Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Guillot, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    A.C. Susceptibility Measurements under High Pressure up to 2.0 GPa
    Autorzy:
    Średniawa, B.
    Duraj, R.
    Zach, R.
    Guillot, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2013734.pdf
    Data publikacji:
    2000-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Cc
    07.55.Jg
    71.20.Lp
    Opis:
    A newly developed pressure setup for a.c. susceptibility measurements in the pressure range up to 2.0 GPa is presented; the temperature domain extends from 77 to 450 K. The steel pressure chamber contains the sample located at the center of a set of three compensated pick-up coils and the pressure and temperature sensors. Either alcohol or extraction naphtha is used as the liquid pressure transmitting medium. The (P,T) magnetic phase diagram of (Fe$\text{}_{0.975}$Ni$\text{}_{0.025}$)$\text{}_{2}$P system in the pressure range up to 2.0 GPa is reported.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 5; 917-920
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Anisotropy of Magnetic Interactions in HgFeSe
    Autorzy:
    Wilamowski, Z.
    Przybylińska, H.
    Joss, W.
    Guillot, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1921599.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.80.Ey
    75.20.Hr
    Opis:
    Magnetic properties (susceptibility, high-field torque and magnetization) of cubic HgFeSe are analyzed. Van Vleck magnetism of Fe$\text{}^{2+}$ is well evidenced. The energy splitting of the Fe levels in HgSe is shown to differ considerably from that in other II-VI compounds.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 689-692
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nowy rodzaj lakieru domieszkowany nanocząstkami SiO2
    New kind of varnish filled with SiO2 nanoparticles
    Autorzy:
    Nguyen, M.Q.
    Malec, D.
    Mary, D.
    Werynski, P.
    Gornicka, B.
    Therese, L.
    Guillot, Ph.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1373461.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
    Tematy:
    lakiery
    krzemionka
    nanonapełniacze
    właściwości dielektryczne
    Opis:
    The dielectric and mechanical properties of standard (PEI), nanoscale-filled and microscale-filled varnishes are detailed and analyzed in this communication. Two kind of silica (10 nm and 400 nm) have been tested as a filler. A particular attention has been paid to Partial Discharge Inception Voltage, lifetime under pulse voltage and bonding strength which are crucial for varnish to be used in rotating machines fed by inverters.
    Źródło:
    Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2009, 84; 211-216
    0239-3646
    2084-5618
    Pojawia się w:
    Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    III-Nitride Nanostructures for Infrared Optoelectronics
    Autorzy:
    Monroy, E.
    Guillot, F.
    Leconte, S.
    Bellet-Amalric, E.
    Nevou, L.
    Doyennette, L.
    Tchernycheva, M.
    Julien, F. H.
    Baumann, E.
    Giorgetta, F.
    Hofstetter, D.
    Dang, Le Si
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2046980.pdf
    Data publikacji:
    2006-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.21.Fg
    78.67.De
    85.60.Gz
    85.35.Be
    81.15.Hi
    81.07.St
    Opis:
    Thanks to their large conduction band offset (~1.8 eV for the GaN/AlN system) and subpicosecond intersubband scattering rates, III-nitride heterostructures in the form of quantum wells or quantum dots are excellent candidates for high-speed unipolar devices operating at optical-fiber telecommunication wavelengths, and relying on the quantum confinement of electrons. In this work, we present the plasma-assisted molecular-beam epitaxial growth of quantum well infrared photodetector structures. The growth of Si-doped GaN/AlN multiple quantum well structures is optimized by controlling substrate temperature, metal excess and growth interruptions. Structural characterization confirms a reduction of the interface roughness to the monolayer scale. P-polarized intersubband absorption peaks covering the 1.33-1.91μm wavelength range are measured on samples with quantum well thickness varying from 1 to 2.5 nm. Complete intersubband photodetectors have been grown on conductive AlGaN claddings, the Al mole fraction of the cladding matching the average Al content of the active region. Photovoltage measurements reveal a narrow (~90 meV) detection peak at 1.39μm at room temperature.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 295-301
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies