Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Jakieła, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Dynamic simulation based optimization of information flow in extended enterprise and its impact on business partners production efficiency and stock replenishment
    Symulacja dynamiczna w procesie optymalizacji przepływu informacji w przedsiębiorstwie rozszerzonym i jej wpływ na efektywność działań produkcyjnych i zarządzanie zapasami
    Autorzy:
    Litwin, P.
    Jakieła, J.
    Olech, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/175924.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    system dynamics method
    supply chain modeling
    supply chain numerical simulation
    extended enterprise operations optimization
    metoda dynamiki systemów
    modelowanie łańcucha dostaw
    symulacja numeryczna łańcucha dostaw
    optymalizacja funkcjonowania przedsiębiorstwa rozszerzonego
    Opis:
    Contemporary firms organize their activities in the form of extended enterprises. Extended enterprise is the concept that a company does not operate in isolation because its success is dependent upon a network of partner relationships established in the whole supply chain. These relationships are used for coordination of activities done by firms, every business partner focuses on specific area it operates the best with regard to costs or efficiency and therefore extended enterprise can optimize its operations as a whole. However, the scale of activities conducted and problems with information flow organization makes the whole business structure more vulnerable to demand fluctuations, what leads to bullwhip effect problem. The paper presents dynamic simulation approach to information flow optimization and shows how it can positively impact a production efficiency and stock replenishment. Simulation experiment has been designed with two models of supply chain – standard and with improved information flow organization. Models have been developed, simulation experiment planned and conducted with the use of system dynamics approach methods and techniques.
    Współczesne firmy organizują swoją działalność w formie przedsiębiorstwa rozszerzonego (ang. Extended Enterprise). Rozszerzone przedsiębiorstwo oznacza, że utworzona organizacja funkcjonuje w określonym ekosystemie. Jej sukces w dużej mierze zależy od ustanowionych relacji z partnerami biznesowymi w ramach całego łańcucha dostaw. Relacje te stanowią sieć wzajemnych powiązań, wspieranych technologiami informacyjno-komunikacyjnymi, i są wykorzystywane przy koordynacji wspólnych działań. Każdy partner działający w ramach przedsiębiorstwa rozszerzonego skupia swoją aktywność na wybranym obszarze, w którym jest liderem (kosztowym lub efektywnościowym). Pozwala to na optymalizację funkcjonowania całej utworzonej struktury biznesowej. Często jednak zakres wykonywanych czynności oraz problemy z odpowiednią organizacją przepływu informacji powoduje, że przedsiębiorstwo rozszerzone jest wrażliwe na zmiany rynkowe (np. okresowe fluktuacje popytu). Powoduje to pojawienie się problemów związanych z efektem „byczego bicza” (ang. Bullwhip Effect). W pracy przedstawiono rozwiązanie tego problemu z wykorzystaniem symulacji dynamicznej. Celem symulacji jest optymalizacja organizacji przepływu informacji w rozszerzonym przedsiębiorstwie. To z kolei prowadzi do poprawy efektywności działań operacyjnych partnerów biznesowych, także w zakresie zarządzania zapasami. Opracowano dwa modele łańcucha dostaw – model standardowy oraz z ulepszoną strukturą przepływu informacji. Symulację numeryczną realizowano z zastosowaniem metod dynamiki systemowej (ang. System Dynamics).
    Źródło:
    Advances in Manufacturing Science and Technology; 2016, 40, 1; 33-45
    0137-4478
    Pojawia się w:
    Advances in Manufacturing Science and Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Defect Structure of High-Temperature-Grown GaMnSb/GaSb
    Autorzy:
    Romanowski, P.
    Bak-Misiuk, J.
    Dynowska, E.
    Domagala, J.
    Sadowski, J.
    Wojciechowski, T.
    Barcz, A.
    Jakiela, R.
    Caliebe, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1539009.pdf
    Data publikacji:
    2010-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.cp
    68.37.Hk
    68.49.Sf
    68.55.ag
    68.55.Ln
    Opis:
    GaMnSb/GaSb(100) layers with embedded MnSb inclusions have been grown at 720 K using MBE technique. This paper presents the investigation of the defect structure of $Ga_{1-x}Mn_{x}Sb$ layers with different content of manganese (up to x = 0.07). X-ray diffraction method using conventional and synchrotron radiation was applied. Dimensions and shapes of inclusions were detected by scanning electron microscopy. Depth profiles of elements were measured using secondary ion mass spectroscopy technique.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 341-343
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigations of modular microfluidic geometries for passive manipulations on droplets
    Autorzy:
    Zaremba, D.
    Blonski, S.
    Jachimek, M.
    Marijnissen, M. J.
    Jakiela, S.
    Korczyk, P. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/201487.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    microfluidics
    two-phase flows
    droplets
    mikroprzepływy
    przepływy dwufazowe
    kropelka
    Opis:
    Multiple pipetting is a standard laboratory procedure resulting in the compartmentalisation of a liquid sample. Microfluidics offers techniques which can replace this process by the use of tiny droplets. Passive manipulation on droplets is an interesting and promising approach for the design of microfluidic devices which on one hand are easy-to-use and on the other, execute complex laboratory procedures. We present a comprehensive study of the geometry of microfluidic components which encode different operations on droplets into the structure of the device. The understanding of hydrodynamic interactions between the continuous flow and a droplet travelling through confined space of nontrivial microfluidic geometries is crucial for a rational and efficient design of new generation of modular microfluidic processors with embedded instructions.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2018, 66, 2; 139-149
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Response of ZnO/GaN Heterostructure to Ion Irradiation
    Autorzy:
    Barcz, A.
    Pągowska, K.
    Kozubal, M.
    Guziewicz, E.
    Borysiewicz, M.
    Dyczewski, J.
    Jakieła, R.
    Ratajczak, J.
    Snigurenko, D.
    Dynowska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402192.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.82.Fk
    61.85.+p
    68.35.Dv
    Opis:
    In this paper we report on the analysis of Al⁺-implanted ZnO/GaN bilayers in search for the damage production mechanism and possible ion mixing. 100 nm or 200 nm thick ZnO epitaxial layers were grown on GaN substrates by either sputter deposition or atomic layer deposition technique followed by adequate annealing. Ion irradiations of ZnO/GaN were carried out at room temperature using 200 keV Al⁺ ions with fluences of 2×10¹⁵ and 10¹⁶ at./cm². Unprocessed and irradiated samples were characterized by the Rutherford backscattering spectrometry in channeling geometry (RBS\c), X-ray diffraction and transmission electron microscopy. Additionally, secondary ion mass spectrometry was employed for the aforementioned samples as well as for the implanted samples subjected to further annealing. It was found that the damage distributions in ZnO/GaN differ considerably from the corresponding defect profiles in the bulk ZnO and GaN crystals, most probably due to an additional strain originating from the lattice mismatch. Amount of intermixing appears to be relatively small; apparently, efficient recombination prevents foreign atoms to relocate to large distances.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 832-835
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    XANES Studies of Mn K and $L_{3,2}$ Edges in the (Ga,Mn)As Layers Modified, by High Temperature Annealing
    Autorzy:
    Wolska, A.
    Lawniczak-Jablonska, K.
    Klepka, M.
    Jakieła, R.
    Demchenko, I.
    Sadowski, J.
    Holub-Krappe, E.
    Persson, A.
    Arvanitis, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812244.pdf
    Data publikacji:
    2008-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.70.Dm
    75.50.Pp
    Opis:
    $Ga_{1-x}Mn_xAs$ is commonly considered as a promising material for microelectronic applications utilizing the electron spin. One of the ways that allow increasing the Curie temperature above room temperature is to produce second phase inclusions. In this paper $Ga_{1-x}Mn_xAs$ samples containing precipitations of ferromagnetic MnAs are under consideration. We focus on the atomic and electronic structure around the Mn atoms relating to the cluster formation. The changes in the electronic structure of the Mn, Ga and As atoms in the (Ga,Mn)As layers after high temperature annealing were determined by X-ray absorption near edge spectroscopy. The experimental spectra were compared with the predictions of ab initio full multiple scattering theory using the FEFF 8.4 code. The nominal concentration of the Mn atoms in the investigated samples was 6% and 8%. We do not observe changes in the electronic structure of Ga and As introduced by the presence of the Mn atoms. We find, in contrast, considerable changes in the electronic structure around the Mn atoms. Moreover, for the first time it was possible to indicate the preferred interstitial positions of the Mn atoms.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 357-366
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetic Properties of Epitaxial (Ge,Mn)Te Thin Films with Varying Crystal Stoichiometry
    Autorzy:
    Knoff, W.
    Domukhovski, V.
    Dybko, K.
    Dziawa, P.
    Górska, M.
    Jakieła, R.
    Łusakowska, E.
    Taliashvili, B.
    Story, T.
    Reszka, A.
    Anderson, J.
    Rotundu, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811940.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    Opis:
    Magnetization of 1 μm thick ferromagnetic IV-VI (Ge, Mn)Te semiconductor layers with 10 at.% of Mn was studied by SQUID magnetometry method up to the magnetic fields of 70 kOe. The layers were grown on BaF₂ (111) substrates by molecular beam epitaxy with varying Te molecular flux, which permitted the control of layer stoichiometry and conducting hole concentration. X-ray diffraction and in situ electron diffraction characterization of layer growth and crystal structure revealed two-dimensional mode of growth and monocrystalline rhombohedral crystal structure of (Ge, Mn)Te layers. Controlling the layer stoichiometry influences the temperature dependence of magnetization with the ferromagnetic Curie temperature varying in $Ge_{0.9}Mn_{0.1}Te$ layers from $T_c$=30 K (low Te flux) to $T_c$=42 K (high Te flux).
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1159-1165
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Do We Understand Magnetic Properties of ZnMnO?
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Wójcik, A.
    Kopalko, K.
    Ivanov, V. Yu.
    Wilamowski, Z.
    Jakieła, R.
    Guziewicz, E.
    Szczepanik, A.
    Dłużewski, P.
    Chikoidze, E.
    Barjon, J.
    Dumont, Y.
    Putkonen, M.
    Niinistö, L.
    Tang, Dong
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047644.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Gh
    75.75.+a
    78.30.Fs
    78.60.Hk
    Opis:
    Optical and magnetic properties of ZnMnO films are discussed based on the results of cathodoluminescence, photoluminescence, and magneto-photoluminescence investigations. We show that photoluminescence/cathodoluminescence emissions are strongly quenched and become in-plane inhomogeneous in samples with increased Mn fractions. Strong polarization of photoluminescence is observed, even though excitonic lines do not shift and are not split at magnetic fields up to 6 T.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 261-267
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies