Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Korman, W." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Model przenośnego urządzenia do pomiaru niskich stężeń metanu
A model of a portable device for measuring low concentration of methane
Autorzy:
Grychowski, T.
Korman, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/187643.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technik Innowacyjnych EMAG
Tematy:
pomiary
metan
urządzenia pomiarowe
measurement
methane
measurement equipment
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki pracy polegającej na zbudowaniu modelu przenośnego urządzenia do pomiaru niskich stężeń metanu. W urządzeniu zastosowano tani, katalityczny czujnik gazu palnego oraz mikrokontroler sterujący urządzeniem. Urządzenie posiada możliwość kalibracji oraz odczytu wskazań na lokalnym wyświetlaczu LCD. Przeprowadzono badania czujnika oraz urządzenia w celu weryfikacji poprawności jego działania. Oceniona została niepewność pomiarów.
The article features the results of a project aimed at building a model of a portable device for measuring low concentration of methane. The device is equipped with a cheap, catalytic inflammable gas sensor and a microcontroller. The device has a possibility to calibrate and the readings can be displayed on an LCD. The sensor and the device were tested for correct functioning. The measuring errors were evaluated.
Źródło:
Mechanizacja i Automatyzacja Górnictwa; 2011, R. 49, nr 3, 3; 21-24
0208-7448
Pojawia się w:
Mechanizacja i Automatyzacja Górnictwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Implanted manganese redistribution in Si after He+ irradiation and hydrogen pulse plasma treatment
Autorzy:
Werner, Z.
Pochrybniak, C.
Barlak, M.
Piekoszewski, J.
Korman, A.
Heller, R.
Szymczyk, W.
Bocheńska, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147018.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
dilute magnetic semiconductors (DMS)
Mn-implanted Si
ion beam induced epitaxial crystallization
Opis:
Si-Mn alloy with a Mn content of a few percent is potentially a candidate for room temperature (RT) dilute magnetic semiconductor (DMS). However, the present methods of material manufacture suffer from problems with poor Mn solubility and thermodynamical limitations. We study a non-equilibrium method in which silicon is first implanted with 160 keV manganese ions to a dose of 1 × 1016 ions/cm2 and next either irradiated with 1.5 MeV 4He+ ions from the Warsaw Van de Graaff accelerator at 400°C or treated with high-energy hydrogen plasma pulses. Conclusion from Rutherford backscattering spectrometry (RBS) examination of the samples is that both approaches lead to recovery of crystalline surface layer with manganese occupying off-substitutional sites. The potential development of the method is discussed.
Źródło:
Nukleonika; 2011, 56, 1; 5-8
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies