Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Konarski, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 33
Tytuł:
Expansion of the Rotational Energy of Diatomic Molecules into a Continued Fraction
Autorzy:
Molski, M.
Konarski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1920626.pdf
Data publikacji:
1992-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
33.10.Cs
33.10.Jz
Opis:
A new expansion of the rotational energy of diatomic molecules, in the form of a continued fraction has been investigated. The considered formula is applied in calculation of molecular constants and reproduction of rotational spectra of rigid-, semirigid- and van der Waals-type molecules. A physical interpretation of semiempirical expansion parameters is proposed and a connection between the method considered and the Dunham approach is also discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 81, 4-5; 495-501
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modified Kratzer-Fues Formula for Rotation-Vibration Energy of Diatomic Molecules
Autorzy:
Molski, M.
Konarski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1924270.pdf
Data publikacji:
1992-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
33.10.Cs
33.10.Jz
Opis:
An extension of the Kratzer-Fues approach to analytical calculation of the rotation-vibration energy of diatomic molecules is proposed. The eigen-values from this approach are applied in calculation of the rotational and rovibrational energies and in evaluation of molecular constants of selected diatomic molecules, resulting in satisfactory reproduction of experimental frequencies over a wide range of rotational states. In contrast to our previous proposition the rotational dependence of vibration energy is taken into account. An additional set of fitted parameters which include equilibrium distance and dissociation constant was also employed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 6; 927-936
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ion Etching Effects Occurring in Secondary Ion Mass Spectrometry Depth profiling of InGaAs/InP and InGaAs/AlAs/InP MBE Grown Heterostructures
Autorzy:
Kozhukhov, A. V.
Konarski, P.
Herman, M. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952035.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.Bs
68.55.Jk
Opis:
Depth profiling analysis of In$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As heterolayers grown by MBE on Fe doped InP(100) substrates was performed in the SAJW-02 secondary ion mass spectrometry analyser equipped with 4.5 keV O$\text{}_{2}^{+}$ ion source and a specially designed sample manipulator enabling depth profiling in the standard as well as in so-called Zalar rotation operation modes. The fairly high energy of the primary ion beam required for sputtering in secondary ion mass spectrometry measurements causes changes in surface topography, usually of different origin. Depth resolution parameters and roughness formation monitored by scanning electron microscopy were analysed for a set of samples with composition x changing in the range 0.33 to 0.60. The results were compared with the same data for a layer of x=0.53 (best lattice-matched to InP) grown on the top of a three monolayer thick AlAs film deposited previously on the InP substrate. Improvement in the depth profile resolution was revealed for the structure with an AlAs layer indicating sharper interface transition. Moreover, sample rotation applied for this structure improves further the depth profiling resolution. Thus, we showed for the first time that a very thin AlAs layer grown by MBE between the InP substrate and the In$\text{}_{0.53}$Ga$\text{}_{0.47}$As improves considerably the heterointerface properties and that Zalar rotation applied for depth profiling of the investigated material system diminishes further the negative effects of ion etching on depth resolution in secondary ion mass spectrometry analysis.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 869-874
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Statystyczna ocena bezpieczeństwa dekompresji
Autorzy:
Kłos, R.
Konarski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/366536.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Medycyny i Techniki Hiperbarycznej
Tematy:
dekompresja
model matematyczny
model deterministyczny
model statystyczny
porównanie
Opis:
W artykule przedstawiono metody oceny bezpieczeństwa dekompresji. Zaprezentowano dwa rodzaje modeli matematycznych dekompresji: deterministyczne (przyczynowo skutkowe) i statystyczne.
Źródło:
Polish Hyperbaric Research; 2004, 1(9); 26-38
1734-7009
2084-0535
Pojawia się w:
Polish Hyperbaric Research
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza efektów energetycznych termomodernizacji wielorodzinnych budynków mieszkalnych
Autorzy:
Fedorczak-Cisak, M.
Franczyk, E.
Konarski, M.
Stachowicz, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/363046.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Fizyki Budowli Katarzyna i Piotr Klemm
Tematy:
termomodernizacja budynków
thermomodernization
Opis:
W artykule analizowano parametry energetyczne wielorodzinnych budynków mieszkalnych przed oraz po termomodemizacji. Istotą analizy było porównywanie wartości obliczeniowych i rzeczywistych oraz poszukiwanie powodów rozbieżności. Analizę przeprowadzono z uwzględnieniem roku powstania budynków, technologii wykonania, zakresu termo- modernizacji, powierzchni przeszklenia, zastosowania podzielników kosztów ogrzewania oraz stosunku zamówionej mocy grzewczej do wartości obliczeniowych.
This paper presents analysis of energetistic parameters of multi-story buildings before and after thermo- modernization. The essence of analysis is comparison of theoretical and real values, and research of divergence reasons. The analysis includes year of building erection, realization technology, thermo- modernization range and relations between nominal heat power and theoretical values.
Źródło:
Fizyka Budowli w Teorii i Praktyce; 2005, T. 1; 66-79
1734-4891
Pojawia się w:
Fizyka Budowli w Teorii i Praktyce
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology
Autorzy:
Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Głuszko, G.
Konarski, P.
Ćwil, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308685.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
CMOS
dual gate oxide
gate stack
oxynitride
plasma implantation
Opis:
The goal of this work was to study nitrogen implantation from plasma with the aim of applying it in dual gate oxide technology and to examine the influence of the rf power of plasma and that of oxidation type. The obtained structures were examined by means of ellipsometry, SIMS and electrical characterization methods.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 3-8
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation
Autorzy:
Mroczyński, R.
Bieniek, T.
Beck, R. B.
Ćwil, M.
Konarski, P.
Hoffman, P.
Schmeißer, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308687.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
ultra-thin dielectrics
oxynitride
SIMS
XPS
PECVD
Opis:
In this paper differences in chemical composition of ultra-thin silicon oxynitride layers fabricated in planar rf plasma reactor are studied. The ultra-thin dielectric layers were obtained in the same reactor by two different methods: ultrashallow nitrogen implantation followed by plasma oxidation and plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). Chemical composition of silicon oxynitride layers was investigated by means of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and secondary ion mass spectrometry (SIMS). The spectroscopic ellipsometry was used to determine both the thickness and refractive index of the obtained layers. The XPS measurements show considerable differences between the composition of the fabricated layers using each of the above mentioned methods. The SIMS analysis confirms XPS results and indicates differences in nitrogen distribution.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 20-24
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes
Autorzy:
Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Konarski, P.
Ćwil, M.
Hoffman, P.
Schmeißer, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308689.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
CMOS
gate stack
oxynitride
plasma implantation
Opis:
Experiments presented in this work are a summary of the study that examines the possibility of fabrication of oxynitride layers for Si structures by nitrogen implantation from rf plasma only or nitrogen implantation from rf plasma followed immediately by plasma oxidation process. The obtained layers were characterized by means of: ellipsometry, XPS and ULE-SIMS. The results of electrical characterization of NMOS Al-gate test structures fabricated with the investigated layers used as gate dielectric, are also discussed.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 9-15
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The influence of annealing (900?C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers
Autorzy:
Mroczyński, R.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Ćwil, M.
Konarski, P.
Hoffman, P.
Schmeißer, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308691.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
ultra-thin dielectrics
silicon oxynitride
PECVD
CMOS
Opis:
This work reports on changes in the properties of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers after high- temperature treatment. Possible changes in the structure, composition and electrophysical properties were investigated by means of spectroscopic ellipsometry, XPS, SIMS and electrical characterization methods (C-V, I-V and charge- pumping). The XPS measurements show that SiOxNy is the dominant phase in the ultra-thin layer and high-temperature annealing results in further increase of the oxynitride phase up to 70% of the whole layer. Despite comparable thickness, SIMS measurement indicates a densification of the annealed layer, because sputtering time is increased. It suggests complex changes of physical and chemical properties of the investigated layers taking place during high-temperature annealing. The C-V curves of annealed layers exhibit less frequency dispersion, their leakage and charge-pumping currents are lower when compared to those of as-deposited layers, proving improvement in the gate structure trapping properties due to the annealing process.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 16-19
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zagrożenia zdrowi a i życia charakterystyczne dla nurkowań z wykorzystaniem aparatów nurkowych z recyrkulacją czynnika odechowego
Health and life hazards characteristic for dives with use of dive equipment with recirculation of breathfactor
Autorzy:
Konarski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/366303.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Medycyny i Techniki Hiperbarycznej
Tematy:
nurkowanie
medycyna podwodna
niedotlenienie
zatrucie tlenem
diving
diving medicine
anoxemia
oxygen poisoning
Opis:
W opracowaniu zebrano i usystematyzowano zagrożenia dla zdrowia i życia nurka, charakterystyczne dla nurkowań z wykorzystaniem sztucznych czynników oddechowych przy użyciu aparatów nurkowych z recyrkulacja czynnika oddechowego. Przedstawiono, patogenezę, objawy kliniczne, leczenie i zapobieganie takim zagrożeniom, jak: niedotlenienie, zatrucie tlenem, hipokapnia, zatrucie dwutlenkiem węgla i oparzenie alkaliami z sorbentu CO2.
In the study there was collected and systemized the hazards for health and life of diver, characterized for dives by unnatural breath units with use of dive equipment with recirculation of breath factor. Presented patogeneza, clinic effects, recovering and prevent from such hazards as: anoxemia, oxygen poisoning, hypocapnia, carbon monoxide poisoning and burn alkaline sorbent CO2.
Źródło:
Polish Hyperbaric Research; 2007, 2(19); 7-15
1734-7009
2084-0535
Pojawia się w:
Polish Hyperbaric Research
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 33

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies