Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Jałochowski, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Self-Assembled Parallel Mesoscopic Pb Wires on Vicinal Si(111)
Autorzy:
Jałochowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2014187.pdf
Data publikacji:
2000-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Ch
68.65.+g
68.35.Bs
68.55.Jk
81.15.Ef
Opis:
The work presents a novel method of production of mesoscopic metallic wires on semiconducting surfaces. Making use the self-assembly phenomenon, arrays of extremely long and perfectly parallel mesoscopic Pb-wires on vicinal Si(111) substrates are formed and studied in UHV conditions. Before deposition of Pb a uniform distribution of monoatomic steps and terraces was induced by formation of Au chains running along step edges. The wires growing on the substrates held at temperatures close to the room temperature reach up to 8 µ length. A reflection high electron energy diffraction experiment shows that the wires laying on Si(533) along the step edges have triangular cross-section determined by (111) and (100) facets of Pb. Scanning tunneling microscopy images collected at low temperatures have enabled us to determine details of the wires shape and morphology of the substrate. The width of the wires was approximately equal to 60 nm whereas their height was about 10 nm. The observed strong growth anisotropy is attributed to step edge barriers and high Pb mobility on the smooth Si(111) narrow terraces that form vicinal surfaces and the anisotropic strain due to large misfit between Pb and Si lattices.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 98, 3; 259-269
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
RHEED Intensity Oscillations During the Growth of Indium Ultrathin Films
Autorzy:
Stróżak, M.
Jałochowski, M.
Subotowicz, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1892482.pdf
Data publikacji:
1992-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.14.-x
68.55.-a
Opis:
The ultrathin high-purity single-crystal indium films with atomically flat surfaces, and precisely known thicknesses in UHV conditions were prepared These films were deposited on the Si(111)-(7×7) and Si(111)-(6×6)Au substrate cooled to temperatures up to 110 K. The growth of the indium films was studied by. reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Pronounced specular beam intensity oscillations are found. The consequences for the understanding of RHEED intensity oscillations and of the growth of ultrathin films are discussed. The amplitude of the RHEED specular beam intensity oscillations as a function f the polar angle and temperature substrate Si was measured.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 81, 2; 239-245
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of Shapes of RHEED Intensity Oscillations Observed for Growing Films
Autorzy:
Mitura, Z.
Daniluk, A.
Stróżak, M.
Jalochowski, M.
Smal, A.
Subotowicz, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890913.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.14.-x
68.55.-a
Opis:
A new method of analysing shapes of RHEED intensity oscillations observed during epitaxial growth of ultrathin films is presented. The intensity of the specular electron beam is computed by solving the one-dimensional Schrödinger equation. The method can be used for interpreting data collected at very low glancing angle (< 1°) of the incident electron beam. In the paper we show numerically determined shapes of the intensity oscillations for different cases of settling of atoms at surfaces of growing films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 365-368
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies