Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Kovalchuk, V. I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Adsorption of hexane and cyclohexane vapours at the water drop surface
Autorzy:
Miller, R.
Aksenenko, E. V.
Kovalchuk, V. I.
Tarasevich, Y. I.
Fainerman, V. B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/110244.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
water-heptane vapour interface
drop profile analysis tensiometry
dynamic surface tension
adsorption kinetics
Opis:
The dependence of the dynamic surface tension of water at the interface with saturated hexane and cyclohexane vapours was measured by the drop profile analysis method. The surface tension for the adsorption layers of cyclohexane at different temperatures was compared with the results reported earlier for the adsorption of hexane and other alkanes from the vapour phase on water drops. It is shown that cyclohexane is adsorbed significantly slower than the adsorption of hexane occurs, and is characterised by a much larger induction time. The error in the drop radius measurements at 40 ºC attains 45 m. The experimental rheologic characteristics of the adsorbed layers are studied and the results are compared with the model developed to describe an adsorption process governed by a kinetic mechanism.
Źródło:
Physicochemical Problems of Mineral Processing; 2018, 54, 1; 54-62
1643-1049
2084-4735
Pojawia się w:
Physicochemical Problems of Mineral Processing
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-ray Standing Wave Studies of Si (111) Crystal Implanted by Fe and Ni Ions
Autorzy:
Vartanjantz, I.A.
Kovalchuk, M.V.
Sosphenov, A.N.
Auleytner, J.
Majewski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891973.pdf
Data publikacji:
1991-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.-i
61.70.Sk
Opis:
The X-Ray Standing Wave Method (XRSW) was applied for the investigation of the silicon samples implanted with 80 keV Fe and Ni ions. The samples were measured by the XRSW method before and after annealing process. For theoretical calculations the two layer model was used. The analysis revealed that after annealing only a slight amount (~20÷30%) of the implanted atoms occupy the position of the Si crystal planes. The Rutherford backscattering (RBS) experiment that confirms the results obtained by the XRSW method was performed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 6; 811-817
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies