Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Lemaître, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Optical Orientation of Trions in Charge-Tunable InAs/GaAs Quantum Dots
Autorzy:
Laurent, S.
Eble, B.
Krebs, O.
Lemaître, A.
Urbaszek, B.
Marie, X.
Amand, T.
Voisin, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038221.pdf
Data publikacji:
2004-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.70.-d
72.25.Fe
73.21.La
78.47.+p
Opis:
We report on optical orientation of excitons and trions (singly charged exciton) in individual charge-tunable self-assembled InAs/GaAs quantum dots. When the number of electrons varies from 0 to 2, the trion photoluminescence under quasi-resonant excitation gets progressively polarized from zero to ≈100%. We discuss this behavior as the efficient quenching of exciton spin quantum beats in anisotropic quantum dots due to the trion formation. This result indicates a long hole-spin relaxation time larger than the radiative lifetime, confirmed by time-resolved photoluminescence measurements carried out on a quantum dots ensemble.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 2; 185-192
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Excitonic Polaritons in Semiconductor Micropillars
Autorzy:
Bajoni, D.
Wertz, E.
Senellart, P.
Miard, A.
Semenova, E.
Lemaître, A.
Sagnes, I.
Bouchoule, S.
Bloch, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811905.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.36.+c
78.45.+h
78.55.Cr
78.67.Pt
Opis:
We describe the physics of cavity polaritons in semiconductor micropillars. Cavity polaritons are exciton-photon entangled states arising from the strong coupling between excitons and the optical modes of a cavity. In micropillars, the photon three-dimensional confinement results in a discrete spectrum of 0D polariton states. Characterization of the linear properties of these micropillars will be presented. Then we will show how this system can be used to generate parametric photons and to obtain polariton lasing.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 933-943
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of an Electric Field on Fine Properties of III-V and II-VI Quantum Dots Systems
Autorzy:
Kowalik, K.
Krebs, O.
Kudelski, A.
Golnik, A.
Lemaître, A.
Senellart, P.
Karczewski, G.
Kossut, J.
Gaj, J.
Voisin, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038219.pdf
Data publikacji:
2004-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.Hc
71.70.Ej
Opis:
We investigate the influence of an electric field on the optical properties of single quantum dots. For sample made of III-V compounds micron-size electro-optical structures were produced in order to apply an electric field in the dot plane. For several individual dots lines significant variations of the anisotropic exchange splitting with the field were observed. On sample made of II-VI compounds we demonstrate the influence of electric field fluctuations on the luminescence of a single quantum dot.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 2; 177-184
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Standardization of the compact model coding: non-fully depleted SOI MOSFET example
Autorzy:
Grabiński, W.
Tomaszewski, D.
Lemaitre, L.
Jakubowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308862.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
Verilog-AMS
compact model coding
SOI MOSFET
Opis:
The initiative to standardize compact (SPICE-like) modelling has recently gained momentum in the semiconductor industry. Some of the important issues of the compact modelling must be addressed, such as accuracy, testing, availability, version control, verification and validation. Most compact models developed in the past did not account for these key issues which are of highest importance when introducing a new compact model to the semiconductor industry in particular going beyond the ITRS roadmap technological 100 nm node. An important application for non-fully depleted SOI technology is high performance microprocessors, other high speed logic chips, as well as analogue RF circuits. The IC design process requires a compact model that describes in detail the electrical characteristics of SOI MOSFET transistors. In this paper a non-fully depleted SOI MOSFET model and its Verilog-AMS description will be presented.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 135-141
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies