Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kurpiewski, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Electrical and Optical Properties of Highly Non-stoichiometric GaAs
    Autorzy:
    Kurpiewski, A.
    Korona, K.
    Kamińska, M.
    Palczewska, M.
    Jagadish, C.
    Williams, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1876991.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.90.+f
    78.30.Er
    Opis:
    The studies of transport and optical properties of GaAs implanted with high arsenic doses were performed. As-implanted samples showed hopping conductivity and the exponential absorption tail in the near-IR region. Both effects were probably caused by the amorphization of implanted layer. Using EPR measurements it was found that arsenic antisite defect with high local strain field was created during implantation. Annealing of implanted layers at 600°C led to substantial removal of amorphization, decrease in absorption coefficient and hopping conductivity leading to resistive samples. The possible model of such behaviour may be similar to the one of suggested for low temperature GaAs layers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 518-522
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultrafast Carrier Trapping and High Resistivity of MeV Energy Ion Implanted GaAs
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Jasiński, J.
    Kurpiewski, A.
    Kamińska, M.
    Jagadish, C.
    Tan, H. H.
    Krotkus, A.
    Marcinkevicius, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1951117.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Vv
    72.20.Jv
    72.80.Ey
    Opis:
    Semi-insulating GaAs wafers were implanted with MeV As, Ga, O or Si ions at doses ranging from 1×10$\text{}^{14}$ to 5×10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$. Their structural properties were studied by electron microscopy and the Rutherford backscattering-channeling. Time resolved photoluminescence, electrical conductivity and the Hall effect were used to determine carrier lifetime and electrical properties of the material. Annealing of the samples at 600°C led to the recovery of transport in conduction band. The As, Ga and O implanted samples became semi-insulating, while the Si implanted samples were n-type. Carrier trapping times were short, shorter than 1 ps for the highest dose used. Models explaining the fast photocarrier decay are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 851-854
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Role of Arsenic Antisite Defect in Nonstoichiometric Gallium Arsenide
    Autorzy:
    Jasiński, J.
    Kurpiewski, A.
    Korοna, K.
    Kamińska, M.
    Ρalczewska, M.
    Krotkus, A.
    Marcinkievicius, S.
    Liliental-Weber, Z.
    Tan, H. H.
    Jagadish, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933772.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Er
    73.90.+f
    Opis:
    Over the last few years there have been many studies of GaAs layers grown at low temperatures (180-300°C), so called LT GaAs. The interest in LT GaAs was motivated by the potential application of 600oC annealed LT GaAs in microwave and fast optoelectronic devices because of its short photocarrier lifetime, reasonable mobility and high resistivity. These properties are associated with the nonstoichiometry of LT GaAs. Recently, studies of comparable material, nonstoichiometric GaAs produced by arsenic ion implantation have been initiated. There is still a strong controversy as to whether the arsenic antisite (As$\text{}_{Ga}$) or arsenic precipitates are responsible for unique electrical properties of both materials. This paper presents the results of structural and electrical studies of high energy As implanted GaAs and comments on relationships between the structure and the resulting electrical properties.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 747-750
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Endoscopic, histological and molecular markers of Aberrant Crypt Foci (ACF)
    Endoskopowe, histopatologiczne i molekularne wykładniki Aberrant Crypt Foci (ACF)
    Autorzy:
    Kowalczyk, M.
    Pesta, W.
    Zinkiewicz, K.
    Pedrycz, A.
    Paśnik, K.
    Siermontowski, P.
    Orłowski, M.
    Kurpiewski, W.
    Juśkiewicz, W.
    Kowalczyk, I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/366601.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Medycyny i Techniki Hiperbarycznej
    Tematy:
    colorectal cancer
    chromoendoscopy
    ACF
    rak jelita grubego
    chromoendoskopia
    Opis:
    According to the Vogelstein theory, the carcinogenesis model in colorectal cancer is one of the best-characterized models of a multistep and multilevel process associated with the progression from normal colonocyte through aberrant crypt foci (ACF) and adenoma with dysplasia to invasive carcinoma. ACF are not visible in standard colonoscopy but are well identified with the use of highmagnification chromoendoscopy with methylene blue or indigo carmine staining. As compared with endoscopic images of normal crypts, ACF orifices appeared 2-3 times larger and had a thicker epithelial lining of a fissured and/or stellate shape, and, moreover, the mucosa staining in the ACF area was much more intense. Under a microscope ACF agglomerations were noted, consisting of several to 200 intestinal glands characterised by various types of lesions (hyperplastic or dysplastic) affecting both the cyto- and histo-architecture. The distribution of ACF correlates well with adenomas and predilection area for the occurrence of polyps, as well as colorectal cancer (CRC) localization. The epidemiologic, genetic and enzymatic chance of ACF occurrence should be similar to that of adenomas and CRC, and their presence is a good predictor of future CRC development. ACF may be precursors of adenoma and colon cancer in APC and a K-ras-dependent pathways, as well as a rare pathogenetic pathway evoked by microsatellite instability (MSI) combined with DNA hypermethylation. ACF are the first morphologically identifiable (endoscopically and microscopically) precursors of colorectal cancer.
    Zgodnie z teorią Vogelsteina karcinogeneza w raku jelita grubego (RJG) jest wieloetapowym i wielopoziomowym procesem zaburzenia regulacji dojrzewania nabłonka błony śluzowej jelita, począwszy od prawidłowej komórki macierzystej tego nabłonka, przez ogniskanieprawidłowych krypt jelitowych (ACF),następnie stadium gruczolaka/dysplazji, na gruczolakoraku kończąc. ACF są niewidoczne w rutynowej kolonoskopii, natomiast dobrze identyfikowalne w kolonoskopii o wysokiej rozdzielczości, połączonej z barwieniem błony śluzowej jelita grubego, przy użyciu błękitu metylenowego lub indygokarminu. W porównaniu z obrazem endoskopowym prawidłowych krypt, w ACF ujście krypt jest 2-3x większe, szczelinowatego i/lub gwiazdkowatego kształtu, przy czym te krypty są otoczone pogrubiałym nabłonkiem a na obszarze ACF błona śluzowa jelita grubego intensywniej chłonie (ciemniejsze wybarwianie się) znacznikowy barwnik. W badaniu mikroskopowym ACF stwierdza się gniazda składające się z od kilku do 200 gruczołów jelitowych, objętych różnego typu zmianami (rozrostowymi i/lub dysplastycznymi) dotyczącymi zarówno cyto-, jak i histoarchitektoniki. Rozmieszczenie ACF w jelicie grubym dobrze koreluje z obszarem predylekcyjnym dla występowania zarówno polipów, jak i dla raka jelita grubego. Uwarunkowania epidemiologiczne, genetyczne i enzymatyczne w ACF są podobne do występujących w gruczolakach i RJG, wobec czego obecność ACF może być dobrym wskaźnikiem ryzyka wystąpienia RJG. ACF mogą być prekursorami gruczolaków i RJG powstających na dwóch szlakach patogenetycznych karcinogenezy: klasycznym szlaku związanym z mutacją genów APC i K-ras oraz z rzadszym szlakiem patogenetycznym, spowodowanym niestabilnością mikrosatelitarną (MSI), połączoną z hipermetylacją DNA. ACF są powszechnie uważane za pierwsze identyfikowalne morfologicznie (endoskopowo i mikroskopowo) prekursory raka jelita grubego.
    Źródło:
    Polish Hyperbaric Research; 2013, 3(44); 97-109
    1734-7009
    2084-0535
    Pojawia się w:
    Polish Hyperbaric Research
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies