Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Huant, S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Scanning-Gate Microscopy of Semiconductor Nanostructures: An Overview
Autorzy:
Martins, F.
Hackens, B.
Sellier, H.
Liu, P.
Pala, M. G.
Baltazar, S.
Desplanque, L.
Wallart, X.
Bayot, V.
Huant, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047914.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.La
73.23.Ad
03.65.Yz
85.35.Ds
Opis:
This paper presents an overview of scanning-gate microscopy applied to the imaging of electron transport through buried semiconductor nanostructures. After a brief description of the technique and of its possible artifacts, we give a summary of some of its most instructive achievements found in the literature and we present an updated review of our own research. It focuses on the imaging of GaInAs-based quantum rings both in the low magnetic field Aharonov-Bohm regime and in the high-field quantum Hall regime. In all of the given examples, we emphasize how a local-probe approach is able to shed new, or complementary, light on transport phenomena which are usually studied by means of macroscopic conductance measurements.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 569-575
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Conductivity of Optically Excited Electrons in GaAs in Quantizing Magnetic Fields
Autorzy:
Łusakowski, J.
Grynberg, M.
Huant, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1876263.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Hy
72.20.Ht
Opis:
Magnetoconductivity (σ) measurements on an n-type molecular beam epitaxy grown epitaxial layer and on a bulk liquid encapsulated Czochralski grown undoped semi-insulating GaAs samples were performed for magnetic fields (B) up to 21 T at 4.2 K. To enable current measurements in a wide range of B both samples were permanently illuminated with a band-to-band light. It is shown that for sufficiently high magnetic fields σ(B) dependence is the same for both materials. This result underlines a role of scattering by long-range fluctuations of the electrostatic potential in high-quality n-GaAs in quantizing magnetic fields.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 482-486
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies