Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Lukasiewicz, T." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-10 z 30
Tytuł:
Color Centers in $Ca_4GdO(BO_3)_3$ Single Crystals Irradiated by Gamma Quanta
Autorzy:
Potera, P.
Lukasiewicz, T.
Piecuch, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400491.pdf
Data publikacji:
2013-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.40.Fy
78.40.Ha
61.80.-x
78.20.-e
Opis:
The present work is devoted to investigation of optical absorption in pure $Ca_4GdO(BO_3)_3$ single crystals in the spectral range 0.2-1.1 μm induced under influence of the gamma quanta irradiation with absorbed dose $2 \times 10^3$ Gy. The effect of heating in air on the absorption spectrum of irradiated sample is also studied.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 1; 122-124
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stable Color Centers Induced in Pure and Neodymium Doped $Ca_{0.28}Ba_{0.72}Nb_{2}O_{6}$ Crystals by Gamma Irradiation
Autorzy:
Potera, P.
Zhydachevskii, Ya.
Lukasiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398908.pdf
Data publikacji:
2015-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.Ed
61.72.jn
42.70.Nq
Opis:
The work is devoted to investigation of stable coloration induced by gamma radiation from $\text{}^{60}Co$ (1.25 MeV) in pure and neodymium doped $Ca_{0.28}Ba_{0.72}Nb_{2}O_{6}$ single crystals. Nature of the induced absorption is discussed. This absorption is due to charge change of native defects or ions forming of crystals (vacancy, niobium ions, etc.). The nature of color centers responsible for induced absorption is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 3; 753-755
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ promieniowania jonizującego na własności optyczne wybranych kryształów typu ABO3
Ionizing radiation effect on optical properties of some ABO3 crystals lithium niobate (LN) and yttrium alumina (YAP)
Autorzy:
Potera, P.
Łukasiewicz, T.
Świrkowicz, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192068.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
kryształ tlenkowy
ABO3
własności optyczne
oxide crystal
optical properties
Opis:
Praca stanowi syntetyczne ujęcie zagadnień związanych z kompleksowymi badaniami wpływu promieniowania (kwanty gamma, UV, elektrony, szybkie neutrony) na własności optyczne niedomieszkowanych i domieszkowanych wieloskładnikowych kryształów tlenkowych typu ABO3, otrzymanych w ITME: perowskitu itrowo-glinowego i niobianu litu. Zmiany własności optycznych tych kryształów wkutek napromieniowania są wynikiem powstawania centrów barwnych, zarówno poprzez zmianę stanu ładunkowego defektów wzrostowych jak i tworzenia się defektów radiacyjnych w wyniku przemieszczenia atomów.
Comprehensive results of researches about influence of gamma quanta, UV, electrons and fast neutrons radiation on optical properties of undoped and doped multicomponents oxide single crystals ABO3 type: yttrim alumina perovskit (YAP) and lithium nobate (LN). Changes of optical properties as effect of radiation are result of colour centre creation by means of electric charge in genetic defects changes or creation of radiation defects with displacement.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 1, 1; 5-58
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG
Solution growth of 3C-SiC by TSSG method
Autorzy:
Raczkiewicz, M.
Tymicki, E.
Łukasiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192158.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
polityp 3C
SiC
wzrost z roztworu
polytype 3C
solution growth
Opis:
W tej pracy przedstawiono metodę wzrostu węglika krzemu politypu 3C. Jako zarodki posłużyły monokrystaliczne płytki węglika krzemu o politypach heksagonalnych 4H-SiC oraz 6H-SiC. Zbadano wzrost na płaszczyznach o orientacji (0001) oraz (000-1). Określony został zakres temperatur, pozwalający na otrzymanie struktur o wysokiej jednorodności politypowej, która została potwierdzona analizą fazową otrzymanego materiału oraz pomiarami widma Ramana.
In this paper, solution growth of 3C-SiC was demonstrated. Monocrystalline 4H-SiC and 6H-SiC wafers were used as seeds. Growth was observed on (0001) and (000-1) planes. The temperature range enabling the fabrication of 3C-SiC structures of high polytypic homogeneity was determined and 3C-SiC growth was confirmed by XRD and Raman spectroscopy.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 2, 2; 4-11
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Wave Measurements with a Mirage Detection for Investigation of Thermal Diffusivity of $GdCa_4O(BO_3)_3$ Single Crystals
Autorzy:
Bodzenta, J.
Kaźmierczak-Bałata, A.
Łukasiewicz, T.
Hofman, B.
Kucytowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811523.pdf
Data publikacji:
2008-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Tv
42.70.Hj
65.40.-b
66.30.Xj
66.70.-f
Opis:
Single crystals of $GdCa_4O(BO_3)_3$ were examined to determine their thermal properties. Samples were grown by the Czochralski pulling technique. There were three types of samples: a pure crystal, the crystal doped with neodymium (4 at.% of Nd), and the third one doped with ytterbium (7 at.% of Yb). All samples were rectangular prisms with edges parallel to the axes of the optical indicatrix X, Y, Z (principal axes). The thermal diffusivity was determined by means of the thermal wave method with the optical detection of the temperature disturbance based on a mirage effect. Experimental results showed anisotropy of the thermal diffusivity. The thermal diffusivity along Y direction has the highest value while values obtained in X and Z axes are much lower. Dopants cause decrease in the thermal diffusivity for all investigated directions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 6A; A-27-A-32
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spectroscopic and Laser Properties of Different Materials Doped with Pr$\text{}^{3+}$ Ions
Autorzy:
Mierczyk, Z.
Kaczmarek, S.
Kopczyński, K.
Frukacz, Z.
Pracka, I.
Łukasiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1945655.pdf
Data publikacji:
1996-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.70.Hj
78.20.Dj
78.55.Hx
Opis:
Examined praseodymium doped crystals with 1 at.% of Pr$\text{}^{3+}$ ions for Y$\text{}_{3}$Al$\text{}_{5}$O$\text{}_{12}$ (YAG), SrLaGa$\text{}_{3}$O$\text{}_{7}$ (SLGO) hosts and 3 at.% of Pr$\text{}^{3+}$ ions for YAlO$\text{}_{3}$ (YAP) hosts were produced using Czochralski method. The luminescence for the range of 200÷800 nm and absorption spectra for a wide range of 200÷6000 nm, for Pr$\text{}^{3+}$:YAG, Pr$\text{}^{3+}$:SLGO and Pr$\text{}^{3+}$:YAP crystals have been measured. A free-running laser emission of λ=0.744 μm for Pr:YAG and λ=0.729 μm for Pr:SLGO for two different transmissions of output mirrors has been obtained.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 2; 407-410
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Changes in Luminescence of Ce:yag Crystals Under Ionizing Radiation Treatment
Autorzy:
Kaczmarek, S. M.
Moroz, Z.
Kwasny, M.
Kisielewski, J.
Lukasiewicz, T.
Wojtkowska, J.
Rzewuski, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2008301.pdf
Data publikacji:
1999-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ji
61.80.Ed
Opis:
Radiation induced changes in the luminescence spectrum under influence of UV light, γ-rays, electrons and protons for several concentrations of Ce$\text{}^{3+}$ ions as well as Mg$\text{}^{2+}$ ions in yttrium-aluminum garnet crystals were investigated. To irradiate with γ and electron as grown crystals were used while for proton irradiations the crystals were thermally annealed. For small concentrations of cerium ions (≈0.01 at.%) an increase in the luminescence (about 100%) was observed after gamma irradiation with a dose of 10$\text{}^{5}$ Gy. This increase was due to the growth in Ce$\text{}^{3+}$ ions concentration after γ-irradiation (≈50%), due to the Ce$\text{}^{4+}$ → Ce$\text{}^{3+}$ recharging reaction. For highly doped Ce:YAG crystals (0.1 at%, 0.2 at.%) also an increase, but much smaller (4%), for the Mg codoped crystals (0.1 at.%) was observed. After 1 MeV electron irradiation in the over-threshold type interaction a decrease in luminescence is observed due to the domination of the Ce$\text{}^{3+}$ → Ce$\text{}^{4+}$ ionization process. In the case of the proton irradiation, for small fluencies (≈10$\text{}^{13}$ particles/cm$\text{}^{2}$) an increase in luminescence is observed due to the domination of the recharging processes of Ce$\text{}^{4+}$ ions. For larger fluencies (>10$\text{}^{14}$ particles/cm$\text{}^{2}$) a decrease takes place due to a high level of radiation defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1999, 95, 6; 953-964
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-Ray Topographic Studies of Defect Structure in $YVO_4$ Crystals
Autorzy:
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Łukasiewicz, T.
Wierzbicka, E.
Malinowska, A.
Lefeld-Sosnowska, M.
Graeff, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812259.pdf
Data publikacji:
2008-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
Opis:
The perfection of $YVO_4$ crystals, which are predicted to replace formerly used YAG garnets due to higher quantum efficiency and lower excitation level, was studied. The investigations of Czochralski grown undoped $YVO_4$ single crystals were performed mainly by means of X-ray topographic methods. Both synchrotron and conventional X-ray sources were used. The study revealed relatively high density of weak point-like contrasts which can be most probably interpreted as dislocation outcrops. In regions of the crystal close to its boundary we observed glide bands. It was also found that in some regions the dislocations form local subgrain boundaries. The white beam back reflection and monochromatic beam topography allowed to evaluate a local misorientation which not exceeded several angular minutes. No segregation fringes were observed proving a good homogeneity of chemical composition.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 455-461
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of ~^-radiation on Dy[3+] doped LiNbO[3] single crystals
Autorzy:
Kaczmarek, S. M.
Łukasiewicz, T.
Pracka, I.
Jabłoński, R.
Boulon, G.
Kaczmarek, B.
Warchoł, S.
Powiązania:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 1998, nr 7-8, s. 101-112
Data publikacji:
1998
Tematy:
Monokryształy
Kryształy
Promieniowanie
Chemia
Opis:
Wpływ promieniowania gamma na domieszkowane Dy[3+] monokryształy LiNbO[3].
Rys.; bibliogr.; Abstr., Rez., streszcz.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
15R-SiC inclusions in 4H- and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method
Autorzy:
Tymicki, E.
Raczkiewicz, M.
Racka, K.
Grasza, K.
Kościewicz, K.
Diduszko, R.
Mazur, K.
Łukasiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192088.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SiC
15R-SiC
wtrącenie politypowe
metoda PVT
polytype inclusion
PVT method
Opis:
W pracy zaprezentowano wyniki eksperymentów, mających na celu określenie warunków wzrostu kryształów 4H- oraz 6H-SiC wolnych od wtrąceń politypu 15R-SiC. Kryształy SiC otrzymane w procesie krystalizacji metodą transportu fizycznego z fazy gazowej (PVT) zostały zbadane przy użyciu metod badawczych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), dyfrakcja elektronów wstecznie rozproszonych (EBSD), mikroskopia optyczna oraz trawienie chemiczne, pod kątem występowania wtrąceń politypu 15R w strukturach krystalicznych 4H- oraz 6H-SiC. Otrzymane wyniki badań zostały odniesione do parametrów wzrostu tj.: temperatury, ciśnienia, rodzaju materiału wsadowego, oraz jakości i orientacji monokrystalicznego zarodka SiC. Przeprowadzona została dyskusja na temat wpływu warunków wzrostu na powstawanie politypu 15R, z której jednoznacznie wynika, że tworzenie się wtrąceń politypowych 15R w strukturach 4H i 6H wiąże się ze znacznym spadkiem jakości strukturalnej otrzymanych kryształów. Z przeprowadzonych badań wynika, że otrzymanie jednorodnych kryształów politypu 6H i 4H bez wtrąceń 15R-SiC metodą PVT jest trudne ze względu na bardzo szeroki zakres warunków, w których polityp 15R występuje.
In this paper the main problems which have to be resolved to obtain 4H- and 6H-SiC crystals free from 15R-SiC inclusions by the physical vapour transport method (PVT) are presented. The resultant SiC crystals have been investigated using various experimental methods such as X-ray diffraction (XRD), electron backscatter diffraction (EBSD), optical microscopy and KOH etching in order to check the quality of the crystal structure and the amount of the 15R-SiC inclusions. The obtained results have been analysed with reference to the following growth conditions: temperature, pressure, type of the SiC source material and the quality of the crystal seed. The investigations have showed that a serious deterioration of the structural quality is unavoidable when the 15R-SiC polytype occurs in hexagonal polytypes such as 4H- and 6H-SiC. Obtaining homogenious 4H-SiC and 6H-SiC crystals without any 15R-SiC inclusions by the PVT method is difficult due to there being a very wide range of conditions in which the 15R-SiC polytype appears.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 17-27
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-10 z 30

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies