Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Grzegory, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 28
Tytuł:
Coupling of LO Phonons to Excitons in GaN
Autorzy:
Wysmołek, A.
Łomiak, P.
Baranowski, J. M.
Pakuła, K.
Stępniewski, R.
Korona, K. P.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952430.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
63.20.Mt
71.55.Eq
Opis:
The photoluminescence of homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers is reported. It is shown that the coupling between LO phonons and neutral acceptor bound excitons is much stronger than the coupling between LO phonons and neutral donor bound excitons. In undoped homoepitaxial layer, in spite of that the no-phonon emission due to donor bound excitons is one order of magnitude stronger than the acceptor bound excitons emission, the predominant structure in the LO phonon replica of the excitonic spectrum is related to optical transitions involving acceptor bound excitons. Temperature studies showed that at higher temperature the LO phonon replica is related to free excitons.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 981-984
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Measurement of Very Small Zeeman Splittings in GaN:Mn,Mg by Faraday Rotation
Autorzy:
Wołoś, A.
Kossacki, P.
Golnik, A.
Kamińska, M.
Gaj, J. A.
Twardowski, A.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035615.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ls
71.70.Ej
71.55.Eq
71.20.Nr
Opis:
In this work we demonstrate an application of Faraday rotation for measuring an extremely small Zeeman splitting of an Mn related absorption line placed at 1.417 eV in optical absorption spectrum of Mn and Mg doped gallium nitride. Analysis of the collected spectra allowed us to determine the value of the splitting as equal to 0.12±0.01 meV at 6 T. This data should help in establishing the nature of the observed absorption band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 695-699
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mn Impurity in GaN Studied by Electron Paramagnetic Resonance
Autorzy:
Wołoś, A.
Palczewska, M.
Wilamowski, Z.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Boćkowski, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036027.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
71.55.Eq
71.70.Gm
Opis:
We present the results of electron paramagnetic resonance investigations of GaN bulk crystals doped with Mn. The EPR experiment shows the Mn$\text{}^{2+}$ resonance in all the investigated n-type crystals, while in highly resistive samples extra doped with Mg acceptor the Mn$\text{}^{2+}$ resonance decreases. This is a consequence of the location of Mn acceptor level in GaN band gap. The analysis of the spin relaxation times reveals the Korringa scattering as the dominating spin relaxation mechanism in n-type GaN:Mn crystals. The effective exchange constant determined from spin relaxation rate temperature dependence is of the order of 14 meV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 595-600
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Time-Resolved Studies of Gallium Nitride Doped with Gadolinium
Autorzy:
Witek, B.
Wysmołek, A.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Potemski, M.
Boćkowski, M.
Grzegory, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812021.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
75.50.Pp
71.55.-i
71.35.Ji
Opis:
Time-resolved photoluminescence experiments on high quality bulk GaN doped with Gd are presented. It was found that the decay time of Gd-related transitions observed for 4.2 K around 1.78 eV is of about 3 ms. Such a long decay time strongly supports the identification of this emission band as due to transitions between Gd³+(4f⁷) levels. The decay time measured for Gd-related transitions observed in the UV spectral range, close to the GaN band-gap, was found to be much faster than 1 μs. This suggests that these emission lines could hardly be correlated with internal transitions within Gd³+(4f⁷). Possible origin of the Gd-related UV luminescence is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1425-1430
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deep-Level Defects in MBE-Grown GaN-Based Laser Structure
Autorzy:
Tsarova, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Skierbiszewski, C.
Grzegory, I.
Perlin, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047691.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
73.20.Hb
61.72.Lk
81.15.Hi
Opis:
We present results of deep-level transient spectroscopy investigations of defects in a GaN-based heterostructure of a blue-violet laser diode, grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on a bulk GaN substrate. Three majority-carrier traps, T1 at E$\text{}_{C}$ - 0.28 eV, T2 at E$\text{}_{C}$ - 0.60 eV, and T3 at E$\text{}_{V}$ + 0.33 eV, were revealed in deep-level transient spectra measured under reverse-bias conditions. On the other hand, deep-level transient spectroscopy measurements performed under injection conditions, revealed one minority-carrier trap, T4, with the activation energy of 0.20 eV. The three majority-carrier traps were revealed in the spectra measured under different reverse-bias conditions, suggesting that they are present in various parts of the laser-diode heterostructure. In addition, these traps represent different charge-carrier capture behaviours. The T1 trap, which exhibits logarithmic capture kinetics, is tentatively attributed to electron states of dislocations in the n-type wave-guiding layer of the structure. In contrast, the T2, T3, and T4 traps display exponential capture kinetics and are assigned to point defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 331-337
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Pumped Laser Action on Nitride Based Separate Confinement Heterostructures Grown along the (11¯20) Crystallographic Direction
Autorzy:
Teisseyre, H.
Szymański, M.
Khachapuridze, A.
Skierbiszewski, C.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Siekacz, M.
Łucznik, B.
Kamler, G.
Kryśko, M.
Suski, T.
Perlin, P.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047728.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
78.45.+h
78.66.Fd
Opis:
The intention of this work is to discuss and report on our research on nonpolar laser structures grown on bulk GaN crystal substrates along the (11¯20) nonpolar direction. The main advantages of such nonpolar structures are related to the elimination of the built-in electric fields present in commonly used systems grown along the polar (0001) axis of nitride crystals. We demonstrated the optically pumped laser action on separate confinement heterostructures. Laser action is clearly shown by spontaneous emission saturation, abrupt line narrowing, and strong transversal electric polarization of output light. The lasing threshold was reached at an excitation power density of 260 kW/cm$\text{}^{2}$ for a 700μm long cavity (at room temperature).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 467-472
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Neoplastic lesions in the nasal cavities of dogs
Autorzy:
Spuzak, J.
Jankowski, M.
Kubiak, K.
Glinska-Suchocka, K.
Grzegory, M.
Halon, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2087949.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Opis:
This paper aims at evaluating the frequency of nasal cavity tumors in dogs as well as comparing an endoscopic examination with a histopathological evaluation of the collected biopsy specimens. The study was conducted on 68 dogs. During the endoscopic examination, proliferative lesions were recognized in 20 dogs. During the histopathological examination, neoplastic lesions were confirmed in 95% of the dogs in which proliferative lesions were identified in the endoscopic examination. Adenocarcinoma occurred most frequently in the population under study.
Źródło:
Polish Journal of Veterinary Sciences; 2014, 17, 2; 375-377
1505-1773
Pojawia się w:
Polish Journal of Veterinary Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Power Continuous Wave Blue InAlGaN Laser Diodes Made by Plasma Assisted MBE
Autorzy:
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Wiśniewski, P.
Perlin, P.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Cywiński, G.
Smalc, J.
Grzanka, S.
Grzegory, I.
Leszczyński, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047002.pdf
Data publikacji:
2006-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
85.35.Be
42.60.By
73.21.Cd
Opis:
Room temperature, continuous wave operation of InGaN multi-quantum wells laser diodes made by rf plasma assisted molecular beam epitaxy at 411 nm wavelength is demonstrated. The threshold current density and voltage were 4.2 kA/cm$\text{}^{2}$ and 5.3 V, respectively. High optical power output of 60 mW was achieved. The lifetime of these laser diodes exceeds 5 h with 2 mW of optical output power. The laser diodes are fabricated on low dislocation density bulk GaN substrates, at growth conditions which resembles liquid phase epitaxy. We demonstrate that relatively low growth temperatures (600-700°C) pose no intrinsic limitations for fabrication of nitride optoelectronic components by plasma assisted molecular beam epitaxy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 345-351
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Shrinkage and mechanical properties of defrosted strawberries dried by convective, vacuum and convective-vacuum methods
Skurcz i właściwości mechaniczne rozmrożonych truskawek suszonych metoda konwekcyjną, próżniową i konwekcyjno-próżniową
Autorzy:
Piotrowski, D.
Golos, A.
Grzegory, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/37002.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
shrinkage
mechanical property
defrosted fruit
strawberry
convective drying
vacuum drying
convective-vacuum method
Opis:
The mechanical properties are among the most important indicators of the quality of food. They are the most important criteria for acceptance of the raw material by the consumer. Texture of fruits and vegetables is affected by the drying process – closely related to the composition and structure of cell walls – and its parameters. Research material for the study was strawberries of the variety SengaSengana. Axial shrinkage in the vertical plane was determined by linear measurements for 4 strawberries before drying and for the same strawberries after drying, using an electronic caliper. The mechanical properties of dried strawberries were analysed by compression tests (compression curves and maximum compression force). The test was carried out on texture analyser TA-TX2 2i (Stable Micro Systems). In this paper three methods of strawberry drying: convection, vacuum, convectionvacuum in various temperatures are presented. It was found that the largest shrinkage appears in convection drying and the lowest in vacuum drying. Increase of vacuum and convection drying temperature caused lower shrinkage. The curves of maximum compression and the compressive force showed that convection dried strawberries and convectionvacuum dried strawberries are more crisp and hard than strawberries dried by the convection method which are characterised by the lowest values of compression force.
Właściwości mechaniczne są istotnym wskaźnikiem jakości żywności. Są uważane za jeden z najważniejszych kryteriów dotyczących akceptacji surowca przez konsumentów. Na teksturę owoców i warzyw ma wpływ proces suszenia – ściśle związany ze składem i strukturą ścian komórkowych – oraz jego parametry. Materiał do badań stanowiły truskawki odmiany Senga Sengana. Osiowy skurcz w płaszczyźnie pionowej oznaczano metodą liniową dla 4 truska-wek przed suszeniem i dla tych samych truskawek po suszeniu, z wykorzystaniem suwmiarki elek-tronicznej. Właściwości mechaniczne suszonych truskawek analizowano metodą ściskania (krzywych ściskania i maksymalną siłą ściskająca).Test przeprowadzono na analizatorze tekstury TA-TX2 2i (Stable Micro Systems). W artykule przedstawiono badania, których zakres pracy obejmował wysuszenie truskawek trzema metodami konwekcyjnie, próżniowo, konwekcyjnie-próżniowo w różnych wariantach temperatur. Stwierdzono, że największy skurcz suszarniczy występuje w suszach konwekcyjnych, a najmniejszy w próżniowych. W przypadku suszenia próżniowego oraz konwekcyjnego wzrost temperatury suszenia spowodował uzyskanie mniejszego skurczu. Z krzywych ściskania oraz wartości maksymalnej siły ściskania wynika, że truskawki suszone metodą konwekcyjna oraz konwekcyjno-próżniową są bardziej chrupkie i twarde niż truskawki suszone konwekcyjnie, które charakteryzują się najniższymi wartościami siły ściskania.
Źródło:
Acta Agrophysica; 2014, 21, 2
1234-4125
Pojawia się w:
Acta Agrophysica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Growth of GaN Metalorganic Chemical Vapour Deposition Layers on GaN Single Crystals
Autorzy:
Pakula, K.
Baranowski, J. M.
Stępniewski, R.
Wysmołek, A.
Grzegory, I.
Jun, J.
Porowski, S.
Sawicki, M.
Starowieyski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933937.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.55.Cr
Opis:
The homoepitaxial growth of GaN layers has been achieved for the first time. Bulk GaN single crystals which have been used as a substrate have been grown from diluted solution of atomic nitrogen in the liquid gallium at 1600°C and at nitrogen pressure of about 15-20 kbar. It is shown that a terrace growth of GaN epitaxial layer has been realized. The high quality of the GaN film has been confirmed by luminescence measurements. The analysis of donor-acceptor and exciton luminescence is presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 861-864
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetoluminescence Studies of GaN:Fe
Autorzy:
Niedźwiadek, A.
Wysmołek, A.
Wasik, D.
Potemski, M.
Szczytko, J.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Łucznik, B.
Pastuszka, B.
Grzegory, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047373.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
71.55.Eq
71.20.Be
Opis:
We report on magneto-optical studies on iron doped GaN crystals grown using hydride vapor phase epitaxy method on bulk GaN substrate. The investigated samples showed an intensive 1.3 eV luminescence band, characteristic of Fe$\text{}^{3+}$(d$\text{}^{5}$) center in GaN. A high quality of the investigated samples allowed us to observe a well-resolved fine structure of intracenter transitions between $\text{}^{4}$T$\text{}_{1}$(G) and $\text{}^{6}$A$\text{}_{1}$(S) states, consisting of four sharp no-phonon lines. All the observed no-phonon lines showed pronounced splittings in magnetic field. From the analysis of the magneto-optical data, the structure of split $\text{}^{4}$T$\text{}_{1}$(G) multiplet in the magnetic field applied along c-axis of GaN crystals was established.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 177-182
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoluminescence and Electron Paramagnetic Resonance Studies of Bulk GaN Doped with Gadolinium
Autorzy:
Lipińska, Z.
Pawłowski, M.
Żołnierowicz, H.
Wysmołek, A.
Palczewska, M.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Boćkowski, M.
Grzegory, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046930.pdf
Data publikacji:
2006-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
71.55.-i
71.35.-y
Opis:
Photoluminescence and electron paramagnetic resonance experiments on strain free GaN bulk crystals of wurtzite structure doped with gadolinium are reported. Efficient gettering of residual GaN donors by Gd was observed. Electron paramagnetic resonance showed that Gd ion incorporated into GaN lattice had Gd$\text{}^{3+}$(4f$\text{}^{7}$) configuration. The observed photoluminescence spectra were explained as due to intracenter Gd$\text{}^{3+}$(4f$\text{}^{7}$) transitions. No ferromagnetic behavior was detected.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 243-248
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Expansion of GaN Bulk Crystals and Homoepitaxial Layers
Autorzy:
Leszczyński, M.
Teisseyre, H.
Suski, T.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Jun, J.
Pałosz, B.
Porowski, S.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Barski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952040.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ji
61.72.Vv
Opis:
Thermal expansion of gallium nitride was measured using high resolution X-ray diffraction. The following samples were examined: (i) single monocrystals grown at pressure of about 15 kbar, (ii) homoepitaxial layers. The main factor influencing both, the lattice parameters and the thermal expansion coefficient, are free electrons related to the nitrogen vacancies. The origin of an increase in the lattice constants by free electrons is discussed in terms of the deformation potential of the conduction-band minimum. An increase of the thermal expansion by free electrons is explained by a decrease of elastic constants.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 887-890
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The macrostructure and microstructure of the urinary bladder and urethral mucosain dogs with lower urinary tract diseases
Autorzy:
Kubiak, K.
Grzegory, M.
Jankowski, M.
Spużak, J.
Glińska-Suchocka, K.
Hałoń, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2087882.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
bladder
urethra
urethrocystoscopy
histopathology
dog
Źródło:
Polish Journal of Veterinary Sciences; 2017, 4; 713-721
1505-1773
Pojawia się w:
Polish Journal of Veterinary Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
MnAs Overlayer on GaN(000$\text{}_{1}$)-(1 x 1) - Its Growth, Morphology and Electronic Structure
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Kowalik, I. A.
Iwanowski, R. J.
Łusakowska, E.
Sawicki, M.
Sadowski, J.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038151.pdf
Data publikacji:
2004-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
73.20.At
Opis:
MnAs layer has been grown by means of MBE on the GaN(000$\text{}_{1}$)-(1 x 1) surface. Spontaneous formation of MnAs grains with a diameter of 30-60 nm (as observed by atomic force microscopy) occurred for the layer thickness bigger than 7 ML. Ferromagnetic properties of the layer with Curie temperature higher than 330 K were detected by SQUID measurements. Electronic structure of the system was investigated in situ by resonant photoemission spectroscopy for MnAs layer thickness of 1, 2, and 8 ML. Density of the valence band states of MnAs and its changes due to the increase in the layer thickness were revealed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 645-650
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 28

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies