Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Liou, J.J." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Evolution and recent advances in RF/microwave transistors
Autorzy:
Liou, J.J.
Schwierz, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308200.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
microwave devices
RF devices
heterostructures
HEMT
HBT
frequency limits
RF CMOS
Opis:
Most applications for radio frequency/microwave (thereafter called RF) transistors had been military oriented in the early 1980s. Recently, this has been changed drastically due to the explosive growth of the markets for civil wireless communication systems. This paper gives an overview on the evolution, current status, and future trend of transistors used in RF electronic systems. Important background, development and major milestones leading to modern RF transistors are presented. The concept of heterostructure, a feature frequently used in RF transistors, is discussed. The different transistor types and their figures of merit are then addressed. Finally an outlook of expected future developments and applications of RF transistors is given.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 99-105
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On the extraction of threshold voltage, effective channel length and series resistance of MOSFETs
Autorzy:
Ortiz-Conde, A.
Garcia Sánchez, F.J.
Liou, J.J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309320.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
threshold voltage
channel length
series resistance
parameter extraction
Opis:
The first part of this article presents the modeling of the long-channel bulk MOSFET as a particular case of the SOI MOSFET. The second part reviews compares and scrutinizes various methods to extract the threshold voltage, the effective channel and the individual values of drain and source resistances. These are important device parameters for modeling and circuit simulation.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 43-58
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies