Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kania, S." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 52
Tytuł:
Electron drift mobility in amorphous anthrone layers
Ruchliwość dryftowa elektronów w amorficznych warstwach antronu
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296490.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
ruchliwość elektronów
transport nośników ładunku
antron bezpostaciowy
electron mobility
carrier transport
amorphous anthrone
Opis:
There were investigated the magnitude of the mobility and the type of the mechanism of the electron transport in the amorphous anthrone layers Enthrone (C14H10O) is the molecular crystal. The anthrone molecules due to theirs asymmetry posses permanent dipole moment, µ = 1.22 10-29 Cm. The anthrone samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with lower substrate temperatures. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X - ray diffraction. In order to attain that one employed an automatic diffractometer DAR. Drift electron mobility for obtained amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results shows the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Either obtained mobility value , less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level do not permit state unambiguously if we are here with hopping transport mechanism, or with the band transport with participation of the trapping states.
Badano proces transportu elektronów w warstwach. Uzyskane wyniki nie przesądzają jednoznacznie z jakim rodzajem transportu mamy do czynienia. Uzyskane wyniki mogą sugerować występowanie zarówno transportu hoppingowego, jak i transportu w paśmie z udziałem pułapek.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2009, 30; 65-72
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hole drift mobility in antrachinon layers
Ruchliwość dziur w warstwach antrachinonu
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296559.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
polikrystaliczne i quasi-amorficzne warstwy antrachinonu
ruchliwość dziur
mechanizm transportu
polycrystalline and quasi-amorphous antrochinone films
hole drift mobility
carrier transport
Opis:
The drift mobility of holes in the antrachinon layers were determined. The layers were evaporated in the vacuum of the order of 10 -5 Torr. Due to the substrate temperature the layers were in the structure polycrystalline or the quasi-amorphous. There were no obtained the effect of the layers structure on the magnitude of the mobility of the carriers and on the transport mechanism.
Badano ruchliwość dziur w polikrystalicznych i quasi-amorficznych warstwach antrachinonu. Określono typową dla acenów o takim stanie nieuporządkowania wartość ruchliwości. Na podstawie uzyskanych rezultatów nie można jednoznacznie określić z jakim mechanizmem transportu mamy do czynienia. Nie stwierdzono na tym poziomie nieuporządkowania wpływu struktury na mechanizm transportu, choć można się było tego spodziewać
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2007, 28; 27-32
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hole drift mobility for different structures of anthrone and antrachinone layers
Dryftowa ruchliwość dziur w warstwach antronu i antrachinonu o różnej strukturze
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296406.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
polycrystalline films
quasi amorphous films
amorphous films
anthrone
antrachinone
hole drift mobility
carrier transport
warstwy polikrystaliczne
warstwy quasi-amorficzne
warstwy amorficzne
antron
antrachinon
dryftowa ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
Opis:
Drift mobility of holes in antrachinone and anthrone thin films evaporated in the vacuum of the order of 10-5 Tr was determined with time of flight method (TOF). The layers had different structural order due to the temperature of vaporized substrates. The results show almost lack of the mobility dependence due to the structural order. One order of difference in mobility values for antrachinone and anthrone may have origin in the presence of the difference in permanent dipole moment of the molecules.
Badano proces transportu dziur w polikrystalicznych, quasi-amorficznych i amorficznych warstwach antronu i antrachinonu. Do naparowania warstw w próżni 10-5 Tr użyto materiałów o czystości spektralnej. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. Obydwa związki z punktu widzenia krystalograficznego posiadają prawie jednakową strukturę układu jednoskośnego o prawie identycznych stałych sieciowych i prawie identycznym kącie β. Przebadano trzy rodzaje warstw, to jest o strukturze polikrystalicznej, quasi-amorficznej i amorficznej. Dla warstw antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano prawie o rząd większą wartość ruchliwości niż dla warstw antrachinonu, niezależnie od stopnia uporządkowania tych warstw. Dla obu związków uzyskano w temperaturze pokojowej wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs z energią aktywacji ruchliwości rzędu 0.03 eV. Uzyskane wartości przemawiają za transportem hoppingowym. Na podstawie badań wydaje się, że moment dipolowy cząsteczek może mieć istotny wpływ na wielkość ruchliwości nośników ładunku.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2013, 34; 19-25
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron drift mobility in anthrone layers
Dryftowa ruchliwość elektronów w warstwach antronu
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296418.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
quasi-amorficzne warstwy antronu
polikrystaliczne warstwy antronu
ruchliwość dryftowa elektronów
transport nośników ładunku
quasi-amorphous anthrone films
polycrystalline anthrone films
electron drift mobility
carrier transport
Opis:
There were investigated the magnitude of the mobility and the Type of the mechanism of the electron transport in the anthrone layers with a different grade of the structural order, namely in polycrystalline and quasi-amorphous layers. The anthron samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with different substrate temperatures and with different evaporation rates. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X-ray diffraction. Drift electron mobility for obtained polycrystalline and quasi amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results show the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Both obtained mobility values, were less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level but simultaneously estimated density of hopping states was relatively big. In this case it does not permit us to indicate the dominant transport mechanism.
Badano proces transportu elektronów w warstwach antronu o różnym stopniu uporządkowania, to jest w warstwach polikrystalicznych i quasi-amorficznych. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. W przypadku antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano, że prawie nie występuje zależność ruchliwości od stopnia uporządkowania. Dla obu struktur uzyskano wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs, z energią aktywacji ruchliwości rzędu kT. Mimo iż wielkości te przemawiają za transportem hoppingowym, to wydaje się, że otrzymane wartości gęstości stanów są na tyle duże, że należy się zastanowić, czy faktycznie mamy do czynienia z transportem przeskokowym w wąskim paśmie w pobliżu poziomu Fermiego. Poza tym nie obserwujemy wpływu struktury krystalicznej warstw na wielkość ruchliwości, chyba, że dla polikrystalicznych warstw gęstość stanów jest na tyle duża, że nie należy spodziewać się jej wzrostu. Powyższe skłania nas do stwierdzenia, że nie można jednoznacznie określić, z jakim rodzajem transportu dla elektronów mamy tu do czynienia.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2011, 32; 13-22
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hole drift mobility in anthrone and antrachinone layers
Dryftowa ruchliwość dziur w warstwach antronu i antrachinonu
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296437.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
polikrystaliczne warstwy antronu
polikrystaliczne warstwy antrachinonu
ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
polycrystalline anthrone films
polycrystalline antrachinone films
hole drift mobility
carrier transport
Opis:
Drift mobility of holes in antrachinone and anthrone polycrystalline thin films evaporated in the vacuum of the order of 10-5 Torr was measured with time-of-flight- method. The one order difference in mobility values for both -four ring acenes purified with zone melting before vaporization and identical in crystallization structure but with different molecule symmetry may have the origin in the presence of the difference in permanent dipole moment for both molecules.
Badano proces transportu dziur w polikrystalicznych warstwach antronu i antrachinonu. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. Obydwa związki z punktu widzenia krystalograficznego posiadają prawie jednakową strukturę układu jednoskośnego o prawie identycznych stałych sieciowych i prawie identycznym kącie β. W przypadku antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano prawie o rząd większą wartość ruchliwości niż dla antrachinonu. Dla obu związków uzyskano wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs z energią aktywacji ruchliwości rzędu kT. Wielkości te mogą przemawiać za transportem hoppingowym, nie mniej dopiero badanie mechanizmu transportu z uwzględnieniem zmiany struktury warstw może w pełni zweryfikować hipotezę. Na podstawie badań wydaje się, że moment dipolowy cząsteczek, mimo identycznej struktury kryształu, może mieć wpływ na wielkość ruchliwości nośników ładunku.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2012, 33; 55-63
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron drift mobility in amorphous antrachinone layers
Ruchliwość dryftowa elektronów w amorficznych warstwach antrachinonu
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296452.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
amorficzne warstwy antrachinonu
ruchliwość dryftowa elektronów
transport nośników ładunku
amorphous antrachinone films
electron drift mobility
carrier transport
Opis:
There were investigated the magnitude of the mobility and the type of the mechanism of the electron transport in the amorphous antrachinone layers. Antrachinone (C14H8O2) is the molecular crystal. The antrachinone molecules are planar, centrosymmetric and posses permanent dipole moment practically equal zero. The antrachinone layerss were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with reduced substrate temperatures. Structural examination of the obtained antrachinone layers was made using X - ray diffraction. In order to attain that one employed an automatic diffractometer DAR. Drift electron mobility for obtained amorphous layers were determined with TOP method. Obtained mobility value, were less then 10-3 cm2 /Vs and activation energy value was on the kT level.
Badano proces transportu elektronów w amorficznych warstwach antrachinonu. Uzyskane wyniki nie przesądzają jednoznacznie, z jakim rodzajem transportu mamy do czynienia. Niemniej uzyskane wyniki mogą sugerować występowanie również transportu hoppingowego, który wydaje się bardziej prawdopodobny, niż transport w paśmie z udziałem pułapek.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2010, 31; 43-50
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hole drift mobility in anthrone and antrachinone layers with different structure
Dryftowa ruchliwość dziur w warstwach antronu i antrachinonu o różnej strukturze
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296510.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
polycrystalline films
quasi amorphous films
amorphous films
anthrone
antrachinone
hole drift mobility
carrier transport
warstwy polikrystaliczne
warstwy quasi-amorficzne
warstwy amorficzne
antron
antrachinon
dryftowa ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
Opis:
The hole drift mobilities were measured with use of time of flight method (TOF) for layers of antrachinone and anthrone with different structural orders. The differences in the values of mobility for anthrone and anthrachinone are explained as an effect of different permanent dipole moment for these molecules.
Poddano analizie wartość ruchliwości dziur w polikrystalicznych, quasiamorficznych i amorficznych warstwach antronu i antrachinonu. Materiały wyjściowe były o czystości spektralnej. Oba związki krystalizują w identycznej strukturze C2h 5(P21/a) krystalograficznej układu skośnego o prawie identycznych stałych sieciowych i prawie identycznym kącie β. Dla warstw antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano prawie o rząd większą wartość ruchliwości niż dla warstw antrachinonu, niezależnie od stopnia uporządkowania tych warstw. Próbujemy sformułować hipotezę i wykazać jej słuszność, że za prawie o rząd większą ruchliwość dziur w warstwach antronu odpowiada obecność znacznego momentu dipolowego w cząstkach tego związku.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2014, 35; 17-23
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Strategia innowacyjności instrumentem realizacji regionalnej polityki rozwoju
Autorzy:
Pangsy-Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/12118.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Naukowe Wydawnictwo IVG
Tematy:
innowacyjnosc
polityka regionalna
rozwoj regionalny
polityka rozwoju lokalnego
polityka innowacyjnosci
efektywnosc gospodarki
strategia innowacji
Źródło:
Ekonomia i Zarządzanie: Wiedza. Raporty. Diagnozy. Analizy. Przykłady; 2014, 6
2084-963X
Pojawia się w:
Ekonomia i Zarządzanie: Wiedza. Raporty. Diagnozy. Analizy. Przykłady
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport processes in thin films induced with absorption for two aromatic hydrocarbons
Transport ładunku w cienkich warstwach indukowany absorpcją dla dwu aromatycznych węglowodorów
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296454.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
cienkie warstwy
warstwa tetracenu
warstwa p-czterofenylu
proces aktywacji
ruchliwość elektronów
transport nośników ładunku
thin film
tetracene film
p-quaterphenyl film
activation process
electron mobility
carrier transport
Opis:
Transport processes enhanced by absorption of the volatile ethanol on the tetracene and p-quaterphenyl films are considered. Obtained results may suggest injection of the charge during chemisorptions. There was observed a deep modulation of conductivity due to absorption of ethanol, this dependence suggests some ability to utilize.
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu i p-quaterphenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia z chemisorpcją etanolu i produktów jego rozpadu termicznego skojarzoną z transferem elektronów do lub z warstwy. Właściwym do opisu transferu elektronów wydaje się być model kwantowy jednoelektronowy, rozpisany dla każdego rodzaju cząsteczki absorbatu. Wydaje się, że duża głębokość modulacji prądu oraz zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2010, 31; 51-31
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Activation processes for two chosen aromatic hydrocarbon materials
Mechanizm przewodnictwa ładunku w aktywowanych warstwach tetracenu i p-czterofenylu
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296486.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
tetracen
ruchliwość elektronów
ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
tetracene
electron mobility
hole mobility
carrier transport
Opis:
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest that tetracene is better for utilization as a vapour sensors.
Badano proces aktywacji i proces transportu nośników w warstwach tetracenu i czterofenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia, jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne. Wydaje się, że większe możliwości zastosowań w technologii cienkowarstwowej ze względu na dużą głębokość modulacji konduktywności i niewystępowania efektu przebicia ma p-czterofenyl. Tetracen może mieć zastosowanie jako materiał modulujący swoje przewodnictwo w obecności gazów pod warunkiem zastosowania grubszych warstw.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2009, 30; 47-64
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Adsorption of ethanol to thin layer of acenes as a process of interconnected networks
Adsorpcja etanolu do cienkich warstw acenów jako proces wzajemnego oddziaływania sieci
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296658.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
tetracene films
p-quaterphenyl films
adsorption
interconnected network
warstwa tetracenu
p-kwaterfenyl
adsorpcja
sieć połączeń
Opis:
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggests influence of collisions as a source of injection of charge through the surface potential barrier of adsorption. Applied model of two-body interactions in the interface of adsorption is approved on the basis of theory of area law for entanglement from exponential decay of correlations. Quantum description of adsorption of small hydrocarbon to the solid acenes involve only diagonal elements of the interaction matrix.
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu i p-kwaterfenylu. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora sugeruje wzrost natężenia prądu związanego z adsorpcją jako wynik procesów dwuciałowych zderzeń z wstrzykiwaniem nośników ładunku do warstwy. Słuszność takiego modelu uzasadnia twierdzenie o powierzchniowym charakterze oddziaływań wynikającym z teorii eksponencjalnego zaniku korelacji [9]. Teoretyczna analiza procesu adsorpcji węglowodoru na powierzchni pierścieniowego acenu nie wymaga znajomości wyrazów mieszanych macierzy przejścia. Powinno to prowadzić do znacznego uproszczenia procedury obliczania parametrów modelu oddziaływań.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2013, 34; 27-33
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Absorbtion enhanced currents in thin layers of low dimension organics
Prądy wzmocnione wpływem absorpcji w cienkich warstwach niskowymiarowych związków organicznych
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296412.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
cienkie warstwy
warstwa tetracenu
p-czterofenyl
proces aktywacji
ruchliwość elektronów
transport nośników ładunku
thin films
tetracene films
p-quaterphenyl films
activation process
electron mobility
carrier transport
Opis:
Transport processes enhanced by absorption of the volatile ethanol on the tetracene and p-quaterphenyl films are considered. Obtained results may approve chemisorption's mechanism with hydrogen bonding.
Kinetyka aktywacji etanolem cienkich warstw dwu niskowymiarowych przedstawicieli aligo-acenów i oligo-fenylenów (tetracen i p-kwaterfenyl) wskazuje, jako dominujący mechanizm modulacji przewodnictwa warstw, mechanizm absorbcji powierzchniowej. Zderzenia aktywne molekuł alkoholu z adsorbowanymi jonami alkoholu mogą powodować odświeżenie powierzchni absorbującej i zwiększenie szybkości kinetyki.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2011, 32; 23-30
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Conductivity due to active collisions channel of adsorption of ethanol to thin layer of acenes
Przewodnictwo zależne od kanału zderzeń aktywnych w adsorpcji etanolu do cienkich warstw acenów
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296432.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
materiały polikrystaliczne
warstwa tetracenu
warstwa p-kwaterfenylu
proces aktywacji
ruchliwość elektronów
ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
polycrystalline
tetracene films
p-quaterphenyl films
activation process
electron mobility
hole mobility
carrier transport
Opis:
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggests influence of collisions as a source of injection of the charge through surface potential barrier of adsorption.
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu i p-kwaterfenylu. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora sugeruje wzrost natężenia prądu związanego z adsorpcją jako wynik procesów dwuciałowych zderzeń z wstrzykiwaniem nośników ładunku do warstwy. Uzyskane wartości potwierdzają wyniki dla badanych związków uzyskane przy założeniu hoppingowego mechanizmu przewodzenia opisanego w [3, 4].
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2012, 33; 65-72
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Charge carrier conductivity mechanism for activated tetracene layers
Mechanizm przewodnictwa ładunku w aktywowanych warstwach tetracenu
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296528.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
warstwa tetracenu
proces aktywacji
ruchliwość elektronów
transport nośników ładunku
tetracene films
polycrystalline
activation process
electron mobility
carrier transport
Opis:
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest some ability to utilize.
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu. Uzyskane wyniki zdaj się sugerować, że mamy tu do czynienia, z jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2008, 29; 45-56
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Elimination of the impact of RC constant on transient photocurrents measured in organic layers
Eliminacja wpływu stałej RC w pomiarach fotoprądów przejściowych warstw organicznych
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296553.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
organic electronics
circuit time constant
carrier mobility
drift transport
1,5-dihydroxynaphthalene
TOF measurements
electrical characterization
SCLC
space charge limited currents
elektronika organiczna
stała czasowa obwodu
ruchliwość nośników ładunku
transport dryftowy
1,5-dihydroksynaftalen
pomiary TOF
charakterystyka elektryczna
prądy ograniczone ładunkiem przestrzennym
Opis:
We present a calculation method for elimination of the effect of the RC constant of the measuring circuit in the time-of-flight (TOF) measurements where a pulse generation of the photocurrent in a thin layer of low-molecular organic material is exploited. Presented method allows to eliminate the influence of the component of displacement current related to dielectric losses and obtaining the actual conduction current time dependence. The method was tested on the thin layers of 1,5-dihydroxynaphthalene.
Zastosowanie metody eliminacji wpływu stałej RC obwodu pomiarowego do analizy wyników pomiaru fotoprądów przejściowych płynących w cienkiej warstwie niskocząsteczkowego materiału organicznego umożliwia eliminację wpływu składowej prądu przesunięcia związanej ze stratami dielektrycznymi i uzyskanie rzeczywistego przebiegu prądu przewodzenia w funkcji czasu. Pozwala to na wyznaczenie prawidłowej wartości czasu charakterystycznego nawet dla cieńszych warstw, dla których daje się zrealizować pomiar charakterystyki stałoprądowej U-I w zakresie prądów ograniczonych ładunkiem przestrzennym. Otwiera to możliwość pełnej charakteryzacji własności elektrycznych badanego materiału organicznego przy użyciu jednej komórki pomiarowej. Możliwość numerycznego przedstawienia przebiegu przejściowego fotoprądu powinna pozwolić na badanie własności materiału metodą TOF dla uzyskania rozkładu pułapek.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2016, 37; 65-73
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 52

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies