Autor: Lenkiewicz, E. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Badanie produktów spożywczych na zawartość insektycydów chloroorganicznych
Issledovanie piszevyh produktov na soderzhanie hlororganiceskih insekticidov
Investigation of the contents of chloroorganic insecticides, residues in food products
Autorzy:: Parys, J.
Cwiertniewska, E.
Cierenkiewicz, E.
Dominska, J.
Andrelowicz, A.
Biskupek, H.
Kosakiewicz-Mrowka, M.
Seweryn, T.
Lenkiewicz, Z.
Makowiecki, W.
Korczynska, C.
Chomicka, S.
Jarysz, M.
Rosiak, T.
Zielinska, K.
Lipinski, Z.
Fabianska, A.
Muzyka, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/876154.pdf
Data publikacji:: 1971
Wydawca:: Narodowy Instytut Zdrowia Publicznego. Państwowy Zakład Higieny
Tematy:: produkty spozywcze
zawartosc insektycydow
insektycydy chloroorganiczne
badania naukowe
zywnosc pochodzenia zwierzecego
zywnosc pochodzenia roslinnego
DDT
HCH
Źródło:: Roczniki Państwowego Zakładu Higieny; 1971, 22, 2
0035-7715
Pojawia się w:: Roczniki Państwowego Zakładu Higieny
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Materiały do epidemiologii parazytoz województwa olsztyńskiego. II. Przypadek muszycy wewnątrzgałkowej u czteroletniego chłopca
Some materials to the epidemilogy of parasitoses in the Olsztyn Province. II. A case of intrabulbar ophthalmomuiosis in a four-year old boy
Materialy ehpidemiologii parazitov ol'shtynskogo voevodstva. II. Sluchajj vnutriglaznogo miaza u chetyrekhletnego mal'chika
Autorzy:: Lenkiewicz, E.
Antonowicz, K.
Romaniuk, K.
Tarczyński, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2176461.pdf
Data publikacji:: 1973
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Źródło:: Wiadomości Parazytologiczne; 1973, 19, 2; 169-178
0043-5163
Pojawia się w:: Wiadomości Parazytologiczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Możliwości zastosowania metody ciekłoscyntylacyjnej oraz ICP-MS w kontroli jakości opakowań ekologicznych
The applicability of the method of liquid scintillation and ICP-MS in the quality control of ecological packaging
Autorzy:: Lenkiewicz, M.
Paprotny, W.
Ślęzak, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/392137.pdf
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Ceramiki i Materiałów Budowlanych
Tematy:: opakowanie ekologiczne
biopolimer
węgiel pochodzenia biologicznego
zawartość metali ciężkich
kontrola jakości
spektrometria ciekłoscyntylacyjna
spektrometria mas ze wzbudzeniem w plazmie indukcyjnie sprzężonej
ICP-MS
ecological packaging
biopolymer
biobased carbon
heavy metals content
quality control
liquid scintillation spectrometry
inductively coupled plasma mass spectrometry
Opis:: Coraz więcej produktów na rynku jest znakowanych określeniami, takimi jak: „biodegradowalne”, „nadające się do kompostowania” lub „pochodzenia naturalnego”. Wiele z nich jest przeznaczonych do przechowywania żywności, występując w postaci tzw. opakowań ekologicznych. W ostatniej dekadzie nastąpił gwałtowny wzrost zainteresowania tymi produktami na rynku. Niektóre z przyczyn leżą po stronie konsumenckiej świadomości i przeświadczeniu o pochodzeniu produktów. Toteż niezbędna jest kontrola jakości takich opakowań. W pracy przedstawiono wyniki badań półproduktów i produktów pod kątem zawartości surowców odnawialnych oraz metali ciężkich. Dokonano również porównania uzyskanych wyników z danymi deklarowanymi przez producentów oraz określono zgodność z obowiązującymi danymi normatywnymi.
More and more products in the market is labeled terms such as „biodegradable”, „compostable”, or „natural”. Many of them intended to hold the food appearing in the form of the ecological packaging. In the last decades there has been a sharp rise in interest in the products on the market. Some of the causes lie with the consumer awareness and belief about the origin of the products, in relation to the depletion of fossil resources and climate change. Therefore, it is necessary to control the quality of packaging. This paper presents the results of research semi-finished products and product, in terms of the content of biobased carbon and heavy metals. Also a comparison with the data declared by the manufacturers and determined compliance with the normative data was made.
Źródło:: Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych; 2016, R. 9, nr 25, 25; 27-34
1899-3230
Pojawia się w:: Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
Autorzy:: Lenkiewicz, D.
Strupiński, W.
Zdunek, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Borysiuk, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Kościewicz, K.
Wesołowski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis:: Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD
The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology
Autorzy:: Wesołowski, M.
Strupiński, W.
Zynek, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Lenkiewicz, D.
Kościewicz, K.
Czołak, D.
Nizel, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192295.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: epitaksja związków półprzewodnikowych
technologia MOCVD
struktura półprzewodnikowa
struktura fotoniczna
zastosowanie komputerów
studnia kwantowa
metody numeryczne
Opis:: Celem artykułu jest przedstawienie oprogramowania komputerowego obejmującego szereg zadań związanych z epitaksją związków półprzewodnikowych. Wśród zadań tych znalazły miejsce: 1. zarządzanie przepływami prekursorów, 2. wspomaganie wytwarzania struktur ze studnią kwantową, 3. analiza struktur fotonicznych, 4. analiza potencjału elektrycznego w strukturach. Weryfikacja oprogramowania podczas pracy z systemem epitaksji MOCVD wykazała, że stanowi ono pozytywny przykład rozwiązania problemu numerycznego wspomagania procesu epitaksji.
Several areas of semiconductor epitaxy can be efficiently assisted by computer recipes, some of these areas are already covered by well developed software units, other still needs such approach. The presentation of a software package combining most important tasks in one utility and some tests with MOCVD are included in this publication. The studied software overcomes following topics: 1. Flow corrections computing for ternary, quaternary or higher order compounds. 2. Analysis of quantum wells in semiconductor structures. 3. Analysis of Bragg reflectors and other 1- dimensional photonic structures. 4. Electrical potential profiling. 5. Calculators for minor epitaxy-related problems. Evaluation of flow corrections computing was tested on MOCVD with InGaAsP/InP, InGaAsP/GaAs, and other quaternaries and ternaries. Beside first order approximation, the process-flows response was exercised with application of "software-learning" empirical approach. Results indicated these functions as comfortable and efficient. The semiconductor quantum well structure analysis performed on AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP and other structures enabled to determine quantum well parameters with high accuracy. The algorithm developed for strained quantum wells was capable to resolve both QW thickness and composition in multiple PL test. The 1- dimensional photonic structure study with InGaAs/InP Bragg reflectors allowed to fit experimental data and resolve structure parameters and uniformity, technological problems with resonant cavities epitaxy have manifested as reduced by application of compiled numerical recipes. The next software area - electrical potential profiling - offered possibility to investigate HEMT structures, prepare potential data for semiconductor quantum well analysis or to forecast depletion regions of test structures. With few other numerical units all algorithms compose a solution of the problem of computer support for epitaxy.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 19-30
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki