Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Krasniewski, W." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    A study of episodic events in the Baltic Sea – combined in situ and satellite observations
    Autorzy:
    Lysiak-Pastuszak, E.
    Bartoszewicz, M.
    Bradtke, K.
    Darecki, M.
    Drgas, N.
    Kowalczuk, P.
    Krasniewski, W.
    Krezel, A.
    Krzyminski, W.
    Lewandowski, L.
    Mazur-Marzec, H.
    Piliczewski, B.
    Sagan, S.
    Sutryk, K.
    Witek, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/48563.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Oceanologii PAN
    Tematy:
    Baltic Sea
    Ferry Box project
    algal bloom
    hepatotoxin
    satellite image
    coastal water
    oceanic water
    salinity
    temperature
    Opis:
    A project was developed concerning the operational system of surveillance and the recording of episodic events in the Baltic Sea. In situ information was to be combined with multi-sensory satellite imagery to determine the extent of algal blooms, to track their evolution and that of rapid environmental events like hydrological fronts. The main element of the system was an autonomous Ferry Box module on a ferry operating between Gdynia and Karlskrona, automatically measuring temperature, salinity and chlorophyll a fluorescence. At pre-selected locations, discrete water samples were collected, which were subsequently analysed for their phytoplankton content, and algal hepato- and neurotoxins; they were also used in toxicity tests with Artemia franciscana.
    Źródło:
    Oceanologia; 2012, 54, 2
    0078-3234
    Pojawia się w:
    Oceanologia
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The temperature dependence of subthreshold characteristics of Si and SiC power MOSFETs
    Autorzy:
    Kraśniewski, J.
    Janke, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118323.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    MOSFET
    power transistor
    subthreshold
    temperature dependence
    tranzystor mocy
    obszar podprogowy
    zależność od temperatury
    Opis:
    In the paper, subthreshold characteristics of Si and SiC MOSFET power transistors in a wide range of current and temperature are considered. Representative examples of measured iD-vGS dependencies for temperatures from 20°C up to over 140°C are presented and discussed. Substantial differences of the shapes obtained for Si and SiC devices are observed. The subthreshold slope and subthreshold swing coefficient are extracted from measured curves for two types of devices and compared.
    W niniejszym artykule porównano charakterystyki w obszarze podprogowym tranzystorów mocy MOSFET z krzemu i węglika krzemu w szerokim zakresie prądu i temperatury. Dla reprezentatywnej partii tranzystorów przedstawiono i omówiono pomiary zależności iD-vGS w szerokim zakresie temperatur od 20°C do ponad 140°C. Dodatkowo zaprezentowano różnice w wartości nachylenia oraz wahania współczynnika w obszarze podprogowym od temperatury otoczenia dla badanych tranzystorów z Si i SiC.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 51-58
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Calibration of temperature-sensitive parameter for Silicon Carbide SBD’S
    Autorzy:
    Kraśniewski, J.
    Janke, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118388.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    temperature-sensitive parameter calibration curves
    Silicon Carbide Schottky Barrier diodes
    krzywa kalibracyjna parametru termoczułego
    dioda Schottky z węglika krzemu
    Opis:
    Thermal properties of semiconductor device may be characterized by thermal parameters or characteristics such as thermal resistance and thermal impedance. In order to calculate the thermal resistance or thermal impedance one must have a calibration curve of temperature-sensitive parameter of the device (e.g. the voltage drop across a junction). For the obtaining the calibration curve by measurement, the temperature chamber has to be used. Another possibility is to predict this curve theoretically from analytical equations or by simulations (e.g. PSPICE). In the paper, the simulation and theoretical predictions of temperature-sensitive parameter calibration curves are compared with the results of measurement for SiC devices with metal-semiconductor junction.
    Właściwości termiczne elementów półprzewodnikowych można charakteryzować poprzez parametry lub charakterystyki termiczne, takie jak rezystancja i impedancja termiczna. W celu wyznaczenia rezystancji lub impedancji termicznej elementu półprzewodnikowego musimy posiadać krzywą kalibracji parametru termoczułego (np. spadek napięcia na złączu). Dla uzyskania pomiarowej krzywej kalibracyjnej należy wykorzystać komorę temperaturową. Inną możliwością jest teoretyczne przewidywanie ww. krzywej z równań analitycznych lub symulacji (np. PSPICE). W niniejszej pracy porównano krzywe kalibracyjne parametru termoczułego otrzymane na drodze symulacji i teoretycznych obliczeń z wynikami pomiarów dla urządzeń SiC o złącze m-s.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 77-83
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Large-signal averaged models of the non-ideal flyback converter derived by the separation of variables
    Autorzy:
    Janke, W.
    Bączek, M.
    Kraśniewski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/200399.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    switch mode converter
    flyback
    averaged models
    separation of variables
    large-signal simulation
    Opis:
    The main topic of the paper is the large signal averaged model of a switch-mode flyback power converter. The use of the large-signal averaged models of switching converters allows for fast simulation of power systems. The known averaged models of a flyback are based on the state-space averaging or switch-averaging approach. The model presented in the paper is derived with the use of the separation of variables approach and include parasitic resistances of all converter components. The limitations of the model accuracy are discussed. The calculations based on the averaged model are compared with detailed full-wave simulations and measurements results.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 1; 81-88
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies