Autor: Jarzynska, M - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Derivation of the formula for the filtration coefficient by application of Poiseuilles law in membrane transport
Autorzy:: Jarzynska, M
Pietruszka, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/59171.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Botaniczne
Tematy:: mathematical analysis
membrane
filtration coefficient
Kedem-Katchalsky equation
viscosity coefficient
membrane transport
Poiseuille's law
Opis:: On the basis of Kedem-Katchalsky equations a mathematical analysis of volume flow (Jv) of a binary solution through a membrane (M) is presented. Two cases of transport generators have been considered: hydrostatic (Δp) as well as osmotic (Δπ) pressure difference. Based on the Poiseuille's law we derive the formula for the membrane filtration coefficient (Lp) which takes into account the membrane properties, kinetic viscosity and density of a solution flowing across the membrane. With use of this formula we have made model calculations of the filtration coefficient Lp and volume flow Jv for a polymer membrane in the case when the solutions on both sides of the membrane are mixed.
Źródło:: Acta Societatis Botanicorum Poloniae; 2009, 78, 2; 93-96
0001-6977
2083-9480
Pojawia się w:: Acta Societatis Botanicorum Poloniae
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Investigations of electron emission from DLC thin films deposited by means of RF PCVD at various self-bias voltages
Autorzy:: Jarzyńska, D.
Znamirowski, Z.
Cłapa, M.
Starga, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308665.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: DCL
RF PACVD
Raman spectroscopy
turn-on field
electron emission
effective work function
Opis:: The aim of this paper is to report the results of field emission experiments on undoped, flat diamond-like carbon (DLC) thin films deposited at various self-bias voltages using radio frequency plasma chemical vapor deposition (RF PCVD) technique. It has been observed that the emission properties improve when the absolute value of self-bias voltage becomes higher, e.g., the turn-on field value decreases. The correlation between electron field emission and sp2 content in these films showed improvement of electron emission properties of DLC films for higher amount of sp2 phase.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 39-43
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Field emission and microstructural characterization of diamond films deposited by HF CVD method
Emisja polowa i charakterystyka mikrostruktury warstw diamentowych nanoszonych przy użyciu metody HF CVD
Autorzy:: Jarzyńska, D.
Staryga, E.
Znamirowski, Z.
Fabisiak, K.
Gotszalk, T.
Woszczyna, M.
Strzelecki, W.
Dłużniewski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/296561.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:: warstwa diamentowa
domieszkowanie
emisja elektronowa
diamond film
doping
electron emission
Opis:: Electron emission from diamond films (DF) deposited using HF CVD technique on silicon substrates has been studied. The field emission characteristics were analyzed using the Fowler-Nordheim model. The diamond films were also characterized by Scanning Electron Microscopy (SEM), Atomic Force Microscopy (AFM), Raman Spectroscopy (RS) and Electron Spin Resonance (ESR) techniques. The correlation between electron field emission of investigated films, Raman spectra and concentration of paramagnetic centres has been discussed. The electron emission properties of diamond films improved after doping with nitrogen. The field emission was obtained at turn-on electric field equal to about 10 V/µm and about 3 V/µm, for undoped diamond films and N-doped diamond films, respectively. It seems that the change of turn-on field values and other emissive properties of thin diamond layers may be caused by different content of non-diamond phase (e.g. graphite phase) induced by doping.
Przeprowadzono badania emisji polowej z warstw diamentowych osadzonych przy użyciu metody HF CVD na podłożach krzemowych typu n i p. Charakterystyki emisyjne analizowano na podstawie modelu Fowlera-Nordheima. Wytworzone warstwy scharakteryzowano przy użyciu następujących metod: SEM, AFM, spektroskopii Ramana i Elektronowego Rezonansu Spinowego (ESR). Przeprowadzono dyskusję wyników, wskazując na korelację pomiędzy wynikami emisji polowej a koncentracją centrów paramagnetycznych oraz widmami ramanowskimi badanych warstw diamentowych. Zaobserwowano znaczną poprawę właściwości emisyjnych heterostruktur, w których warstwa diamentowa domieszkowana została azotem. Dla układów z niedomieszkowanymi warstwami diamentowymi wartość natężenia pola włączeniowego wynosiła około 10 V/ µm, zaś dla domieszkowanych azotem warstw diamentowych wartość ta równa jest 3 V/µm. Różnice w wartościach pola włączeniowego dla odpowiednich układów wynikają prawdopodobnie z różnej zawartości materii grafito-podobnej w badanych warstwach diamentowych. Warstwy domieszkowane azotem są silnie zdefektowane i zawierają znaczną ilość materii grafitopodobnej.
Źródło:: Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2007, 28; 13-26
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:: Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Jarzynska, M" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język