Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Labbani, R." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Simulation of Carbon Ions Interactions with Monocrystalline Silicon Targets
Autorzy:
Bouguerra, A.
Labbani, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402536.pdf
Data publikacji:
2015-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Bh
85.40.Ry
Opis:
In this work, several phenomena related to carbon ion implantation into Si(100) targets were simulated. The investigation was performed using Crystal-TRIM code (crystal-transport and range of ions in matter) under different conditions. In particular, we simulated the carbon profiles with respect to: (i) ions beam (energy, dose, orientation); (ii) substrate (temperature, crystallographic orientation). Two particular cases were taken into account: (i) implantation of 80 keV C⁺ to a fluence of 2.7× 10¹⁷ ion/cm² at room temperature; (ii) implantation of 40 keV C⁺ to a fluence of 6.5× 10¹⁷ ion/cm² at substrate temperature of 400°C. For both cases, we used a tilt angle of 7°. Several results were obtained and compared with the Rutherford backscattering spectroscopy and elastic recoil detection analysis results provided by literature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 2B; B-67-B-70
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Experimental characterization of antimony dopant in silicon substrate
Autorzy:
Serrar, H.
Labbani, R.
Benazzouz, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1065353.pdf
Data publikacji:
2016-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.U-
68.55.Ln
85.40.Ry
Opis:
Ion implantation is a method largely used to fabricate shallow junctions in the surface target. However, the ions are randomly redistributed and a huge damage is generated in the sample. Annealing treatments are thus necessary to restore defects and to activate the dopant. Among several elements, antimony is particularly attractive since it has low diffusivity in silicon which means that is suitable to obtain ultra shallow junctions. Moreover, antimony is attractive in many applications such as the fabrication of transistors and infrared detectors. In this work, the electrical activation of antimony is studied in case of silicon target.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 1; 51-54
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies