Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kruszka, K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Linkages in Pisum L. VII. Locus for the sterile gene calf [cabbage leaf]
    Autorzy:
    Swiecicki, W K
    Wolko, B.
    Kruszka, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048286.pdf
    Data publikacji:
    1998
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Pisum
    monohybrid segregation
    gene expression
    linkage
    chromosome map
    mutation
    leaf
    cabbage leaf
    genetic analysis
    dihybrid segregation
    F2 population
    Opis:
    Genetical analyses were conducted to find linkages and the locus of the gene calf on the Pisum chromosome map. The recessive, pleiotropic gene calf (enlarged and undulated leaflets, stipules, flowers and pods, plant sterile), artificially induced (the initial line-Large Podded G-20, the mutagene-DES and NMU) was described by Sharma in 1975. An identical mutant gene at the same locus was isolated in our research (the initial line - cv. Pegro, the mutagene - fast neutrons). Two lines were included in the Pisum gene bank - the type line for the gene calf - Wt 15873 and the representative line - Wt 16024. In linkage studies the representative line was crossed with tester lines bearing gene markers. Analyses of dihybrid segregation in F₂ generations revealed linkages of the gene calf with chromosome 2 markers. Two isozymic markers helped to reveal the calf locus on chromosome 2 with the following gene order: Orp - Calf - K - Pgm-p - Fum. This is in agreement with the current Pisum linkage map.
    Źródło:
    Journal of Applied Genetics; 1998, 39, 2; 163-169
    1234-1983
    Pojawia się w:
    Journal of Applied Genetics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Isozyme and RAPD markers for the identification of pea, field bean and lupin cultivars
    Autorzy:
    Wolko, B
    Swiecicki, W.K.
    Kruszka, K.
    Irzykowska, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2043430.pdf
    Data publikacji:
    2000
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Lupinus angustifolius
    legume crop
    isoenzyme
    morphological marker
    electrophoresis
    breeding selection
    allozyme
    Lupinus albus
    seed
    lupin cultivar
    pea cultivar
    field bean
    polymorphism
    Lupinus luteus
    germ plasm
    Vicia faba var.minor
    enzyme system
    cultivar identification
    DNA
    Pisum sativum
    Źródło:
    Journal of Applied Genetics; 2000, 41, 3; 151-165
    1234-1983
    Pojawia się w:
    Journal of Applied Genetics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High temperature-regulated expression of microRNAs in barley
    Autorzy:
    Kruszka, K.
    Swida-Barteczka, A.
    Pacak, A.
    Karlowski, W.
    Jarmolowski, A.
    Szweykowska-Kulinska, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/80830.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    conference
    small RNA
    microRNA
    gene expression
    high temperature
    barley
    biogenesis
    stress condition
    Źródło:
    BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology; 2013, 94, 3
    0860-7796
    Pojawia się w:
    BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The microRNA-guided regulation of tillering in barley
    Autorzy:
    Pacak, A.
    Kruszka, K.
    Swida-Barteczka, A.
    Karlowski, W.
    Jarmolowski, A.
    Szweykowska-Kulinska, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/951225.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    microRNA
    RNA molecule
    gene expression
    plant development
    heat stress
    transcription factor
    Źródło:
    BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology; 2015, 96, 1
    0860-7796
    Pojawia się w:
    BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterization of Al2O3/4H-SiC and Al2O3/SiO2/4H-SiC MOS structures
    Autorzy:
    Taube, A.
    Guziewicz, M.
    Kosiel, K.
    Gołaszewska-Malec, K.
    Król, K.
    Kruszka, R.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/953063.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    aluminum oxide
    MOS
    silicon carbide
    4H-SiC
    high-K dielectrics
    tlenek glinu
    węglik krzemu
    dielektryki high-k
    Opis:
    The paper presents the results of characterization of MOS structures with aluminum oxide layer deposited by ALD method on silicon carbide substrates. The effect of the application of thin SiO2 buffer layer on the electrical properties of the MOS structures with Al2O3 layer has been examined. Critical electric field values at the level of 7.5–8 MV/cm were obtained. The use of 5 nm thick SiO2 buffer layer caused a decrease in the leakage current of the gate by more than two decade of magnitude. Evaluated density of trap states near the conduction band of silicon carbide in Al2O3/4H-SiC MOS is about of 1×1013 eV−1cm−2. In contrast, the density of the trap states in the Al2O3/SiO2/4H-SiC structure is lower about of one decade of magnitude i.e. 1×1012 eV−1cm−2. A remarkable change in the MOS structure is also a decrease of density of electron traps located deeply in the 4H-SiC conduction band below detection limit due to using of the SiO2 buffer layer.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 3; 537-551
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Planar Optical Waveguides for Application in Optoelectronic Gas Sensors
    Autorzy:
    Golaszewska, K.
    Kamińska, E.
    Pustelny, T.
    Struk, P.
    Piotrowski, T.
    Piotrowska, A.
    Ekielski, M.
    Kruszka, R.
    Wzorek, M.
    Borysiewicz, M.
    Pasternak, I.
    Gut, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811559.pdf
    Data publikacji:
    2008-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.82.Et
    07.07.Df
    42.79.Pw
    81.15.-z
    Opis:
    In the paper, the results of technological investigations on planar optical waveguides based on high band gap oxide semiconductors were presented. Investigations concerned the technologies of depositing very thin layers of: zinc oxide ZnO, titanium dioxide $TiO_2$ and tin dioxide $SnO_2$ on substrates of quartz glass plates. There were investigated both morphological structures of the produced layers and their optical properties. The paper also presents investigations on the technology of input-output light systems in the Bragg grating structures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 6A; A-223-A-230
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelowanie adsorpcji związków biologicznie czynnych na materiałach węglowych
    Modelling of Adsorption of Biologically Active Compounds on Carbonaceous Materials
    Autorzy:
    Gauden, P. A.
    Terzyk, A. P.
    Furmaniak, S.
    Wiśniewski, M.
    Bielicka, A.
    Werengowska-Ciećwierz, K
    Zieliński, W.
    Kruszka, B.
    Bieniek, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/297197.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Częstochowska. Wydawnictwo Politechniki Częstochowskiej
    Tematy:
    benzen
    fenol
    paracetamol
    adsorpcja z fazy ciekłej
    materiały węglowe
    kinetyka
    dynamika molekularna
    benzene
    phenol
    adsorption from solution
    carbonaceous materials
    kinetics
    molecular dynamics simulation
    Opis:
    Omówiono wpływ porowatości oraz chemicznej natury powierzchni węgla aktywnego na adsorpcję trzech związków organicznych (benzenu, fenolu oraz paracetamolu) z rozcieńczonych roztworów wodnych w oparciu o obliczenia dynamiki molekularnej (pakiet GROMACS). Wykorzystano model porów szczelinopodobnych oraz model tzw. „miękkiego” węgla aktywnego. Charakteryzują się one stopniową zmianą struktury mikroporowatej. Ponadto w strukturę materiałów węglowych wbudowano różną ilość grup funkcyjnych. Wyniki otrzymanych symulacji komputerowych wykazują jakościową zgodność z pomiarami eksperymentalnymi. I tak na przykład zaobserwowano spadek adsorpcji dla paracetamolu w porównaniu z adsorpcją benzenu. Ponadto wyniki obliczeń komputerowych wskazują, że na proces adsorpcji związków organicznych mają wpływ zarówno porowatość, jak i chemiczna natura materiału węglowego (zawartość tlenu). Ten drugi z czynników decyduje o mechanizmie blokowania porów i związany jest ze zwiększeniem gęstości wody w pobliżu grup chemicznych (tworzenie klastrów). Efekt blokowania porów zależy także od rozmiaru porów i przestaje odgrywać rolę dla porów o szerokościach większych niż 0,68 nm. W konsekwencji cząsteczki adsorbowanych związków organicznych nie mogą wnikać w głąb struktury materiału węglowego, ale adsorbują się na powierzchni zewnętrznej porów w pobliżu ich wejść.
    MD simulation studies (GROMACS package) showing the influence of porosity and carbon surface oxidation on adsorption of three organic compounds (i.e. benzene, phenol, and paracetamol) from aqueous solutions on carbons were reported. Based on a model of slit-like pores and “soft” activated carbons different adsorbents with gradually changed microporosity were created. Next, different amount of surface oxygen groups was introduced. We observe quantitative agreement between simulation and experiment, i.e. the decrease in adsorption from benzene down to paracetamol. Simulation results clearly demonstrate that the balance between porosity and carbon surface chemical composition in organics adsorption on carbons, and the pore blocking determine adsorption properties of carbons. Pore blocking effect decreases with diameter of slits and practically vanishes for widths larger than c.a. 0.68 nm. Moreover, adsorbed molecules occupy the external surface of the slit pores (the entrances) in the case of oxidized adsorbents.
    Źródło:
    Inżynieria i Ochrona Środowiska; 2013, 16, 2; 225-234
    1505-3695
    2391-7253
    Pojawia się w:
    Inżynieria i Ochrona Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Capability of Semiconducting NiO Films in Gamma Radiation Dosimetry
    Autorzy:
    Guziewicz, M.
    Jung, W.
    Grochowski, J.
    Borysiewicz, M.
    Golaszewska, K.
    Kruszka, R.
    Baranska, A.
    Piotrowska, A.
    Witkowski, B.
    Domagala, J.
    Gryzinski, M.
    Tyminska, K.
    Stonert, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492706.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Jc
    29.40.-n
    87.53.Bn
    Opis:
    Electrical properties of RF magnetron sputtered p-NiO films were characterized after fabrication and after gamma irradiations using $\text{}^{137}Cs$ and $\text{}^{60}Co$ sources. Electrical parameters are obtained from the Hall measurements, impedance spectroscopy and C-V measurement of n-Si/p-NiO junction diodes. The results show that resistivity of the NiO film is gradually increased following after sequential irradiation processes because of the decrease in holes' concentration. Hole concentration of a NiO film decreases from the original value of $4.36 \times 10^{16} cm^{-3}$ to $2.86 \times 10^{16} cm^{-3}$ after $\text{}^{137}Cs γ$ irradiation with doses of 10 Gy. In the case of γ irradiation from $\text{}^{60}Co$ source, hole concentration of the film decreases from $6.3 \times 10^{16}//cm^3$ to $4.1 \times 10^{16}//cm^3$ and to $2.9 \times 10^{16}//cm^3$ after successive expositions with a dose of 20 Gy.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-069-A-072
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Two-Probe Measurements of Electron Transport in GaN:Si/(Ga,Mn)N/GaN:Si Spin Filter Structures
    Autorzy:
    Kalbarczyk, K.
    Foltyn, M.
    Grzybowski, M.
    Stefanowicz, W.
    Adhikari, R.
    Li, Tian
    Kruszka, R.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Bonanni, A.
    Dietl, T.
    Sawicki, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1398574.pdf
    Data publikacji:
    2016-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.25.Dc
    73.40.Cg
    73.43.Qt
    78.55.Cr
    Opis:
    Results of two-probe magnetoresistance studies in GaN:Si/(Ga,Mn)N/GaN:Si prospective spin filter structures are reported. It is postulated that transport characteristics are strongly influenced by highly conductive threading dislocations and that shrinking of the device size partially mitigates the issue. Simultaneously, maxima at ≈1500 Oe on overall weak, up to 2%, negative magnetoresistance are seen at low temperature, whose origin has been tentatively assigned to effects taking place at the contacts areas.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1196-1198
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Technology of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Superconducting Photodetectors
    Autorzy:
    Guziewicz, M.
    Slysz, W.
    Borysiewicz, M.
    Kruszka, R.
    Sidor, Z.
    Juchniewicz, M.
    Golaszewska, K.
    Domagala, J.
    Rzodkiewicz, W.
    Ratajczak, J.
    Bar, J.
    Wegrzecki, M.
    Sobolewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492719.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.62.Bf
    74.78.-w
    81.15.Cd
    81.15.Jj
    Opis:
    We report fabrication and characterization of ultrathin NbN and NbTiN films designed for superconducting photodetectors. Our NbN and NbTiN films were deposited on $Al_2O_3$ and Si single-crystal wafers by a high-temperature, reactive magnetron sputtering method and, subsequently, annealed at 1000°C. The best, 18 nm thick NbN films deposited on sapphire exhibited the critical temperature of 15.0 K and the critical current density as high as ≈ 8 × $10^6$ A/$cm^2$ at 4.8 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-076-A-079
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies