Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Kulbachinskii, V." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Enhancement of Electron Mobility and Photoconductivity in Quantum Well $In_{0.52}Al_{0.48}As//In_{0.53}Ga_{0.47}As//In_{0.52}Al_{0.48}As$ οn InP Substrate
Autorzy:
Kulbachinskii, V.
Lunin, R.
Yuzeeva, N.
Galiev, G.
Vasilievskii, I.
Klimov, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399881.pdf
Data publikacji:
2013-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.10.-d
73.21.Fg
73.63.Hs
Opis:
Isomorphic $In_{0.52}Al_{0.48}As//In_{0.53}Ga_{0.47}As//In_{0.52}Al_{0.48}As$ quantum well structure on InP substrate were grown by molecular beam epitaxy. We investigated the electron transport properties and mobility enhancement in the structures by changing of doping level, the width d of quantum well $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ or by illumination using light with λ = 668 nm. Persistent photoconductivity was observed in all samples due to spatial separation of carriers. We used the Shubnikov-de Haas effect to analyze subband electron concentration and mobility. The maximal mobility was observed for quantum well width d = 16 nm.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 2; 345-348
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies