- Tytuł:
-
The electrical-generating structure based on NiPc in ammonia medium
Struktura z wewnętrzną barierą potencjału oparta na warstwie NiPc w środowisku amoniaku - Autorzy:
-
Hotra, Z.
Volynyuk, D.
Bakhmatyuk, B.
Kostiv, N.
Voznyak, L. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/159357.pdf
- Data publikacji:
- 2010
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
- Tematy:
-
półprzewodnik organiczny
amoniak
konduktywność
organic semiconductor
ammonia vapors
conductivity - Opis:
-
In this work we presented a result of structural and electrophisical investigation of electrical-generating barrier structure based on organic semiconductor NiPc. It was studied the current-voltage and impedance characteristics of structure ITO/NiPc/Al under the influence of ammonia vapors and was revealed the current and conductivity increase of structure in ammonia medium. Also we modeled impedance characteristics using the Constant Phase Element CPE what shows that the change in resistance occurs as a result of a chemical interaction.
W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczących strukturalnych elektrofizycznych własności bariery generującej napięcie elektryczne opartej na półprzewodniku organicznym NiPc. Przebadane zostały charakterystyki prądowo-napięciowa i impedancyjna struktur ITO/NiPc/Al umieszczonych w amoniaku. Wykazano, że dzięki zastosowaniu amoniaku, wzrasta natężenie prądu i konduktywność całej struktury. W dalszej części zamodelowano charakterystykę impedancyjną używając elementów o stałej fazie (ang. CPE), co udowodniło, że zmiany rezystancji pojawiają się w wyniku reakcji chemicznej. - Źródło:
-
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 247; 5-11
0032-6216 - Pojawia się w:
- Prace Instytutu Elektrotechniki
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł