Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Grzegory, A." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Badania i Rozwój w Infrastrukturze Kolejowej – innowacyjność energetyki
Autorzy:
Grzegory, A.
Kałas, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/249393.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Komunikacji Rzeczpospolitej Polskiej
Tematy:
innowacje
badania i rozwój
oświetlenie
ekrany akustyczne
kradzież
systemy informatyczne
Opis:
W artykule przedstawiono przegląd innowacyjnych projektów prowadzonych przez Biuro Energetyki PKP Polskich Linii Kolejowych S.A., objętych dofinansowaniem ze środków Unii Europejskiej, we współpracy z Narodowym Centrum Badań i Rozwoju. Prace dotyczą tematyki zarządzania oświetleniem, wykorzystania ekranów akustycznych jako podłoża kompatybilnego z bateriami słonecznymi oraz systemu antykradzieżowego elementów infrastruktury odpowiedzialnej bezpośrednio za ruch kolejowy. Zarządzanie oświetleniem zakłada zbudowanie systemu informatycznego, w którym sterowanie oświetleniem zewnętrznym uwarunkowane jest czynnikami adaptacyjnymi, uwzględniającymi rozkład jazdy pociągów. Wdrożenie założeń projektu ma pozwolić na optymalizację mocy zainstalowanej, czasu pracy, a w konsekwencji zużycia energii elektrycznej - kosztów eksploatacji oświetlenia w PKP Polskie Linie Kolejowe S.A. Badanie eksperymentalnej instalacji fotowoltaicznej ukaże możliwości wdrożenia idei tego projektu, opracowania wymagań technicznych i założeń projektowych do zastosowania na skalę globalną. Zbliżony przebieg działań będzie miał miejsce w przypadku projektu antykradzieżowego. Realizacja zakłada zbudowanie systemu komunikacji i powiadamiania o zauważonych nieprawidłowościach w oparciu o specjalnie wypracowaną logikę. Efektem końcowym projektu będzie wybudowanie prototypowej instalacji i jej próbna eksploatacja.
Źródło:
Zeszyty Naukowo-Techniczne Stowarzyszenia Inżynierów i Techników Komunikacji w Krakowie. Seria: Materiały Konferencyjne; 2018, 2(116); 165-170
1231-9171
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowo-Techniczne Stowarzyszenia Inżynierów i Techników Komunikacji w Krakowie. Seria: Materiały Konferencyjne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Coupling of LO Phonons to Excitons in GaN
Autorzy:
Wysmołek, A.
Łomiak, P.
Baranowski, J. M.
Pakuła, K.
Stępniewski, R.
Korona, K. P.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952430.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
63.20.Mt
71.55.Eq
Opis:
The photoluminescence of homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers is reported. It is shown that the coupling between LO phonons and neutral acceptor bound excitons is much stronger than the coupling between LO phonons and neutral donor bound excitons. In undoped homoepitaxial layer, in spite of that the no-phonon emission due to donor bound excitons is one order of magnitude stronger than the acceptor bound excitons emission, the predominant structure in the LO phonon replica of the excitonic spectrum is related to optical transitions involving acceptor bound excitons. Temperature studies showed that at higher temperature the LO phonon replica is related to free excitons.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 981-984
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Crack Free GaInN/AlInN Multiple Quantum Wells Grown on GaN with Strong Intersubband Absorption at 1.55μm
Autorzy:
Cywiński, G.
Skierbiszewski, C.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Siekacz, M.
Nevou, L.
Doyennette, L.
Julien, F. H.
Prystawko, P.
Kryśko, M.
Grzanka, S.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046911.pdf
Data publikacji:
2006-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.65.Fg
78.66.-w
78.67.De
78.40.Fy
81.15.Hi
Opis:
Crack free GaInN/AlInN multiple quantum wells were grown by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy on (0001) GaN/sapphire substrates. The strain-engineering concept was applied to eliminate cracking effect for growth of intersubband structures on GaN. Indium contained ternary compounds of barrier and well layers are contrary strained to the substrate material. A series of crack free GaInN/AlInN intersubband structures on (0001) GaN was fabricated and investigated. The assumed composition and layered structure were confirmed by room temperature photoluminescence and X-ray diffraction measurements. The intersubband measurements were done in multipass waveguide geometry by applying direct intersubband absorption and photoinduced intersubband absorption measurements. The optimized structure design contains forty periods of Si-doped GaInN/AlInN quantum wells and exhibits strong intersubband absorption.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 175-181
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deep-Level Defects in MBE-Grown GaN-Based Laser Structure
Autorzy:
Tsarova, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Skierbiszewski, C.
Grzegory, I.
Perlin, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047691.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
73.20.Hb
61.72.Lk
81.15.Hi
Opis:
We present results of deep-level transient spectroscopy investigations of defects in a GaN-based heterostructure of a blue-violet laser diode, grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on a bulk GaN substrate. Three majority-carrier traps, T1 at E$\text{}_{C}$ - 0.28 eV, T2 at E$\text{}_{C}$ - 0.60 eV, and T3 at E$\text{}_{V}$ + 0.33 eV, were revealed in deep-level transient spectra measured under reverse-bias conditions. On the other hand, deep-level transient spectroscopy measurements performed under injection conditions, revealed one minority-carrier trap, T4, with the activation energy of 0.20 eV. The three majority-carrier traps were revealed in the spectra measured under different reverse-bias conditions, suggesting that they are present in various parts of the laser-diode heterostructure. In addition, these traps represent different charge-carrier capture behaviours. The T1 trap, which exhibits logarithmic capture kinetics, is tentatively attributed to electron states of dislocations in the n-type wave-guiding layer of the structure. In contrast, the T2, T3, and T4 traps display exponential capture kinetics and are assigned to point defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 331-337
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Endoscopic examination of the urethra and the urinary bladder in dogs – indications, contraindications and performance technique
Autorzy:
Grzegory, M
Kubiak, K.
Jankowski, M.
Spuzak, J.
Glinska-Suchocka, K.
Bakowska, J.
Nicpon, J
Halon, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/31762.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Opis:
This paper discusses indications, contraindications, and likely complications following the endoscopic examination of the urethra and the urinary bladder in dogs. In addition, the procedure performance techniques and evaluation of the particular sections of the lower urinary tract are presented as well as the equipment used for the urethrocystoscopy
Źródło:
Polish Journal of Veterinary Sciences; 2013, 16, 4
1505-1773
Pojawia się w:
Polish Journal of Veterinary Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Growth of GaN Metalorganic Chemical Vapour Deposition Layers on GaN Single Crystals
Autorzy:
Pakula, K.
Baranowski, J. M.
Stępniewski, R.
Wysmołek, A.
Grzegory, I.
Jun, J.
Porowski, S.
Sawicki, M.
Starowieyski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933937.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.55.Cr
Opis:
The homoepitaxial growth of GaN layers has been achieved for the first time. Bulk GaN single crystals which have been used as a substrate have been grown from diluted solution of atomic nitrogen in the liquid gallium at 1600°C and at nitrogen pressure of about 15-20 kbar. It is shown that a terrace growth of GaN epitaxial layer has been realized. The high quality of the GaN film has been confirmed by luminescence measurements. The analysis of donor-acceptor and exciton luminescence is presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 861-864
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Power Continuous Wave Blue InAlGaN Laser Diodes Made by Plasma Assisted MBE
Autorzy:
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Wiśniewski, P.
Perlin, P.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Cywiński, G.
Smalc, J.
Grzanka, S.
Grzegory, I.
Leszczyński, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047002.pdf
Data publikacji:
2006-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
85.35.Be
42.60.By
73.21.Cd
Opis:
Room temperature, continuous wave operation of InGaN multi-quantum wells laser diodes made by rf plasma assisted molecular beam epitaxy at 411 nm wavelength is demonstrated. The threshold current density and voltage were 4.2 kA/cm$\text{}^{2}$ and 5.3 V, respectively. High optical power output of 60 mW was achieved. The lifetime of these laser diodes exceeds 5 h with 2 mW of optical output power. The laser diodes are fabricated on low dislocation density bulk GaN substrates, at growth conditions which resembles liquid phase epitaxy. We demonstrate that relatively low growth temperatures (600-700°C) pose no intrinsic limitations for fabrication of nitride optoelectronic components by plasma assisted molecular beam epitaxy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 345-351
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Jednostopniowa amplifikacja kwasów nukleinowych (ang. One-Step Nucleic Acid Amplification - OSNA) - nowa metoda wykrywania przerzutów guzów litych do węzłów chłonnych
One-Step Nucleic Acid Amplification - a new method for the detection of metastases of solid tumours of the lymph nodes
Autorzy:
Kaczka, K.
Grzegory, A.
Pomorski, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/4356.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Instytut Medycyny Wsi
Opis:
Wprowadzenie i cel pracy. Żadna ze stosowanych metod oceny węzłów chłonnych nie jest idealna. Wadą pooperacyjnego badania histopatologicznego jest długi czas oczekiwania na wynik. W przypadku dodatniego wyniku pooperacyjnego badania histopatologicznego węzła wartowniczego zachodzi konieczność przeprowadzenia drugiego zabiegu operacyjnego. Część przerzutów mniejszych niż 2 mm może zostać przeoczona w rutynowym badaniu histopatologicznym. Z kolei, badanie mrożakowe przy stosunkowo wysokiej swoistości ma niższą niż badanie pooperacyjne czułość. Badania molekularne z wykorzystaniem technik PCR, przy wysokiej czułości, charakteryzują się niższą swoistością. Ponadto techniki PCR, poza badaniem w czasie rzeczywistym, nie nadają się do wykorzystania jako badanie śródoperacyjne ze względu na długi czas oczekiwania na wynik. Jedną z nowych metod oceny węzłów chłonnych w guzach litych jest badanie OSNA. Artykuł podsumowuje światowe doniesienia dotyczące zastosowania tej techniki w ocenie węzłów chłonnych pacjentów z guzami litymi. Opis stanu wiedzy. Badanie OSNA polega na amplifikacji mRNA cytokeratyny 19 (CK19). W chwili obecnej badanie to jest często wykonywane w badaniu węzłów chłonnych u pacjentów z rakiem piersi. W tym przypadku śródoperacyjna ocena węzłów chłonnych wartowniczych za pomocą metody OSNA pozwala na podjęcie decyzji o konieczności lub zaniechaniu wykonania limfadenektomii. W innych nowotworach zastosowanie metody OSNA podlega ewaluacji w licznych badaniach klinicznych. Podsumowanie. Metoda OSNA być może stanie się rutynową techniką oceny węzłów chłonnych. Przy stosunkowo wysokiej czułości pozwala ona na ocenę węzłów chłonnych w czasie 30 minut, co umożliwi wykorzystanie jej jako badania śródoperacyjnego.
Introduction and purpose. None of the applied methods of lymph node assessment is perfect. The need to wait a long time for the results is the disadvantage of postoperative histopathological examination. In the case of a positive outcome of the post-operative histopathology of sentinel lymph node it is necessary to perform a second surgery. Some metastases smaller than 2 mm can be omitted in routine histopathology. In turn, frozen section examination, with relatively high specificity, has lower sensitivity than postoperative histopathology. Molecular assays, using PCR techniques, with high sensitivity, have lower specificity. In addition, except for real-time PCR, all other techniques are not suitable for use as an intraoperative examination due to the long waiting time for the result. OSNA is one of the latest methods of lymph node assessment in solid tumours. The article summarizes world reports on the application of this technique in the evaluation of lymph nodes in patients with solid tumours. Summary of the state of knowledge. The OSNA test is based on mRNA for cytokeratin 19(CK19) amplification. At present, this test is often performed in the search for lymph nodes metastases in patients with breast cancer. Intraoperative evaluation of sentinel lymph nodes in breast cancer, using the OSNA method, allows deciding whether or not to perform lymphadenectomy. In other cancers, the use of the OSNA method has been evaluated in numerous clinical trials. Summary. The OSNA method could become a routine technique for the assessment of lymph nodes. It has a relatively high sensitivity and allows evaluation of lymph nodes in 30 minutes, which enables its use as an intraoperative examination.
Źródło:
Medycyna Ogólna i Nauki o Zdrowiu; 2015, 21(50), 2
2083-4543
Pojawia się w:
Medycyna Ogólna i Nauki o Zdrowiu
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Localization Effects in GaN/AlGaN Quantum Well - Photoluminescence Studies
Autorzy:
Chwalisz, B.
Wysmołek, A.
Bożek, R.
Korona, K. P.
Stępniewski, R.
Knap, W.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Grandjean, N.
Massies, J.
Prystawko, P.
Grzegory, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036024.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.20.-r
73.21.-b
74.40.+k
Opis:
Exciton localization in GaN/AlGaN quantum well structures is studied by photoluminescence. An anomalous temperature behavior of the photoluminescence from the quantum well is observed. With increasing temperature the energy position of the excitonic emission line first decreases up to 20 K, then increases, reaching a maximum around 90 K, and then decreases again in the higher temperature range. The observed behavior is discussed in terms of localization at the interface potential fluctuations. It is argued that the temperature activated migration and subsequent release of the excitons from traps that occurs between 20 K and 90 K are responsible for the observed S-like shape of the energy dependence. The obtained results allow a direct characterization of the energy fluctuations present in GaN/AlGaN quantum wells grown by different techniques.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 573-578
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetoluminescence Studies of GaN:Fe
Autorzy:
Niedźwiadek, A.
Wysmołek, A.
Wasik, D.
Potemski, M.
Szczytko, J.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Łucznik, B.
Pastuszka, B.
Grzegory, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047373.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
71.55.Eq
71.20.Be
Opis:
We report on magneto-optical studies on iron doped GaN crystals grown using hydride vapor phase epitaxy method on bulk GaN substrate. The investigated samples showed an intensive 1.3 eV luminescence band, characteristic of Fe$\text{}^{3+}$(d$\text{}^{5}$) center in GaN. A high quality of the investigated samples allowed us to observe a well-resolved fine structure of intracenter transitions between $\text{}^{4}$T$\text{}_{1}$(G) and $\text{}^{6}$A$\text{}_{1}$(S) states, consisting of four sharp no-phonon lines. All the observed no-phonon lines showed pronounced splittings in magnetic field. From the analysis of the magneto-optical data, the structure of split $\text{}^{4}$T$\text{}_{1}$(G) multiplet in the magnetic field applied along c-axis of GaN crystals was established.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 177-182
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Measurement of Very Small Zeeman Splittings in GaN:Mn,Mg by Faraday Rotation
Autorzy:
Wołoś, A.
Kossacki, P.
Golnik, A.
Kamińska, M.
Gaj, J. A.
Twardowski, A.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035615.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ls
71.70.Ej
71.55.Eq
71.20.Nr
Opis:
In this work we demonstrate an application of Faraday rotation for measuring an extremely small Zeeman splitting of an Mn related absorption line placed at 1.417 eV in optical absorption spectrum of Mn and Mg doped gallium nitride. Analysis of the collected spectra allowed us to determine the value of the splitting as equal to 0.12±0.01 meV at 6 T. This data should help in establishing the nature of the observed absorption band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 695-699
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mechanisms of Yellow and Red Photoluminescence in Wurtzite and Cubic GaNDOI
Autorzy:
Godlewski, M.
Suski, T.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Langer, R.
Barski, A.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969079.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Ch
61.72.Ff
71.55.Eq
Opis:
The origin of two "deep" photoluminescence (PL) emissions observed in wurtzite (yellow PL) and cubic (red PL) GaN is discussed. PL and time-resolved PL studies confirm donor-acceptor pair character of the yellow band in wurtzite GaN and point to participation of shallow donors in this emission. A similar PL mechanism is proposed for the red emission of cubic GaN. We further show a puzzling property of both yellow and red PLs. Both yellow and red emissions show spatial homogeneity and are only weakly dependent on surface morphology.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 326-330
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mn Impurity in GaN Studied by Electron Paramagnetic Resonance
Autorzy:
Wołoś, A.
Palczewska, M.
Wilamowski, Z.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Boćkowski, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036027.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
71.55.Eq
71.70.Gm
Opis:
We present the results of electron paramagnetic resonance investigations of GaN bulk crystals doped with Mn. The EPR experiment shows the Mn$\text{}^{2+}$ resonance in all the investigated n-type crystals, while in highly resistive samples extra doped with Mg acceptor the Mn$\text{}^{2+}$ resonance decreases. This is a consequence of the location of Mn acceptor level in GaN band gap. The analysis of the spin relaxation times reveals the Korringa scattering as the dominating spin relaxation mechanism in n-type GaN:Mn crystals. The effective exchange constant determined from spin relaxation rate temperature dependence is of the order of 14 meV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 595-600
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
MnAs Overlayer on GaN(000$\text{}_{1}$)-(1 x 1) - Its Growth, Morphology and Electronic Structure
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Kowalik, I. A.
Iwanowski, R. J.
Łusakowska, E.
Sawicki, M.
Sadowski, J.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038151.pdf
Data publikacji:
2004-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
73.20.At
Opis:
MnAs layer has been grown by means of MBE on the GaN(000$\text{}_{1}$)-(1 x 1) surface. Spontaneous formation of MnAs grains with a diameter of 30-60 nm (as observed by atomic force microscopy) occurred for the layer thickness bigger than 7 ML. Ferromagnetic properties of the layer with Curie temperature higher than 330 K were detected by SQUID measurements. Electronic structure of the system was investigated in situ by resonant photoemission spectroscopy for MnAs layer thickness of 1, 2, and 8 ML. Density of the valence band states of MnAs and its changes due to the increase in the layer thickness were revealed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 645-650
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Neoplastic lesions in the nasal cavities of dogs
Autorzy:
Spuzak, J.
Jankowski, M.
Kubiak, K.
Glinska-Suchocka, K.
Grzegory, M.
Halon, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2087949.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Opis:
This paper aims at evaluating the frequency of nasal cavity tumors in dogs as well as comparing an endoscopic examination with a histopathological evaluation of the collected biopsy specimens. The study was conducted on 68 dogs. During the endoscopic examination, proliferative lesions were recognized in 20 dogs. During the histopathological examination, neoplastic lesions were confirmed in 95% of the dogs in which proliferative lesions were identified in the endoscopic examination. Adenocarcinoma occurred most frequently in the population under study.
Źródło:
Polish Journal of Veterinary Sciences; 2014, 17, 2; 375-377
1505-1773
Pojawia się w:
Polish Journal of Veterinary Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies