Autor: Kasjaniuk, S. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Transport Behaviour in Low-Resistance Metal/p-GaAs Interfaces
Autorzy:: Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Kasjaniuk, S.
Gierlotka, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1950962.pdf
Data publikacji:: 1996-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Ns
Opis:: The relationship between electrical properties and microstructure of pure Zn and AuZn contacts to p-GaAs has been studied. The obtained results prove that mechanism responsible for the ohmic behaviour of these contacts is associated with the lowering of the potential barrier at metal/semiconductor interface, resulting from the phase transformations in the metallization.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 843-846
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Interaction of Au with GaSb and its Impact on the Formation of Ohmic Contacts
Autorzy:: Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Piotrowski, T.
Kasjaniuk, S.
Guziewicz, M.
Gierlotka, S.
Lin, X. W.
Liliental-Weber, Z.
Washburn, J.
Kwiatkowski, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1873078.pdf
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Ns
Opis:: Interfacial reactions between GaSb and Au were studied by Rutherford backscattering, X-ray diffraction, and cross-sectional transmission electron microscopy. Evaluation of the extent to which the GaSb substrate decomposes was of primary concern. The results give evidence that the reaction takes place even at temperatures as low as 180°C. High reactivity of gold towards GaSb revealed by this study demonstrates that Au-based metallization is not a good candidate for device quality ohmic contacts to GaSb-based devices.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 419-422
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Ohmic Contacts To GaN by Solid-Phase Regrowth
Autorzy:: Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Barcz, A.
Ilka, L.
Guziewicz, M.
Kasjaniuk, S.
Dynowska, E.
Kwiatkowski, S.
Bremser, M. D.
Davis, R. F.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968123.pdf
Data publikacji:: 1997-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Ns
73.40.Cg
Opis:: Ni/Si-based contact schemes based on the solid-phase regrowth process have been developed to form low-resistance ohmic contacts to GaN with a minimum contact resistivity of 1×10$\text{}^{-3}$ Ωcm$\text{}^{2}$ and ≈1×10$\text{}^{-2}$ Ωcm$\text{}^{2}$ to GaN:Si (n ≈ 2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$) and GaN:Mg (p ≈ 3×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$). The solid-phase regrowth process responsible for the ohmic contact formation was studied using X-ray diffraction, secondary ion mass spectrometry and Rutherford backscattering spectrometry.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 819-823
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja