Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Leszczyński, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 51
Tytuł:
Epitaxial Layers Versus Bulk Single Crystals of GaN. Temperature Studies of Lattice Parameters and Energy Gap
Autorzy:
Teisseyre, H.
Perlin, P.
Leszczyński, M.
Suski, T.
Dmowski, L.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Jun, J.
Moustakas, T. D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1873040.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
65.70.+y
78.50.Ge
78.66.Fd
Opis:
Gallium nitride epitaxial layer grown by molecular beam epitaxy and bulk crystal grown at high pressure were examined by using X-ray diffraction methods, and by optical absorption at a wide temperature range. The free electron concentration was 6 × 10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$ for the layer and about 5 × 10$\text{}^{19}$ cm$\text{}^{-3}$ for the bulk crystal. The experiments revealed a different position of the absorption edge and its temperature dependence for these two kinds of samples. The structural examinations proved a significantly higher crystallographic quality of the bulk sample. However, the lattice constants of the samples were nearly the same. This indicated that a rather different electron concentration was responsible for the different optical properties via Burstein-Moss effect.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 403-406
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Pressure Freeze-out of Electrons in Undoped GaN Crystal. Proof of Existence of Resonant Donor State (Nitrogen Vacancy)
Autorzy:
Perlin, P.
Teisseyre, H.
Suski, T.
Leszczyński, M.
Grzegory, I.
Jun, J.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931916.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
71.55.Eq
Opis:
We investigated free carriers related optical absorption in GaN in hydrostatic pressures up to 30 GPa. The disappearance of this absorption at pressures close to 18 GPa was explained by trapping electrons resulting from the shift of nitrogen vacancy related donor level into the GaN energy gap at high pressure. We estimated the energetic position of this level at atmospheric pressure to be about 0.8 eV above the conduction band minimum.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 141-143
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Resistivity GaN Single Crystalline Substrates
Autorzy:
Porowski, S.
Boćkowski, M.
Łucznik, B.
Grzegory, I.
Wróblewski, M.
Teisseyre, H.
Leszczyński, M.
Litwin-Staszewska, E.
Suski, T.
Trautman, P.
Pakuła, K.
Baranowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968415.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:
High resistivity 10$\text{}^{4}$-10$\text{}^{6}$ Ω cm (300 K) GaN single crystals were obtained by solution growth under high N$\text{}_{2}$ pressure from melted Ga with 0.1-0.5at.% of Mg. Properties of these crystals are compared with properties of conductive crystals grown by a similar method from pure Ga melt. In particular, it is shown that Mg-doped GaN crystals have better structural quality in terms of FWHM of X-ray rocking curve and low angle boundaries. Temperature dependence of electrical resistivity suggests hopping mechanism of conductivity. It is also shown that strain free GaN homoepitaxial layers can be grown on the Mg-doped GaN substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 958-962
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Polarity Related Problems in Growth of GaN Homoepitaxial Layers
Autorzy:
Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Śliwinski, A.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Beaumont, B.
Gibart, P.
Barski, A.
Langer, R.
Knap, W.
Frayssinet, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991873.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Vv
65.70.+y
Opis:
Homoepitaxial layers of GaN were grown by metalorganic chemical vapour deposition on single crystals obtained by high-pressure, high-temperature technology. For each metalorganic chemical vapour deposition run, four samples were placed, (00.1) and (00.1̲) faces of the Mg-doped insulating and undoped highly-conductive substrates. The layers were examined using X-ray diffraction, photoluminescence and far-infrared reflectivity. It was found that the (00.1̲) easier incorporates donors resulting in higher free-electron concentrations in the layers grown on these sides of the crystals, both, undoped and Mg-doped.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 427-430
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Blue Laser on High N$\text{}_{2}$ Pressure-Grown Bulk GaN
Autorzy:
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Krukowski, S.
Łucznik, B.
Wróblewski, M.
Weyher, J.
Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Czernecki, R.
Lehnert, J.
Nowak, G.
Perlin, P.
Teisseyre, H.
Purgał, W.
Krupczyński, W.
Suski, T.
Dmowski, L.
Litwin-Staszewska, E.
Skierbiszewski, C.
Łepkowski, S.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030423.pdf
Data publikacji:
2001-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Opis:
In this note we report briefly on the details of pulsed-current operated "blue" laser diode, constructed in our laboratories, which utilizes bulk GaN substrate. As described in Ref. [1] the substrate GaN crystal was grown by HNPSG method, and the laser structure was deposited on the conducting substrate by MOCVD techniques (for the details see Sec. 2 and Sec. 4 of Ref.~[1], respectively).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 229-232
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Application of High Pressure in Physics and Technology of III-V Nitrides
Autorzy:
Grzegory, I.
Leszczyński, M.
Krukowski, S.
Perlin, P.
Suski, T.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030388.pdf
Data publikacji:
2001-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.-h
78.66.Fd
73.61.Ey
82.60.Lf
78.55.Cr
Opis:
Due to high bonding energy of N$\text{}_{2}$ molecule, the III-V semiconducting nitrides, especially GaN and InN require high N$\text{}_{2}$ pressure to be stable at high temperatures necessary for growth of high quality single crystals. Physical properties of GaN-Ga(l)-N$\text{}_{2}$ system are discussed in the paper. On the basis of the experimental equilibrium p-T-x data and the quantum-mechanical modeling of interaction of N$\text{}_{2}$ molecule with liquid Ga surface, the conditions for crystallization of GaN were established. The crystals obtained under high pressure are of the best structural quality, having dislocation density as low as 10-100 cm$\text{}^{-2}$ which is several orders of magnitude better than in any other crystals of GaN. The method allows to grow both n-type substrate crystals for optoelectronics and highly resistive crystals for electronic applications. The physical properties of the pressure grown GaN measured to characterize both point defects and extended defects in the crystal lattice are discussed in the paper. A special attention is paid to the application of high pressure to reveal the nature of the point defects in the crystals and electric fields in GaN-based quantum structures. Due to their very high structural quality, the pressure grown crystals are excellent substrates for epitaxial growth of quantum structures. It opens new possibilities for optoelectronic devices, especially short wavelength high power lasers and efficient UV light emitting diodes. This is due to the strong reduction in dislocation densities in relation to existing structures (10$\text{}^{6}$-10$\text{}^{8}$ cm$\text{}^{-2}$) which are grown on strongly mismatched sapphire and SiC substrates. The experimental results on the epitaxial growth and physical properties of GaN-based device structures supporting above conclusions are discussed in the paper. The current development of blue laser technology in High Pressure Research Center is shortly reviewed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 57-109
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Relationship between Sample Morphology and Carrier Diffusion Length in GaN Thin Films
Autorzy:
Godlewski, M.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Böttcher, T.
Figge, S.
Hommel, D.
Czernecki, R.
Prystawko, P.
Leszczynski, M.
Perlin, P.
Wisniewski, P.
Suski, T.
Bockowski, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035593.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
61.72.Mm
68.37.Hk
78.60.Hk
Opis:
Scanning and spot-mode cathodoluminescence investigations of homo- and hetero-epitaxial GaN films indicate a surprisingly small influence of their microstructure on overall intensity of a light emission. This we explain by a correlation between structural quality of these films and diffusion length of free carriers and excitons. Diffusion length increases with improving structural quality of the samples, which, in turn, enhances the rate of nonradiative recombination on structural defects, such as dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 627-632
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cathodoluminescence Profiling of InGaN-Based Quantum Well Structures and Laser Diodes - In-Plane Instabilities of Light Emission
Autorzy:
Godlewski, M.
Ivanov, V. Yu.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Böttcher, T.
Figge, S.
Hommel, D.
Czernecki, R.
Prystawko, P.
Leszczynski, M.
Perlin, P.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036870.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
61.72.Mm
68.37.Hk
78.60.Hk
Opis:
Instabilities of light emission and also of stimulated emission in series of GaN epilayers and InGaN quantum well structures, including laser diode structures, are studied. A stimulated emission is observed under electron beam pumping. This enabled us to study light emission properties from laser structures and their relation to microstructure details. We demonstrate large in-plane fluctuations of light emission and that these fluctuations are also present for excitation densities larger than the threshold densities for the stimulated emission.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 689-694
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Luminescence in Highly Excited InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Grown on GaN and Sapphire Substrates
Autorzy:
Miasojedovas, S.
Juršėnas, S.
Kurilčik, G.
Žukauskas, A.
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Leszczyński, M.
Perlin, P.
Suski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038288.pdf
Data publikacji:
2004-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.45.+h
78.47.+p
78.67.De
Opis:
We report on high-excitation luminescence spectroscopy in In$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$N/GaN multiple quantum wells grown by MOCVD over sapphire and bulk GaN substrates. High excitation conditions enabled us to achieve a screening of the built-in field by free carriers. This allowed for the evaluation of the influence of band potential fluctuations due to the variation in In-content on efficiency of spontaneous and stimulated emission. InGaN/GaN multiple quantum wells grown on bulk GaN substrate exhibit a significantly lower stimulated emission threshold and thus enhanced lateral emission. Transient and dynamic properties of luminescence indicate a significant reduction in compositional disorder in homoepitaxially grown structures
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 2; 273-279
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Light Emission Properties of GaN-Based Laser Diode Structures
Autorzy:
Godlewski, M.
Phillips, M. R.
Czernecki, R.
Targowski, G.
Perlin, P.
Leszczyński, M.
Figge, S.
Hommel, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043715.pdf
Data publikacji:
2005-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.-z
78.60.Hk
68.37.Hk
Opis:
Cathodoluminescence is applied for evaluation of in-depth and in-plane variations of light emission from two types of GaN-based laser diode structures. We evaluate in-depth properties of the laser diode emission and demonstrate that potential fluctuations still affect emission of laser diodes for e-beam currents above thresholds for a stimulated emission.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 675-680
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stimulated Emission from the MBE Grown Homoepitaxial InGaN Based Multiple Quantum Wells Structures
Autorzy:
Ivanov, V.
Godlewski, M.
Miasojedovas, S.
Juršėnas, S.
Kazlauskas, K.
Žukauskas, A.
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Leszczyński, M.
Perlin, P.
Suski, T.
Grzegory, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1179597.pdf
Data publikacji:
2005-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.21.Fg
72.20.Jv
78.47.+p
Opis:
We report on photoluminescence characterization of InGaN based laser structures grown by homoepitaxial radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy. Owing to Si doped barriers, the structures show a negligible impact of the built-in electric field, which was proved by excitation intensity dependent and quantum well width dependent luminescence experiments. Relatively low variation in band potential due to inhomogeneous distribution of In was quantitatively estimated from the photoluminescence temperature behavior using Monte Carlo simulation of in-plane carrier hopping and optically detected cyclotron resonance experiments. Efficient stimulated emission with a low threshold for optically pumped laser structures was observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 225-229
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Design station for fault tolerant control systems
Stanowisko projektowania systemów sterowania tolerujących uszkodzenia
Autorzy:
Wasiewicz, P.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/258270.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Eksploatacji - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
sterowanie tolerujące uszkodzenia
FTC
zabezpieczenia systemu
rekonfiguracja systemu
detekcja i lokalizacja uszkodzeń
FDI
fault tolerant control
system protection
system reconfiguration
fault detection and isolation
Opis:
The presented station prepared for the design of fault tolerant control (FTC) systems has been created in the Institute of Automatic Control and Robotics at Warsaw University of Technology. It consists of the hydraulic installation equipped with Emerson's instrumentation, DeltaV-control system and AMandD-advanced monitoring and diagnostic system. The fault tolerance of certain sensors, controllers, actuators, and process components can be achieved by the use of functional redundancy, which consists in the performance of appropriate changes in the operation manner of the faulty system. The various industrial FTC applications and new diagnostic-protection algorithms can be developed on the basis of considered station.
Zaprezentowano stanowisko do projektowania systemów sterowania tolerujących uszkodzenia (FTC) opracowane i zrealizowane w Instytucie Automatyki i Robotyki Politechniki Warszawskiej. Składa się ono z instalacji hydraulicznej wyposażonej w oprzyrządowanie firmy Emerson, system sterowania Delta V oraz zaawansowany system monitorowania i diagnostyki procesów AMandD. Tolerowanie uszkodzeń urządzeń pomiarowych i wykonawczych oraz elementów instalacji technologicznej jest osiągane poprzez zastosowanie redundancji funkcjonalnej polegającej na dokonywaniu odpowiednich zmian w sposobie działania uszkodzonego systemu. Stanowisko umożliwia przygotowywanie przemysłowych aplikacji systemów FTC oraz opracowywanie nowych algorytmów diagnostyczno-zabezpieczających.
Źródło:
Problemy Eksploatacji; 2006, 2; 99-111
1232-9312
Pojawia się w:
Problemy Eksploatacji
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Power Continuous Wave Blue InAlGaN Laser Diodes Made by Plasma Assisted MBE
Autorzy:
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Wiśniewski, P.
Perlin, P.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Cywiński, G.
Smalc, J.
Grzanka, S.
Grzegory, I.
Leszczyński, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047002.pdf
Data publikacji:
2006-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
85.35.Be
42.60.By
73.21.Cd
Opis:
Room temperature, continuous wave operation of InGaN multi-quantum wells laser diodes made by rf plasma assisted molecular beam epitaxy at 411 nm wavelength is demonstrated. The threshold current density and voltage were 4.2 kA/cm$\text{}^{2}$ and 5.3 V, respectively. High optical power output of 60 mW was achieved. The lifetime of these laser diodes exceeds 5 h with 2 mW of optical output power. The laser diodes are fabricated on low dislocation density bulk GaN substrates, at growth conditions which resembles liquid phase epitaxy. We demonstrate that relatively low growth temperatures (600-700°C) pose no intrinsic limitations for fabrication of nitride optoelectronic components by plasma assisted molecular beam epitaxy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 345-351
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Numeryczne badanie wpływu orientacji wzmocnienia na własności aerosprężyste laminatowych płyt wolnonośnych
Numerical investigations of an effect of reinforcement direction on aeroelastic properties of laminated cantilevered plates
Autorzy:
Olejnik, A.
Kachel, S.
Rogólski, R.
Leszczyński, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/208467.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
flatter
laminat
aerodynamika niestacjonarna
metoda elementów skończonych
analiza drgań własnych
flutter
laminate
unsteady
aerodynamics
finite elements method
free vibrations
analysis
Opis:
Niniejszy artykuł dotyczy zagadnienia optymalizacji aerosprężystego układu powierzchniowego w odniesieniu do struktury laminatowej. Przy wspomaganiu komercyjnego pakietu obliczeniowego wykonano serie analiz w zakresie statyki, dynamiki i flatteru wolnonośnych płyt wykonanych z laminatu węglowego. Próba znalezienia optymalnych cech aerosprężystych rozpatrywanych modeli polega na dobraniu najbardziej korzystnej orientacji ułożenia tkaniny względem kierunku odniesienia. Celem doboru różnych kątów ukierunkowania tkaniny jest wybranie konfiguracji o najlepszych własnościach ze względu na odkształcalność statyczną i niestateczność dynamiczną spowodowaną drganiami samowzbudnymi. Dla zaprezentowanych konfiguracji konstrukcyjnych wykonano cykl obliczeń w celu określenia wielkości odkształceń oraz krytycznych prędkości flatteru. Wyniki analiz przedstawiono na rysunkach oraz wykresach ilustrujących zmianę badanego parametru w obliczeniowym zakresie kątów orientacji wzmocnienia.
This paper concerns optimization of aeroelastic surface-shaped system in relation to laminated structure. By the use of one commercial computing program, some analyses were performed on static displacement, dynamics and flutter of cantilevered plates made of carbon fiber laminate. The trial to estimate optimal aeroelastic properties of the considered models consists in matching the best carbon fabric orientation in respect of main reference direction. There could be many laminate orientations in range of 0-90° and the main task is to select the one that gives best properties in respect of static deformations and dynamic instability due to flutter. Some numerical computations were performed for the discussed structure configurations in order to determine displacement sizes and critical flutter airspeeds. The results were shown in the pictures and diagrams illustrating the change of the examined parameter in a computational range of reinforcement orientation angles.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2006, 55, 4; 45-70
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Identyfikacja aerosprężystych własności laminatowej konstrukcji nośnej na przykładzie koncepcyjnego samolotu szkolno-treningowego
Identification of aeroelastic properties of composite airframe structure for one concept jet trainer
Autorzy:
Olejnik, A.
Kachel, S.
Rogólski, R.
Leszczyński, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/209677.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
mechanika
flatter
kompozyty warstwowe
metoda elementów skończonych
drgania własne
odtwarzanie geometrii
mechanics
flutter
laminate-composite materials
finite element method
normal modes
geometry redesigning
Opis:
W opracowaniu przedstawiono rozwiązanie zagadnienia aerosprężystej niestateczności kompozytowej konstrukcji płatowcowej. Wdrożono wyznaczania krytycznej prędkości i postaci flatteru samolotu przy wspomaganiu komercyjnego pakietu obliczeniowego. W oparciu o dyskretny model struktury do analiz metodą elementów skończonych oraz model panelowy do aerodynamiki niestacjonarnej wyznaczono numerycznie prędkości wystąpienia drgań samowzbudnych. W ramach nadawania własności materiałowych elementom wirtualnej struktury zrealizowano koncepcję modelowania kompozytu warstwowego. Model obliczeniowy konstrukcji zweryfikowano na podstawie wyników doświadczalnych badań stoiskowych.
The paper presents a solution of aeroelastic instability phenomena of composite airframe. A method of critical flutter airspeed evaluation was applied by support of professional software package. Numerical values of self-excited vibration velocities were determined on the basis of integrated aeroelastic model including a structural FEM model and a panel aero model for unsteady aerodynamics. A conception of laminate composite modelling was put into effect. The aircraft structure discreet model was verified then by equalling the results and the results from test-bed experiments.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2007, 56, 3; 73-110
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 51

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies