Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ivchenko, E. L." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Exchange Splitting of Zero-Dimensional Exciton Levels
Autorzy:
Goupalov, S. V.
Ivchenko, E. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969097.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.70.Gm
73.20.Dx
78.66.-w
Opis:
A theory of nonanalytic (long-range) exchange interaction between an electron and a hole is developed for zero-dimensional excitons in semiconductor nanostructures. Two particular cases are considered in detail: (i) that of exciton confined in a spherical nanocrystal and (ii) a quantum-well exciton localized as a whole on an anisotropic island of well-width monolayer fluctuation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 341-346
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Periodic Behavior of the Exciton Oscillator Strength with AlAs Thickness in Type II GaAs AlAs Heterostructures
Autorzy:
Gourdon, C.
Martins, D.
Lavallard, P.
Ivchenko, E. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2028741.pdf
Data publikacji:
2001-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.-w
71.70.-d
Opis:
For a single GaAs/AlAs/GaAs type II pseudodirect double quantum well, as well as for superlattices it was predicted that the oscillator strength of the lowest optical transition has a periodic dependence on the number of AlAs monolayers. The oscillator strength depends on the coupling between theΓ and X electron states. We use samples containing a single GaAs/AlAs/GaAs double quantum well with thickness gradient to show experimental evidence of this effect. The results concerning theΓ-X coupling are obtained from the study of the ratio of photoluminescence intensities of the zero-phonon line and the phonon replica and from their time decay. They show the monolayer dependence of the Γ-X mixing potential. We extend the model describing the Γ-X coupling for ideal interfaces in the frame of the envelope approximation to the case of non-abrupt interfaces and exciton localization. The amplitude of variation of the radiative recombination time due to the Γ-X mixing is well reproduced within this model.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 3; 409-416
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Anisotropy of ZnSe/BeTe Superlattices Probed by Excitonic Spectroscopy
Autorzy:
Platonov, A. V.
Kochereshko, V. P.
Ivchenko, E. L.
Yakovlev, D.
Ossau, W.
Fischer, F.
Waag, A.
Landwehr, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992063.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
78.66.-w
78.66.Hf
Opis:
Photoluminescence spectra of type-II ZnSe/BeTe superlattices were studied. A linear polarised photoluminescence has been found in the spectral range of spatially indirect exciton transitions. This observation is interpreted in a model of optical anisotropy of heterostructures with no-common atom at interfaces.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 479-482
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies