Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Kanehisa, M. A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Temperature Dependence of Raman Scattering by Magnons in Bulk-Like MBE-Gwn MnTe Films
Autorzy:
Szuszkiewicz, W.
Mohrange, J. F.
Jouanne, M.
Kanehisa, M. A.
Świrkowicz, R.
Dynowska, E.
Janik, E.
Wojtowicz, T.
Kossut, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968436.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.30.Ds
75.50.Pp
78.30.-j
Opis:
Temperature dependence of the magnon frequency was studied for cubic MnTe epilayers by the Raman scattering measurements. Experimental data are compared to the results of theoretical calculations performed within the framework of the Heisenberg model using Green's function formalism.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1025-1028
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Raman Characterization of MBE-Grown Layered MnTe/CdTe Structures
Autorzy:
Szuszkiewicz, W.
Jouanne, M.
Morhange, J.
Kanehisa, M. A.
Mariette, H.
Hartmann, J. M.
Dynowska, E.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Kossut, J.
Barnaś, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968435.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.30.Ds
78.30.-j
75.70.Ak
Opis:
Raman scattering measurements on (MnTe)$\text{}_{8}$/(Cd$\text{}_{0.64}$Zn$\text{}_{0.36}$Te)$\text{}_{8}$ multilayer grown by MBE method and on various (MnTe)$\text{}_{n}$/(CdTe)$\text{}_{12}$ multilayers (where n=8,12,16,24) were performed at low temperatures. In the z̅(x,x)z polarization, structures corresponding to folded acoustic phonons were found. In z̅(x,y)z polarization new complex structures were observed in the low-frequency part of Raman scattering spectra. A possible magnetic origin of these structures is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1021-1024
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Low-Frequency Raman Spectrum οf Bulk $Zn_{0.984}Co_{0.016}O$ Crystal
Autorzy:
Szuszkiewicz, W.
Łusakowski, A.
Morhange, J.
Gołacki, Z.
Arciszewska, M.
Brodowska, B.
Kanehisa, M.
Klepka, M.
Dobrowolski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807848.pdf
Data publikacji:
2009-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
78.30.Fs
Opis:
The influence of possible presence of $Co^{2+}$ ion pairs in a bulk $Zn_{1-x}Co_{x}O$ mixed crystal on the low-frequency part of the Raman spectrum is discussed. Two effects can be taken into account in the theoretical considerations when analyzing the energy level scheme corresponding to Co ions. The first is a local lattice deformation in the vicinity of $Co^{2+}$ ion due to a presence of the second ion, smaller than the host ZnO lattice cation. Such deformation creates a trigonal field, which can only slightly modify the energy levels of $Co^{2+}$ ion. The second effect, which results from an antiferromagnetic superexchange interaction between two $Co^{2+}$ ions is responsible for a new set of energy levels. The Raman data taken at low temperature on the sample corresponding to the composition x = 0.016 demonstrated the presence of two structures at about 6 $cm^{-1}$ and 13 $cm^{-1}$. These structures may be interpreted as electronic transitions between the ground state and the first excited state of a single $Co^{2+}$ ion in the substitution site of ZnO lattice and as a similar transition for $Co^{2+}$ ion pair, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 1; 103-106
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies