Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Jagadish, C." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Transient Photoconductivity and Photoluminescence in InP:Cu
    Autorzy:
    Stalnionis, A.
    Adomavic̆ius, R.
    Krotkus, A.
    Marcinkevic̆ius, S.
    Leon, R.
    Jagadish, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952097.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.40.+w
    78.47.+p
    78.55.-m
    Opis:
    Nonequilibrium photoexcited carrier dynamics in InP:Cu was investigated by two experimental techniques: the time-resolved photoluminescence up-conversion and the transient photoconductivity measurement. Both measurements show that doping with copper significantly modifies the photoexcited carrier relaxation in indium phosphide. There are several strong indications that this effect originates from the carrier trapping at metallic precipitates.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 931-934
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical and Optical Properties of Highly Non-stoichiometric GaAs
    Autorzy:
    Kurpiewski, A.
    Korona, K.
    Kamińska, M.
    Palczewska, M.
    Jagadish, C.
    Williams, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1876991.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.90.+f
    78.30.Er
    Opis:
    The studies of transport and optical properties of GaAs implanted with high arsenic doses were performed. As-implanted samples showed hopping conductivity and the exponential absorption tail in the near-IR region. Both effects were probably caused by the amorphization of implanted layer. Using EPR measurements it was found that arsenic antisite defect with high local strain field was created during implantation. Annealing of implanted layers at 600°C led to substantial removal of amorphization, decrease in absorption coefficient and hopping conductivity leading to resistive samples. The possible model of such behaviour may be similar to the one of suggested for low temperature GaAs layers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 518-522
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultrafast Carrier Trapping and High Resistivity of MeV Energy Ion Implanted GaAs
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Jasiński, J.
    Kurpiewski, A.
    Kamińska, M.
    Jagadish, C.
    Tan, H. H.
    Krotkus, A.
    Marcinkevicius, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1951117.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Vv
    72.20.Jv
    72.80.Ey
    Opis:
    Semi-insulating GaAs wafers were implanted with MeV As, Ga, O or Si ions at doses ranging from 1×10$\text{}^{14}$ to 5×10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$. Their structural properties were studied by electron microscopy and the Rutherford backscattering-channeling. Time resolved photoluminescence, electrical conductivity and the Hall effect were used to determine carrier lifetime and electrical properties of the material. Annealing of the samples at 600°C led to the recovery of transport in conduction band. The As, Ga and O implanted samples became semi-insulating, while the Si implanted samples were n-type. Carrier trapping times were short, shorter than 1 ps for the highest dose used. Models explaining the fast photocarrier decay are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 851-854
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Role of Arsenic Antisite Defect in Nonstoichiometric Gallium Arsenide
    Autorzy:
    Jasiński, J.
    Kurpiewski, A.
    Korοna, K.
    Kamińska, M.
    Ρalczewska, M.
    Krotkus, A.
    Marcinkievicius, S.
    Liliental-Weber, Z.
    Tan, H. H.
    Jagadish, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933772.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Er
    73.90.+f
    Opis:
    Over the last few years there have been many studies of GaAs layers grown at low temperatures (180-300°C), so called LT GaAs. The interest in LT GaAs was motivated by the potential application of 600oC annealed LT GaAs in microwave and fast optoelectronic devices because of its short photocarrier lifetime, reasonable mobility and high resistivity. These properties are associated with the nonstoichiometry of LT GaAs. Recently, studies of comparable material, nonstoichiometric GaAs produced by arsenic ion implantation have been initiated. There is still a strong controversy as to whether the arsenic antisite (As$\text{}_{Ga}$) or arsenic precipitates are responsible for unique electrical properties of both materials. This paper presents the results of structural and electrical studies of high energy As implanted GaAs and comments on relationships between the structure and the resulting electrical properties.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 747-750
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies