapour deposition HgCdTe photovoltaic detectors. High acceptor doping is required for $P^{+}$-contact layers, whereas low doping is necessary for p-type absorbing base layer. Previously, $AsH_3$ precursor was used as an acceptor dopant. This precursor is partially incorporated as electrically neutral As-H pairs, which are likely to be recombination centres in HgCdTe and in consequence influence on the carriers lifetime lowering. Substituting of $AsH_3$ by TDMAAs resulted in higher carrier lifetimes and thereby about one order of magnitude higher $R_0A$ product of HgCdTe photodiodes in temperatures close to 230 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 6; 1199-1204
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Theoretical Simulation of a Room Temperature HgCdTe Long-Wave Detector for Fast Response - Operating Under Zero Bias Conditions
    Autorzy:
    Martyniuk, P.
    Kopytko, M.
    Madejczyk, P.
    Henig, A.
    Grodecki, K.
    Gawron, W.
    Rutkowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/221111.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    response time
    unbiased condition
    HgCdTe
    LWIR
    higher operating temperature
    Opis:
    The paper reports on a long-wave infrared (cut-off wavelength ~ 9 μm) HgCdTe detector operating under nbiased condition and room temperature (300 K) for both short response time and high detectivity operation. The ptimal structure in terms of the response time and detectivity versus device architecture was shown. The response time of the long-wave (active layer Cd composition, xCd = 0.19) HgCdTe detector for 300 K was calculated at a level of τs ~ 1 ns for zero bias condition, while the detectivity - at a level of D* ~ 109 cmHz1/2/W assuming immersion. It was presented that parameters of the active layer and P+ barrier layer play a critical role in order to reach τs ≤ 1 ns. An extra series resistance related to the processing (RS+ in a range 5-10 Ω) increased the response time more than two times (τs ~ 2.3 ns).
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 4; 729-738
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies