Autor: Hendorfer, G. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Influence of Coimplantation on Activation of Er Emission in Si
Autorzy:: Przybylińska, H.
Hendorfer, G.
Jantsch, W.
Palmetshofer, L.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1872856.pdf
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Hx
61.72.Tt
Opis:: The results of high resolution photoluminescence studies of erbium implanted silicon are presented. We show that the apparent enhancement of Er emission by coimplantation with light elements is not due to formation of Er-dopant complexes, but rather to Er forming complexes with defects induced by the implantation process alone.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 365-368
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Optically Active Centers in Er-Implanted Silicon
Autorzy:: Przybylińska, H.
Jantsch, W.
Hendorfer, G.
Palmetshofer, L.
Wilson, R. J.
Sealy, B. J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933961.pdf
Data publikacji:: 1995-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Hx
Opis:: We show that of all the optically active Er centers in silicon found after ion implantation and optimum annealing (900°C) the isolated cubic interstitial Er is the dominant PL center above 100 K. At lower anneal temperatures ( ≈ 600°C) with later rapid thermal anneal at 900°C oxygen related centers also emit.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 877-880
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja