Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Kulik, O." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-6 z 6
Tytuł:
Kriterii dinamicheskogo uravnoveshivanija privodnogo mekhanizma reshetnykh stanov zernoochistitelnojj mashiny
Criteria dynamic balancing drive mechanism sieve grain cleaners
Autorzy:
Loveykin, V.
Kulik, V.
Kulik, O.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/76589.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Komisja Motoryzacji i Energetyki Rolnictwa
Tematy:
drive mechanism
drive shaft
inertia force
sieve
grain cleaning
dynamic imbalance
Opis:
Приведены исследования динамической неуравновешенности приводных механизмов решетных станов зерноочистительных машин в зависимости от угла смещения эксцентриков приводного механизма решетных станов.
Shows research the dynamic imbalance drivers sieve grain cleaners, depending on angle of offset eccentric drive mechanism sieve.
Źródło:
Motrol. Motoryzacja i Energetyka Rolnictwa; 2013, 15, 3
1730-8658
Pojawia się w:
Motrol. Motoryzacja i Energetyka Rolnictwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Binocular technical vision for wheeled robot controlling
Бинокулярное техническое зрение для управления колесным роботом
Autorzy:
Kulik, A.
Dergachov, K.
Radomskyi, O.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/374443.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Śląska. Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
Tematy:
binocular technical vision
wheeled robot
controlling using camera
widzenie obuoczne techniczne
robot na kółkach
sterowanie za pomocą aparatu
Opis:
Proposed model of technical vision system use for supplementation and clarifying information about surround objects classes and distances, received by driver.
Предложена модель применения системы технического зрения для дополнения и уточнения информации, получаемой водителем транспортного средства, о характере и расстояниях до окружающих транспортное средство объектов.
Źródło:
Transport Problems; 2015, 10, 1; 55-62
1896-0596
2300-861X
Pojawia się w:
Transport Problems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nanocrystal- and Dislocation-Related Luminescence in~Si Matrix with InAs Nanocrystals
Autorzy:
Komarov, F.
Vlasukova, L.
Milchanin, O.
Mudryi, A.
Zuk, J.
Pyszniak, K.
Kulik, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504152.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.-w
78.60.Fi
Opis:
We have studied the influence of ion implantation and post-implantation annealing regimes on the structural and optical properties of silicon matrix with ion-beam synthesized InAs nanocrystals. (100) Si wafers were implanted at 25 and 500°C, subsequently with high fluences of As and In ions. After implantation the samples were processed by furnace and rapid thermal annealing at 900, 950 and 1050°C. A part of the samples implanted at 25°C was additionally exposed to $H_2^{+}$ ions (100 keV, 1.2 × $10^{16} cm^{-2}$ in terms of atomic hydrogen). This procedure was performed to obtain an internal getter. In order to characterize the implanted samples transmission electron microscopy and low-temperature photoluminescence techniques were employed. It was demonstrated that by introducing getter, varying the ion implantation temperature, ion fluences and post-implantation annealing duration, and temperature it is possible to form InAs nanocrystals in the range of sizes of 2-80 nm and create various concentration and distribution of different types of secondary defects. The last ones cause in turn the appearance in photoluminescence spectra dislocation-related D1, D2 and D4 lines at 0.807, 0.870 and 0.997 eV, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 204-207
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Ion Implantation on Magnetic Structural and Optical Properties of (Ga,Mn)As Epitaxial Films
Autorzy:
Yastrubchak, O.
Kulik, M.
Żuk, J.
Domagała, J.
Szymczak, R.
Wosiński, T.
Sadowski, J.
Tóth, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812027.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
78.30.Fs
Opis:
We performed implantation experiments, applying both the chemically active oxygen ions and inactive ions of neon noble gas, to thin epitaxial films of (Ga,Mn)As ferromagnetic semiconductor. Inspection of their magnetic properties by means of a superconducting quantum interference device magnetometer revealed that the implantation with a low dose of either O or Ne ions completely suppressed ferromagnetism in the films. Both the high resolution X-ray diffraction technique and the Raman spectroscopy showed significant changes in the structural and optical properties of the films caused by oxygen implantation and confirmed the preservation of high structural and optical quality of the neon implanted (Ga,Mn)As films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1445-1450
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ion Beam Synthesis of InAs Nanocrystals in Si: Influence of Thin Surface Oxide Layers
Autorzy:
Komarov, F.
Vlasukova, L.
Milchanin, O.
Greben, M.
Komarov, A.
Mudryi, A.
Wesch, W.
Wendler, E.
Zuk, J.
Kulik, M.
Ismailova, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400427.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.-x
61.72.Ff
63.20.-e
78.66.-w
Opis:
Nanosized crystallites have been synthesized in the Si and $SiO_2//Si$ structures by means of As (170 keV, $3.2 × 10^{16} cm^{-2}$) and In (250 keV, $2.8 × 10^{16} cm^{-2}$) implantation at 25C and 500C and subsequent annealing at 1050C for 3 min. The Rutherford backscattering, transmission electron microscopy, and photoluminescence techniques were used to analyse the impurity distribution as well as the structural and optical characteristics of the implanted layers. It was found that oxidation of samples before thermal treatment significantly reduced the As and In losses. A broad band in the region of 1.2-1.5 μm was detected in the photoluminescence spectra. The highest photoluminescence yield for the samples after "hot" implantation and annealing was obtained. Anodic oxidation of the implanted samples before annealing results in the additional increase of photoluminescence yield.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 809-812
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Slow Positron Beam Studies of the Stainless Steel Surface Exposed to Sandblasting
Autorzy:
Horodek, P.
Dryzek, J.
Kobets, A.
Kulik, M.
Lokhmatov, V.
Meshkov, I.
Orlov, O.
Pavlov, V.
Rudakov, A.
Sidorin, A.
Siemek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1336525.pdf
Data publikacji:
2014-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.70.Bj
82.80.Yc
61.82.Bg
Opis:
The paper presents slow positron beam studies of the stainless steel grade 304 AISI samples annealed in the flow $N_2$ atmosphere and sandblasted under different pressure from 1 to 7 bar. Heating of specimens caused formation of an additional layer on the surface which can be identified as oxides. Sandblasting reduces the thickness of the oxide layer and also defects concentration (vacancies as we suppose) decreases in dependence on pressure applied during blasting. Additionally, the atomic concentrations of oxygen have been obtained using nuclear methods (Rutherford backscattering and nuclear reactions) in the near surface layers of the studied samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 3; 714-717
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-6 z 6

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies