Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kaminska, K.H." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Virtual screening strategies in drug design – methods and applications
    Autorzy:
    Bielska, E.
    Lucas, X.
    Czerwoniec, A.
    Kasprzak, J.M.
    Kaminska, K.H.
    Bujnicki, J.M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/80139.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    virtual screening
    drug design method
    application
    drug discovery
    similarity search
    drug development
    high-throughput screening
    medical chemistry
    chemical compound
    experimental approach
    Źródło:
    BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology; 2011, 92, 3
    0860-7796
    Pojawia się w:
    BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Luminescence Spectra of ZnAl$\text{}_{2}$O$\text{}_{4}$:Cr$\text{}^{3+}$ Spinel Nanopowders
    Autorzy:
    Luc, H. H.
    Nguyen, T. K.
    Nguyen, V. M.
    Suchocki, A.
    Kamińska, A.
    Le, V. K.
    Nguyen, V. H.
    Luong, T. T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2037040.pdf
    Data publikacji:
    2003-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.60.-b
    72.80.Ga
    81.05.Je
    81.05.Mh
    Opis:
    The synthetic ZnAl$\text{}_{2}$O$\text{}_{4}$ spinels doped with Cr$\text{}^{3+}$ ions are prepared from ZnSO$\text{}_{4}$, Al$\text{}_{2}$(SO$\text{}_{4}$)$\text{}_{3}$, and Cr$\text{}_{2}$(SO$\text{}_{4}$)$\text{}_{3}$. The spinel single phase is detected from X-ray diffraction. Luminescence properties of Cr$\text{}^{3+}$ in ZnAl$\text{}_{2}$O$\text{}_{4}$ were studied by low temperature luminescence and decay measurements. Four luminescence lines at 14570, 14520, 14460, and 14330 cm$\text{}^{-1}$ were found to originate from structure distortion and the line at 14175 cm$\text{}^{-1}$ - from chromium pairs. The broad emission band at about 13540 cm$\text{}^{-1}$ is considered to arise from a new Cr$\text{}^{3+}$ center in ZnCr$\text{}_{2}$O$\text{}_{4}$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 104, 6; 581-587
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterisation of the bone cements on the basis of PMMA and organosilicon polymers
    Autorzy:
    Sobczyk-Guzenda, A.
    Rejs, K.
    Kamińska, M.
    Kaczorowski, W.
    Szymanowski, H.
    Niedzielski, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/285061.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
    Tematy:
    bone cements
    PMMA
    polymers
    Źródło:
    Engineering of Biomaterials; 2016, 19, 138; 99
    1429-7248
    Pojawia się w:
    Engineering of Biomaterials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultrafast Carrier Trapping and High Resistivity of MeV Energy Ion Implanted GaAs
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Jasiński, J.
    Kurpiewski, A.
    Kamińska, M.
    Jagadish, C.
    Tan, H. H.
    Krotkus, A.
    Marcinkevicius, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1951117.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Vv
    72.20.Jv
    72.80.Ey
    Opis:
    Semi-insulating GaAs wafers were implanted with MeV As, Ga, O or Si ions at doses ranging from 1×10$\text{}^{14}$ to 5×10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$. Their structural properties were studied by electron microscopy and the Rutherford backscattering-channeling. Time resolved photoluminescence, electrical conductivity and the Hall effect were used to determine carrier lifetime and electrical properties of the material. Annealing of the samples at 600°C led to the recovery of transport in conduction band. The As, Ga and O implanted samples became semi-insulating, while the Si implanted samples were n-type. Carrier trapping times were short, shorter than 1 ps for the highest dose used. Models explaining the fast photocarrier decay are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 851-854
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Role of Arsenic Antisite Defect in Nonstoichiometric Gallium Arsenide
    Autorzy:
    Jasiński, J.
    Kurpiewski, A.
    Korοna, K.
    Kamińska, M.
    Ρalczewska, M.
    Krotkus, A.
    Marcinkievicius, S.
    Liliental-Weber, Z.
    Tan, H. H.
    Jagadish, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933772.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Er
    73.90.+f
    Opis:
    Over the last few years there have been many studies of GaAs layers grown at low temperatures (180-300°C), so called LT GaAs. The interest in LT GaAs was motivated by the potential application of 600oC annealed LT GaAs in microwave and fast optoelectronic devices because of its short photocarrier lifetime, reasonable mobility and high resistivity. These properties are associated with the nonstoichiometry of LT GaAs. Recently, studies of comparable material, nonstoichiometric GaAs produced by arsenic ion implantation have been initiated. There is still a strong controversy as to whether the arsenic antisite (As$\text{}_{Ga}$) or arsenic precipitates are responsible for unique electrical properties of both materials. This paper presents the results of structural and electrical studies of high energy As implanted GaAs and comments on relationships between the structure and the resulting electrical properties.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 747-750
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Human tissue investigations using PALS technique - free radicals influence
    Autorzy:
    Jasińska, B.
    Zgardzińska, B.
    Chołubek, G.
    Pietrow, M.
    Gorgol, M.
    Wiktor, K.
    Wysogląd, K.
    Białas, P.
    Curceanu, C.
    Czerwiński, E.
    Dulski, K.
    Gajos, A.
    Głowacz, B.
    Hiesmayr, B.
    Jodłowska-Jędrych, B.
    Kamińska, D.
    Korcyl, G.
    Kowalski, P.
    Kozik, T.
    Krawczyk, N.
    Krzemień, W.
    Kubicz, E.
    Mohammed, Muhsin
    Pawlik-Niedźwiecka, M.
    Niedźwiecki, S.
    Pałka, M.
    Raczyński, L.
    Rudy, Z.
    Sharma, N.
    Sharma, S.
    Shopa, R.
    Silarski, M.
    Skurzok, M.
    Wieczorek, A.
    Wiktor, H.
    Wiślicki, W.
    Zieliński, M.
    Moskal, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1057941.pdf
    Data publikacji:
    2017-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    positron annihilation
    positronium
    free radicals
    tissues
    uterine leiomyomas
    Opis:
    The positron annihilation lifetime spectroscopy was applied to the samples of the human uterine leiomyomas and the normal myometrium tissues taken from the selected place of the uterus during a surgery. The method indicated differences in values of the measured positron annihilation lifetime spectroscopy parameters (lifetimes and intensities) between healthy and diseased tissue samples. The additional measurements were performed either in darkness or in presence of visible light which influenced the free radicals present in both kind of tissues and, as a result, made changes in free annihilation and o-Ps decay lifetime and intensity values.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 5; 1556-1558
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies