Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Krupka, J." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Whispering gallery resonator method for permittivity measurements
Autorzy:
Derzakowski, K.
Abramowicz, A.
Krupka, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308148.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
dielectric resonator
permittivity
loss tangent
measurement method
whispering gallery modes
Opis:
The new method of measuring permittivity is described. The measurements are performed using whispering gallery mode open dielectric resonators. The accuracy is assured by applications of the mode matching method. Three resonant modes (HE511, HE611 and HE711) are used in measurement procedure. Accuracy of the method is much better than 0.3% for the relative permittivity having values from 20 to 50.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2002, 1; 43-47
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności
Deep defect centers in ultra-high-resistivity FZ silicon
Autorzy:
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Krupka, J.
Kozubal, M.
Wodzyński, M.
Żelazko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192092.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
głębokie centra defektowe
HRPITS
krzem o bardzo wysokiej rezystywności
deep defect centers
ultra-high-resistivity silicon
Opis:
W artykule przedstawiono unikatowe wyniki badań rozkładu rezystywności oraz rozkładu właściwości i koncentracji centrów defektowych na płytce krzemowej o promieniu R = 75 mm, pochodzącej z monokryształu o bardzo wysokiej czystości otrzymanego metodą FZ. Do określenia właściwości i koncentracji centrów defektowych zastosowano metodę niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej o wysokiej rozdzielczości (HRPITS). Do wyznaczania stałych czasowych składowych wykładniczych relaksacyjnych przebiegów fotoprądu, zmierzonych w zakresie temperatur 250 – 320 K wykorzystano procedurę numeryczną opartą na odwrotnym przekształceniu Laplace’a. W obszarze środkowym płytki o rezystywności ~ 6,0×104 Ωcm, wykryto trzy rodzaje pułapek charakteryzujących się energią aktywacji 420 meV, 460 meV i 480 meV. W obszarze brzegowym płytki, którego rezystywność wynosiła ~ 3,0×104 Ωcm, oprócz pułapek występujących w obszarze środkowym wykryto pułapki o energii aktywacji 545 meV, których koncentracja wynosiła ~ 4,0×109 cm-3. Pułapki o energii aktywacji 420 meV i 545 meV przypisano odpowiednio lukom podwójnym (V2 -/0) i agregatom złożonym z pięciu luk (V5 -/0). Pułapki o energii aktywacji 460 meV są prawdopodobnie związane z lukami potrójnymi (V3 -/0) lub atomami Ni, zaś pułapki o energii aktywacji 480 meV mogą być przypisane zarówno agregatom złożonym z czterech luk (V4 -/0), jak i atomom Fe w położeniach międzywęzłowych.
The paper presents the unique results of the resistivity distribution and the distribution of the properties and concentrations of defect centers on a silicon wafer with a radius of R = 75 mm originating from a high-purity FZ single crystal. The electronic properties and concentrations of the defect centers have been studied by high resolution photoinduced transient spectroscopy (HRPITS). To determine the time constants of the exponential components in the photocurrent relaxation waveforms measured in the temperature range of 250 - 320 K we have used an advanced numerical procedure based on the inverse Laplace transformation. In the wafer central region, with the resistivity of ~ 6,0×104 Ωcm, three traps with the activation energies of 420 meV, 460 meV and 480 meV have been found. In the near edge-region of the wafer, with the resistivity of ~ 3.0 × 104 Ωcm, apart from the traps present in the central region, a trap with the activation energy of 545 meV has been detected and the concentration of this trap is ~ 4,0×109 cm-3. The traps with the activation energies of 420 meV and 545 meV are assigned to a divacancy (V2 -/0) and a pentavacancy (V5 -/0), respectively. The trap with the activation energy of 460 meV is likely to be associated with a trivacancy (V3 -/0) or a Ni atom, and the trap with the activation energy of 480 meV can be tentatively assigned to a tetravacancy or an interstitial Fe atom.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 4, 4; 16-24
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Terapia fotodynamiczna (PDT) w chorobach skóry - co nowego?
Photodynamic therapy (PDT) in dermatology - whats new?
Autorzy:
Kawczyk-Krupka, A.
Ledwon, A.
Karpe, J.
Simon-Sieroń, M.
Sieroń, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/271650.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Górnośląska Wyższa Szkoła Pedagogiczna im. Kardynała Augusta Hlonda
Tematy:
terapia fotodynamiczna
choroby skóry
fotouczulacz
nowotwory
photodynamic therapy
skin diseases
photosensitizer
neoplasms
Opis:
Poniższa praca prezentuje przegląd piśmiennictwa dotyczącego wskazań do leczenia fotodynamicznego w chorobach nowotworowych skóry, jak i prace prezentujące nowe możliwości zastosowania PDT także w nienowotworowych chorobach skóry. Udowodnione jest skuteczne leczenie z zastosowaniem terapii fotodynamicznej takich schorzeń, jak raki podstawnokomórkowe, choroba Bowena, rogowacenie słoneczne, powierzchowny rak kolczystokomórkowy, przerzuty raka piersi do skóry, ziarniniak grzybiasty oraz łuszczyca. Wykazano także, iż PDT z miejscową aplikacją kwasu 5-delta-aminolewulinowego (ALA) jest skuteczne w leczeniu epidermodysplazji brodawczakowatej, chorobie Dariera oraz w schorzeniach mikrobiologicznych, np. w kandidiazie. Nowym kierunkiem rozwoju PDT są wskazania kosmetyczne (odmładzanie skóry światłem). Wszystkie te wskazania związane są z selektywnym, bezpiecznym i skutecznym działaniem terapii fotodynamicznej.
The study presents main medical indications of photodynamic therapy in skin neoplasm and new directions in the other, nonmalignant skin diseases. In dermatology PDT has been proven to be effective in the treatment of basal cell carcinomas (BCC), Bowen's disease, actinic keratoses, superficial squamous cell carcinomas (SCC), metastatic breast cancer, mycosis fungoides and psoriasis. It was also demonstrated that PDT with topical application of d-aminolevulinic acid (ALA) can selectively photosensitize other skin lesions, i.e.: epidermodysplasia verruciformis and affected skin areas in Darier's disease and microbiological infections (candidiasis). New approach of PDT is connected with cosmetic indication- photo-rejuvenation. These whole indications are connected with selective, safety and effective properties of PDT.
Źródło:
Journal of Ecology and Health; 2011, R. 15, nr 1, 1; 28-34
2082-2634
Pojawia się w:
Journal of Ecology and Health
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies