Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Luchechko, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Optical Properties of GGG Epitaxial Films Grown from PbO-B₂O₃-V₂O₅ Flux
Autorzy:
Syvorotka, I.
Sugak, D.
Luchechko, A.
Zhydachevskyy, Ya.
Ubizskii, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1030998.pdf
Data publikacji:
2018-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Lm
78.66.Nk
Opis:
The paper reports a growth of the high-quality Gd₃Ga₅O₁₂ (GGG) homoepitaxial films by the liquid phase epitaxy technique using the PbO-B₂O₃ and PbO-B₂O₃-V₂O₅ fluxes. The influence of the flux composition containing V₂O₅ as well as the growth temperature is discussed basing on the optical absorption and the electron probe micro analysis results.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 4; 954-958
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Origin of point defects in β-Ga₂O₃ single crystals doped with Mg²⁺ ions
Autorzy:
Luchechko, A.
Vasyltsiv, V.
Kostyk, L.
Tsvetkova, O.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1052715.pdf
Data publikacji:
2018-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.-y
78.20.-e
72.40.+w
Opis:
Optical absorption and photoconductivity investigations of nominal pure and Mg²⁺ doped β-Ga₂O₃ single crystals have been carried out. Additional bands in the UV (3.6-4.6 eV) and near-IR (0.4-1.2 eV) spectral regions were found in optical absorption and photoconductivity spectra. A correlation between Mg²⁺ doping, annealing in oxygen atmosphere as well as optical absorption and photoconductivity bands were established in gallium oxide. Electronic transitions from shallow traps and F-centers were observed in the IR spectral region (0.4-1.2 eV). Absorption and photoconductivity in the UV region are related to deep acceptor levels created by native defects and impurities.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 4; 811-815
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Recombination Luminescence in $Ca_{3-x}Cd_xGa_2Ge_3O_{12}$ Garnets Doped with $Eu^{3+}$ Ions
Autorzy:
Kostyk, L.
Luchechko, A.
Novosad, S.
Panasyuk, M.
Rudko, M.
Tsvetkova, O.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398246.pdf
Data publikacji:
2018-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Hx
78.60.Kn
78.70.En
Opis:
The results of the investigations of X-ray excitation spectra, thermostimulated luminescence and influence of light illumination on the thermoluminescence glow curves of $Eu^{3+}$-doped $Ca_{3-x}Cd_xGa_2Ge_3O_{12}$ garnet polycrystalline samples are presented. It is shown that $Ca_{3-x}Cd_xGa_2Ge_3O_{12}$ polycrystalline samples are characterized by intrinsic luminescence, which consists of several components. The nature of intrinsic luminescence is discussed. It is suggested that the nature of thermoluminescence glow peak near 150 K is connected with the $[(V_{Ge}+V_{O})^{-}-F^+]$ associations formed under X-ray irradiation at 85 K. The influence of light illumination on the TSL intensity of the preliminary X-ray irradiated samples is shown.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 4; 943-947
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Luminescence of $CdWO_4$:Tb,Li Crystals under Synchrotron Excitation at 10 K
Autorzy:
Novosad, S.
Kostyk, L.
Novosad, I.
Luchechko, A.
Stryganyuk, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1418270.pdf
Data publikacji:
2012-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.-m
Opis:
The luminescent properties of $CdWO_4$:Tb,Li crystals have been investigated at 10 K in the region 4-25 eV using synchrotron excitation. It is shown that besides the intrinsic matrix luminescence the number emission lines due to electron f-f-transitions in $Tb^{3+}$ ions are efficiently excited at near-edge region of the fundamental absorption ($E_\text{exc}$ = 4.1 eV). The weak recombination luminescence of terbium impurity on the background of intensive matrix luminescence is observed under excitation in the region of fundamental absorption ($E_\text{exc}$ = 5.4 and 13.8 eV). It is shown that the luminescence spectrum of the matrix is a superposition of three elementary bands 2.07, 2.47, and 2.73 eV. The nature of emission bands is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 4; 717-720
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Absorption and Luminescence of $Gd_{3}Ga_{5}O_{12}:Cr,Mg$ Epitaxial Films
Autorzy:
Zakharko, Ya.
Syvorotka, I.
Luchechko, A.
Sugak, D.
Vakiv, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1550184.pdf
Data publikacji:
2010-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.sd
78.20.-e
78.55.Hx
Opis:
The optical absorption, emission spectra and luminescence decay kinetics under photoexcitation of $Gd_{3}Ga_{5}O_{12}$ (GGG) garnet epitaxial films doped with $Cr^{3+}$ ions and co-doped with $Cr^{3+}$ and $Mg^{2+}$ ions have been investigated. Luminescence of the GGG:Cr films due to $\text{}^{4}T_{2}$ → $\text{}^{4}A_{2}$ and $\text{}^{2}E$ → $\text{}^{4}A_{2}$ transitions in $Cr^{3+}$ ions have been observed. Increase of the activator ions concentration has an influence on the intensity and decay time of $Cr^{3+}$ ions photoluminescence. Introduction of the magnesium ions leads to partial transformation of chromium valence state $(Cr^{3+} \rightarrow Cr^{4+})$ and to the appearance of a broad absorption band with the maximum at 860 nm. The narrow lines with luminescence maxima at 704 and 706 nm have arisen in the highly doped GGG:Cr,Mg films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 1; 111-113
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies